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正文內(nèi)容

igbt的用途及參數(shù)和接線-文庫吧資料

2024-09-13 01:09本頁面
  

【正文】 極回路除上述外而防止柵極電路出現(xiàn)高壓尖峰,一般在 G、 E極間并一個電阻 Rge,再并二只反串的穩(wěn)壓二極管,以使工作更可靠、安全、有效。 G、要減少各器件之間的寄生電容,避免產(chǎn)生耦合噪聲。 F、 由于 IGBT 的開關會使用相互電位改變, PCB板的線條之間彼此不宜太近, 過高的 dv/dt 會由寄生電容產(chǎn)生耦合噪聲。 D、 當驅(qū)動 PCB板和 IGBT控制端子不可能作直接連接時,建議用雙股絞線( 2轉(zhuǎn) /CM小于 3CM長)或帶狀線,同軸線。 B、 驅(qū)動板和屏蔽柵極驅(qū)動電路要正確放置,以防功率電路和控制電路之間的電感耦合。柵極驅(qū)動的布線對防止?jié)撛谡袷帲瑴p慢柵極電壓上升,減小噪音損耗,降低柵極電壓或減小柵極保護電路的效率有較大的影響。mdash。mdash。不足的是承受噪聲能力小,易產(chǎn)生寄生振蕩,使開通時 di/dt變大,增加逐流二極管( FWD) 恢復時的浪涌電壓,具體值可參見表 4。mdash。mdash。目的是改善控制脈沖前沿,后沿的陡度和防止振蕩,減小 IGBT集電極電壓的尖脈沖 值。M十個級。 為一個等級,從Camp。 以每 amp。飽和壓降從 amp。11V 電壓。 C、 IGBT 不適用線性工作,只有極快開關工作時柵極才可加較低 3amp。10%的正柵極電壓,可產(chǎn)生完全飽和,而且開關損耗最小,當 12V 時通態(tài)損耗加大, 20V 時難以實現(xiàn)過流及短路保護。 A、開通電壓 15Vamp。制約因素A、在關斷或過載條件下, IC 要處于安全工作區(qū),即小于 2 倍的額定電流值; B、 IGBT 峰值電流是根據(jù) 200%的過載和 120%的電流脈動率下來制定的; C、結(jié)溫一定 150℃以下,指在任何情況下,包括過載時。le。le。 參數(shù)的合理選擇參數(shù) 的選擇一條原則是適當留有余地,這樣才能確保長期、可靠、安全地運行。m。m,在界面要涂傳熱導電膏,涂層要均勻,厚度約 150amp。6amp。m,最好用力矩把手(具體值可參見應用手冊),表面光潔度 amp。150amp。散熱器表面要平整清潔,要求平面度 amp。rarr。rarr。rarr。rarr。rarr。rarr。亦有用熱敏電阻。 總之載波頻率的大小與器件的開關損耗,器件的發(fā)熱,電流的波形,干擾的大小,電動機噪音和振動等有關的,因此不等功率的電動機和現(xiàn)場條件來正確選擇載波頻率值大小,亦是屬變頻器調(diào)試中一個主要環(huán)節(jié)。rdquo。ldquo。期刊。變頻器世界 amp。具體如何選值,請參見 2020 年七期 amp。 IGBT 的損耗是指 IGBT 在開通或關斷過渡過程期間的功率損耗。ge。圖 2B對下半臂器件選用獨立柵極電源供電,采用輔助發(fā)射極和就近驅(qū)動電源介耦電容的方法,能使接地回 路噪聲得到最好抑制,適用 200A以下模塊。因此在大功率 IGBT 應用中,或 di/dt 很高時,就難發(fā)生上述現(xiàn)象的發(fā)生,故對不用容量的器件,有下述三種電路見圖 2。 減小功率電路的電感浪涌電壓的能量與 1/2LpI 成正比,因此減小 Lp 是主要的,可選用多層正負交叉,寬偏形迭層母線,包括 IGBT間聯(lián)接,與大電容器的聯(lián)接等,例大功率變頻器的母排等,都采用上述方法,例羅克韋爾 AB 公司等變頻器就是
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