【正文】 //總線復(fù)位 delay(200)。 return(value)。 delay(6)。_nop_()。_nop_()。 //4 us DQ=1。_nop_()。_nop_()。 value=1。_nop_()。i0。 uchar value=0。 delay(1)。 //66 us val=val/2。0x01。_nop_()。_nop_()。 //從高拉倒低 DQ=0。_nop_()。i0。 //拉高電平 } /****************DS18B20寫命令函數(shù) ************************/ //向 1WIRE 總線上寫 1個(gè)字節(jié) void write_byte(uchar val) { uchar i。 //延時(shí) 500 us presence=~DQ。 //66 us presence=DQ。 //550 us DQ=1。 //從高拉倒低 DQ=0。_nop_()。 } } /****************DS18B20復(fù)位函數(shù) ************************/ ow_reset(void) { char presence=1。 //數(shù)據(jù)顯示 discan=scan_con[k]。k4。 } /****************顯示掃描函數(shù) ***************************/ scan() { char k。t0。 //讀出溫度暫放 uchar data display[5]={0x00,0x00,0x00,0x00,0x00}。 //共陰 LED段碼表 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 不亮 uchar code scan_con[4]={0xfb,0xfa,0xf9,0xf8}。 uint temp。延時(shí)函數(shù)用 define Disdata P0 //段碼輸出口 define discan P2 //掃描口 define uchar unsigned char define uint unsigned int sbit DQ=P1^3。如圖 16 基于 18B20 的溫度測(cè)量儀 16 圖 16 數(shù)碼管極性及端口分布 不過，我們此次是采用的四合一的數(shù)碼管。特別 適用于緩沖寄存器， I/O 通道，雙向總線驅(qū)動(dòng)器和工作寄存器。輸出控制不影響鎖存器的內(nèi)部工作，即老數(shù)據(jù)可以保持，甚至當(dāng)輸出被關(guān)閉時(shí)， 新的數(shù)據(jù)也可以置入。 使能輸入有 改善抗擾度的滯后作用 原理說明： 74HC573的八個(gè)鎖存器都是透明的 D 型鎖存器，當(dāng)使能（ G）為高時(shí)， Q 輸出 將隨數(shù)據(jù)（ D）輸入而變。 置數(shù)全并行存取 當(dāng)鎖存使能端 LE為高時(shí)，這些器件的鎖存對(duì)于數(shù)據(jù)是透明的（也就是說輸出同步）。器件的輸入是和標(biāo) 準(zhǔn) CMOS輸出兼容的，加上拉電阻他們能和 LS/ALSTTL輸出兼容。 74HC573的引腳與功能簡介 74HC573包含八進(jìn)制 3態(tài)非反轉(zhuǎn)透明鎖存器，是一種高性能硅門 CMOS器件。這就不難理解為什么把叫做地址輸入了。 帶控制輸入端的譯碼器又是一個(gè)完整的數(shù)據(jù)分配器。否則，譯碼器被禁止，所有的輸出端被封鎖在高電平，如表 。 71LS138有三個(gè)附加的控制端、和。如果出現(xiàn)兩個(gè)輸出引腳同時(shí)為 0的情況，說明該芯片已經(jīng)損壞。 利用 G /(G2A)和 /(G2B)可 級(jí)聯(lián) 擴(kuò)展成 24 線譯碼器；若外接一個(gè)反 相器還可級(jí)聯(lián)擴(kuò)展成 32 線譯碼器。 （ 8）延時(shí) 30微秒。 （ 6）延時(shí) 15微秒。 （ 4）延時(shí) 15微秒。 （ 2）延時(shí) 2微秒。 （ 7） 最后將數(shù)據(jù)線拉高。 基于 18B20 的溫度測(cè)量儀 13 （ 5） 將數(shù)據(jù)線拉到高電平。 （ 3） 按從低位到高位的順序發(fā)送字節(jié)（ 一次只發(fā)送一位）。 2. DS18B20的寫操作 （ 1） 數(shù)據(jù)線先置低電平 “0” 。 （ 7）若 CPU讀到了數(shù)據(jù)線上的低電平 “0” 后，還要做延時(shí)，其延時(shí)的時(shí)間從發(fā)出的高電平算起（第（ 5）步的時(shí)間算起）最少要 480微秒。 （ 6）延時(shí)等待 （如果初始化成功則在 15到 60毫秒時(shí)間之內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)由 DS18B20所返回的低電平 “0” 。 （ 4） 延時(shí) 750微秒（該時(shí)間的時(shí)間范圍可以從 480到 960微秒）。 DS18B20控制方法 指令約定代碼操作說明 溫度轉(zhuǎn)換 44H 啟動(dòng) DS18B20進(jìn)行溫度轉(zhuǎn)換 讀暫存器 BEH 讀暫存器 9個(gè)字節(jié)內(nèi)容 寫暫存器 4EH 將數(shù)據(jù)寫入暫存器的 TH、 TL 字節(jié) 復(fù)制暫存器 48H 把暫存器的 TH、 TL字節(jié)寫到 E2RAM中 重新調(diào) E2RAM B8H 把 E2RAM中的 TH、 TL字節(jié)寫到暫存器 TH、 TL字節(jié) 讀電源供電方式 B4H 啟動(dòng) DS18B20發(fā)送電源供電方式的信號(hào)給主 CPU （ 1） 先將數(shù)據(jù)線置高電平 “1” 。寄生供電時(shí) DS1820發(fā)送 “ 0 ” ，外接電源供電 DS1820發(fā)送 “ 1 ” 。 重調(diào) EEPROM 0B8H 將 EEPROM中內(nèi)容恢復(fù)到 RAM中的第 3 、 4字節(jié)。 告警搜索命令 0ECH 執(zhí)行后只有溫度超過設(shè)定值上限或下限的片子才做出響應(yīng)。 跳過 ROM 0CCH 忽略 64 位 ROM 地址，直接向 DS1820 發(fā)溫度變換命令。 搜索 ROM 0FOH 用于確定掛接在同一總線上 DS1820 的個(gè)數(shù)和識(shí)別 64 位 ROM 地址。 讀暫存器 0BEH 讀內(nèi)部 RAM中 9字節(jié)的內(nèi)容 寫暫存器 4EH 發(fā)出向內(nèi)部 RAM的 4字節(jié)寫上、下限溫度數(shù)據(jù)命令，緊跟該命令之后，是傳送兩字節(jié)的數(shù)據(jù)。 16 位數(shù)字?jǐn)[放是從低位到高位 DS18B20常用 ROM、 RAM指令（如表 表 2） 表 1 ROM指令表 指 令 約定代碼 功 能 溫度變換 44H 啟動(dòng) DS1820進(jìn)行溫度轉(zhuǎn) 換， 12 位轉(zhuǎn)換時(shí)最長為 750ms（ 9位為）。 溫度的讀取 基于 18B20 的溫度測(cè)量儀 11 DS18B20 在出廠時(shí)以配置為 12位，讀取溫度時(shí)共讀取 16 位，所以把后 11位的 2 進(jìn)制轉(zhuǎn)化為 10進(jìn)制后在乘以 ，還需要判斷正負(fù)。 R1， R0是溫度的決定位，由R1， R0的不同組合可以配置為 9位， 10位， 11位， 12位的溫度顯示。連接圖如圖 、圖 。當(dāng) VDD端口接 — 的電壓時(shí)是使用外部電源；當(dāng) VDD端口接地時(shí)使用了內(nèi)部的寄生電源。 64位光刻 ROM的結(jié)構(gòu)圖如圖 。 64位光刻 ROM的前 8位是 DS18B20的自身代碼，接下來的 48位為連續(xù)的數(shù)字代碼，最后的 8位是對(duì)前 56位的 CRC校驗(yàn)。用讀寄存器的命令能讀出第九個(gè)字節(jié)，這個(gè)字節(jié)是對(duì)前面的八個(gè)字節(jié) 進(jìn)行校驗(yàn)。 高速暫存器 RAM是由 8個(gè)字節(jié)的存儲(chǔ)器組成；第一和第二個(gè)字節(jié)是溫度的顯示位。當(dāng)確認(rèn)以后就可以用復(fù)制寄存器的命令來將這些數(shù)字轉(zhuǎn)移到可電擦除 RAM中。 存儲(chǔ)器 DS18B20的存儲(chǔ)器包括高速暫存器 RAM和可電擦除 RAM，可電擦除 RAM又包括溫度觸發(fā)器 TH和 TL，以及一個(gè)配置寄存器。 （ 2） DS18B20中的溫度傳感器可完成對(duì)溫度的測(cè)量，以 12位轉(zhuǎn)化為例：用 16位符號(hào)擴(kuò)展的二進(jìn)制補(bǔ)碼讀數(shù)形式提供，以 ℃ /LSB形式表達(dá)，其中 S為符號(hào)位。 64位光刻 ROM的排列是：開始 8位（ 28H）是產(chǎn)品類型標(biāo)號(hào)，接著的 48位是該DS18B20自身的序列號(hào)，最后 8位是前面 56位的循環(huán)冗余校驗(yàn)碼（ CRC=X8+X5+X4+1）。所有數(shù)據(jù)的讀，寫都是從最低位開始。寫 TH,TL指令以及配置字節(jié)利用一個(gè)記憶功能的指令完成。如果 DS18B20不使用報(bào)警檢查指令，這些寄存器可作 為一般的用戶記憶用途。測(cè)量結(jié)果將被放置在 DS18B20內(nèi)存中，并可以讓閱讀發(fā)出記憶功能的指揮，閱讀內(nèi)容的片上存儲(chǔ)器。 若指令成功地使 DS18B20完成溫度測(cè)量，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在 DS18B20的存儲(chǔ)器。主要首先提供以下功能命令之一： 1 ）讀 ROM， 2 ） ROM匹配， 3 ）搜索 ROM， 4 ）跳過 ROM， 5 ）報(bào)警檢查。 圖 15 DS18B20 溫度值格式 表 （四） DS18B20采用一線通信接口。 DS18B20的電源也可以從外部 3V5 .5V的電壓得到 。 （二） DS18B20內(nèi)部結(jié)構(gòu)主要由四部分組成： 64位光刻 ROM、溫度傳感器、非揮發(fā)的溫度報(bào)警觸發(fā)器 TH和 TL、配置寄存器。 用戶可自設(shè)定非易失性的報(bào)警上下限值。 在 9 位分辨率時(shí)最多在 內(nèi)把溫度值轉(zhuǎn)換為數(shù)字， 12 位分辨率時(shí)最多在750ms內(nèi)把溫度值轉(zhuǎn)換為數(shù)字。 ℃。 獨(dú)特的單線接口方式： DS18B20與微處理器連接時(shí)僅需要一條信號(hào)線既可實(shí)現(xiàn)微處 理器與 DS18B20的雙向通信。 （一） DS18B20的主要特性如下： 適應(yīng)電壓范圍寬： ，在寄生電源方式可有數(shù)據(jù)線共電。 DS18B20溫度傳感器簡介 DS18B20 是 DALLAS公司生產(chǎn)的單總線數(shù)字溫度傳感器芯片，具有 3引腳 TO92小體積封裝形式；溫度測(cè)量范圍為 55℃ ~+125℃，可編程為 912為 A/D轉(zhuǎn)換精度，測(cè)量分辨率可達(dá) ℃，被測(cè)溫度用 16位補(bǔ)碼方式串行輸出；其工作電源既可在遠(yuǎn)端引入，也可采用寄生 電源方式產(chǎn)生；多個(gè) DS18B20可以并聯(lián)到 3根或 2根線上， CPU只需一根端口線就能與諸多 DS18B20通信，占用微處理器的端口較少。由 8位 ALU 單元，兩個(gè) 8位的暫存器， 8 位的累加器 ACC、 B 寄存器，程序狀態(tài)寄存器 PSW 等組成。 圖 36 89C51單片機(jī)基本結(jié)構(gòu)圖 CPU是單片機(jī)的核心部件，由運(yùn)算器和控制器等部件組成。各功能部件由內(nèi)部總線連接在一起。由 4條控制線和 P3口的第二功能狀態(tài)組成。 8位，由 P0口提供。高 8位 (A15～ A8)由 P2口輸出，低 8位 (A7 ～ A0)由 P0口輸出。 基于 18B20 的溫度測(cè)量儀 8 圖 35 外部總線結(jié)構(gòu)圖 (1) 地址總線 (AB)。 ? 第二功能： 控制功能。 ? 第二功能：片內(nèi) ROM編程或校驗(yàn)時(shí)，輸入 片內(nèi) ROM的低 8位地址。 ? 第二功能：擴(kuò) 展片外存儲(chǔ)器時(shí)，輸出片外存儲(chǔ)器的 高 8位地址。 4. I / O引腳 (1) P0口（ ～ ）： ? 第一功能： 通用 I/O口，用來輸入 /輸出數(shù)據(jù) ? 第二功能：當(dāng) CPU訪問片外存儲(chǔ)器時(shí)，分時(shí)提供低 8位地址和高 8位數(shù)據(jù)的復(fù)用總線。 (3) /PSEN：片外程序存儲(chǔ)器讀選通信號(hào) ? 低電平有效，可驅(qū)動(dòng) 8個(gè) TTL負(fù)載 。