hdb╱yd003－2000單晶硅棒、單晶硅片加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)及編制說明-文庫吧資料
2024-08-29 14:21本頁面
【正文】 內(nèi)主要采用 CZ 法 CZ 法主要設(shè)備： CZ 生長爐 CZ 法生長爐的組成元件可分成四部分 （ 1）爐體：包括石英坩堝，石墨坩堝，加熱及絕熱元件，爐壁 （ 2）晶棒及坩堝拉升旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)：包括籽晶夾頭，吊線及拉升旋轉(zhuǎn)元件 （ 3）氣氛壓力控制：包括氣體流量控制，真空系統(tǒng)及壓力控制閥 （ 4）控制系統(tǒng)：包括偵測感應(yīng)器及電腦控制系統(tǒng) 加工工藝： 加料→熔化→縮頸生長→放肩生長→等徑生長→尾部生長 （ 1）加料：將多晶硅原料及雜質(zhì)放入石英坩堝內(nèi)，雜質(zhì)的種類依電阻的N 或 P 型而定。 CZ 法所以比 FZ 法更普遍被半導(dǎo)體工業(yè)采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片強(qiáng)化的優(yōu)點(diǎn)。 CZ法生長出的單晶硅，用在生產(chǎn)低功率的集成電路元件。 （ 2）加工工藝知識 多晶硅加工成單晶 硅棒： 多晶硅長晶法即長成單晶硅棒法有二種： CZ（ Czochralski）法 FZ（ FloatZone Technique）法 目前超過 98％的電子元件材料全部使用單晶硅。 單晶硅拋光片品質(zhì)規(guī)格： 單晶硅拋光片的表面質(zhì)量：正面要求無劃道、無蝕坑、無霧、無區(qū)域沾污、無崩邊、無裂縫、無凹坑、無溝、無小丘、無刀痕等。 OISF密度：利用氧化誘生法在高溫、高潔凈的爐管中氧化，再經(jīng)過腐蝕后觀察其密度進(jìn)行報數(shù)。這些參數(shù)在單晶成型后即定型，無法在此后的加工中進(jìn)行改變。對于特殊要求的，還需要進(jìn)行體內(nèi)金屬雜質(zhì)含量的檢測。 多晶硅的品質(zhì)規(guī)格： 多晶硅按外形可分為塊狀多晶硅和棒狀多晶硅；等級分為一、二、三級免洗料。多晶硅所使用的原材料來自硅砂（二氧化硅）。單晶硅片按使用性質(zhì)可分為兩大類：生產(chǎn)用硅片；測試用硅片。摻雜有微量硼、磷等元素的單晶硅可用于制造二極管、晶體管及其他半導(dǎo)體器件。晶體硅是銀灰色，有金屬光澤的晶體，能導(dǎo)電（但導(dǎo)電率不及金屬）故又稱為金屬硅。 3． 1 技術(shù)論證及適用范圍 （ 1）成品和主要原料的商品知識 單質(zhì)硅有無定形及晶體兩種。 2 制定單耗標(biāo)準(zhǔn)的原則 單耗標(biāo)準(zhǔn)的制定原則是以國家 標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)或該類加工企業(yè)平均水平為基礎(chǔ)，貫徹國家有關(guān)產(chǎn)業(yè)和外貿(mào)政策，符合我國加工貿(mào)易生產(chǎn)實(shí)際，有利于加工貿(mào)易企業(yè)技術(shù)進(jìn)步和公平競爭，便于海關(guān)有效監(jiān)管和相關(guān)單耗數(shù)據(jù)信息的使用和維護(hù)。 本標(biāo)準(zhǔn)由海關(guān)總署關(guān)稅征管司委托上海海關(guān)負(fù)責(zé)起草制定。
試題試卷相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1