熱源自動(dòng)測(cè)試儀設(shè)計(jì)外文翻譯-文庫(kù)吧資料
2025-05-21 21:32本頁(yè)面
【正文】 . Mech., 81E, pp. 140–142. 10 Perlmutter, M., and Siegel, R., 1961, “Unsteady Flow in a Duct with Unsteady Heat Addition,” J. Heat Transfer, 83C, pp. 432–440. 11 Kim, W. S., and 214。通過(guò) 相關(guān)方程 ，可 得 加熱器 籌碼以及全面的數(shù)據(jù) 。安裝和突出的芯片為沖刷的影響 、 熱通量、冷卻劑流量率和芯片編號(hào)進(jìn) 行了研究。所有 數(shù)據(jù) 的平方值約為 ， 平均標(biāo)準(zhǔn)差 SD 實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)大約是 15%。 凸芯片的研究 由于上游和下游的芯片也有類(lèi)似的傳 熱 數(shù)據(jù) ， 在不同實(shí)驗(yàn)條件下 ， 四個(gè)芯片 在 不同的突出物的 平均 數(shù)據(jù) ， 對(duì) 在 不同凸高度 B ， C 和 m 進(jìn)行研究 ， 為每個(gè)芯片 的試驗(yàn)中找到合適的線(xiàn)性方法 。這是為了保證試驗(yàn) 處于良好的 工作狀態(tài)。 確保試驗(yàn)夾具條件下 ， 得到了與穩(wěn)態(tài)結(jié)果。這些價(jià)值觀是微不足道的 ，與基礎(chǔ)上不確定性 的 體 質(zhì)有關(guān)。整體估計(jì)值的不確定性的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行了標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量技術(shù)。 天文數(shù)據(jù)歸算的屏壁防護(hù) 和 所有的物理性質(zhì)的大部分評(píng)估流體溫度在這里定義為 Tb =（ Twall + Tin） /2 (1) 芯片 和液體 溫度差 T = Twall ? Tin . (2) 基于的奴塞爾數(shù) 長(zhǎng)度 Nu=hl/k=ql/kA(Twall ? Tin) (3) 基于熱源長(zhǎng)度 的 雷諾數(shù) Rel=Ul/v. (4) 基于熱源長(zhǎng)度 的 Peclet 數(shù)量 被定義為 Pel=Rel*Pr (5) ) 傅里葉數(shù)其定義 Fo=at/Hc2 (6) Biot被定義為 Bi=hHc/kc (7) 估計(jì)的不確定性 ： 液體冷卻熱量損失模擬芯片被發(fā)現(xiàn)是可以忽略的。C 確保沒(méi)有相變流體通道。然而 大大降低了芯片溫度。當(dāng)溫度達(dá)到 70176。然后采用瞬變?cè)囼?yàn)操作。研究發(fā)現(xiàn) ,過(guò)去 3分鐘的變化是芯片壁面溫度小于 176。利用電壓、電阻加熱器在所有的四個(gè)芯片 上 采用 萬(wàn)用表、加熱恒熱流。獲取數(shù)據(jù)的程序 是由 單相實(shí)驗(yàn) 的 一個(gè)入口溫度、錫 23176。 測(cè)試程序 執(zhí)行實(shí)驗(yàn)之前 ， 兩個(gè) 鎳鉻合金 熱電偶的都是嵌入式芯片 ， 沿流向中心線(xiàn)在深度 毫米 上的 晶片 間隔都為 2毫米 ,除了 邊緣 上游和下 游的芯片。電阻式加熱器 是通過(guò)并聯(lián) 電壓互感器 被連接到每個(gè)芯片 并受到 控制 。 然而 相比 之下在 B = 0 時(shí) 安裝 芯片 分別 暴露 正面 芯片的面積增加 倍和 倍。這 是 使得流體層流充分開(kāi) 發(fā)必要 層前的第一芯片。 對(duì)于 20 毫米和 5毫米寬的高度 ， 雖然大多數(shù)的長(zhǎng) 120 毫米 通 道是用有機(jī)玻璃 ,多芯片組件加工高 溫度 導(dǎo)熱系數(shù)低 W / m?K 的矩形風(fēng)管。 芯片 1是指加熱器的上游渠道。 實(shí)驗(yàn)儀器 實(shí)驗(yàn) 室 包括測(cè)試設(shè)備和儀器 兩 部分 ， 參照文獻(xiàn) 18至 21 所使用 ， 為方便 水庫(kù)流、泵、熱交換器、過(guò)濾器、 旋轉(zhuǎn)式流量計(jì) 、垂直過(guò)程通道、脫氣設(shè)備 的使用 。 為 安裝 加熱器 提供了 熱通量、雷諾數(shù)和公式。然而 ,研究表明 ,所有這些 涉及到穩(wěn)態(tài)條件 ,很難有 涉及 任何瞬態(tài)傳熱離散熱源 垂直通道的流動(dòng) 的 研究 。 加利梅拉 和 愛(ài)貝克 對(duì)數(shù)組的浸泡冷卻在不同介質(zhì)的矩形突出物的液體 進(jìn)行實(shí)驗(yàn) ,以雷諾數(shù)、通道高度、間距和 流向 為 影響 對(duì)流傳熱系數(shù)與水在線(xiàn)數(shù)組 的 突出的 元素 。因此應(yīng)該更多關(guān)注 ， 便于直接 理解 物理機(jī)制 給 電子芯片的熱行為 帶來(lái)的影響 。然而 ,沒(méi)有什么工作是離散熱源在河道 泵 液體冷卻 條件 下操作的 。楊 、 朱研究分析 了 二維 鏈 瞬態(tài)層流在傾斜平行 板通道 的 自然對(duì)流 。席格和 穆特 在 位置 和 時(shí)間 上，
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