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太陽(yáng)能單晶硅片的制備技術(shù)簡(jiǎn)介-文庫(kù)吧資料

2025-07-28 03:48本頁(yè)面
  

【正文】 原料及其準(zhǔn)備 : 多晶硅料 坩 堝 濃度單位 Si濃度 % 雜質(zhì)濃度 (TMI) atoms/cm3 電子級(jí) — 9N 1ppba 1ppta 5 1013 5 1011 太陽(yáng)能級(jí) 1ppma 5 1016 高純金屬硅 1000ppma 5 1019 金屬硅 10000ppma 5 1020 注:?jiǎn)尉Ч柚性訑?shù)約為 5 1022 atoms/cm3 ppma:原子數(shù)百萬(wàn)分比例 , ppba。原子數(shù)十億分比例 , 硅中的雜質(zhì)濃度 雜質(zhì) (ppm) 金屬硅 高純金屬硅 太陽(yáng)能級(jí)硅 B
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