igbt管的結構與工作原理-文庫吧資料
2024-09-13 01:08本頁面
【正文】 基本相同，通斷由柵射極電壓 uGE決定。具體地來說， p+np的電流放大系數(shù) α 設計為 以下。一般將這 種狀態(tài)稱為閉鎖狀態(tài)。電流繼續(xù)流動，直到輸出側停止供給電流。在發(fā)射極電極側形成 n+pn寄生晶體管。該電子為 p+np晶體管的少數(shù)載流子，從集電極襯底 p+層開始流入空穴，進行電導率調制（雙極工作），所以可以降低集電極 發(fā)射極間飽和電壓。 IGBT 導通時的飽和壓降比 MOSFET 低而和 GTR接近，飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。 IGBT 在關斷時不需要負柵壓來減少關斷時間，但關斷時間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加。因為IGBT 柵極 發(fā)射極 阻抗大，故可使用 MOSFET 驅動技術進行觸發(fā)，不過由于 IGBT的輸入電容較 MOSFET 為大，故 IGBT 的關斷偏壓應該比許多 MOSFET 驅動電路提供的偏壓更高。 IGBT 的觸發(fā)和關斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負向電壓，柵極電壓可由不同的驅動電路產(chǎn)生。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為 td (on) tri 之和。 IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為 MOSFET 來運行 的，只是在漏源電壓 Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時間。 由于 N+ 區(qū)存在電導調制效應，所以 IGBT 的通態(tài)壓降小，耐壓 1000V 的 IGBT 通態(tài)壓降為 2 ～ 3V 。此時，通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示： Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh 式中 Uj1 —— JI 結的正向電壓，其值為 ～ 1V ； Udr —— 擴展電阻 Rdr 上的壓降； Roh —— 溝道電阻。 IGBT 處于導通態(tài)時，由于它的 PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其 B 值極低。最高
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