熱源自動(dòng)測(cè)試儀設(shè)計(jì)外文翻譯(存儲(chǔ)版)
【正文】 加熱 的 。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明 ,傳熱系數(shù) 強(qiáng)烈的 影響數(shù)量和雷諾數(shù)芯片。2020 by ASME SEPTEMBER 2020, Vol. 127 / 193 附 件： ； 。 大規(guī)模、高速電路 在未來的發(fā)展 可能 不能 保持有效的冷卻。 完整的 系統(tǒng)性能 對(duì)溫度 是 敏感的。 研究表明 ,很少有相關(guān)調(diào)查發(fā)現(xiàn) 由于電子冷卻壁熱流密度或墻表溫度和流速峰值 的變化而使 瞬態(tài)響應(yīng)變化 。 針對(duì)當(dāng)前工作的影響實(shí)驗(yàn)研究 ,數(shù)組的在線熱源安裝在一面墻上的水垂直矩形 水道， 實(shí)現(xiàn)瞬態(tài)傳熱 對(duì) 冷卻 泵 瞬態(tài)操作 的影響 。第一個(gè)芯片位于 700 毫米下游的通道入口 ,提供一個(gè)最小的水動(dòng)力輸入長(zhǎng)度為 50 毫米 的 液 壓直徑。 通過測(cè)量?jī)蓚€(gè)熱電偶 得知芯片壁溫的平均溫度 。 進(jìn)行瞬態(tài)操作 ，關(guān)閉 泵 ，使其 功率 在穩(wěn)定狀態(tài) ，則 瞬間芯片 壁溫 迅速增加。然而 ,在目前的實(shí)驗(yàn)中 ,熱量損失是由聚四氟乙 烯的表面溫度測(cè)量暴露在環(huán)境溫度空氣 ,是基于假定 ， 傳導(dǎo)熱量損失的是平等的 ,多芯片組件的熱損耗 —— 由自然對(duì)流從水面的多芯片 環(huán)境。線性適合方法用于相關(guān)層流流動(dòng)數(shù)據(jù) ， 其平均標(biāo)準(zhǔn)偏差為 15%左右。 不同的傳熱之間的數(shù)據(jù)和突出的芯片 不同 。 結(jié)論 實(shí)驗(yàn)單相瞬態(tài)的強(qiáng)制對(duì)流傳熱 在一個(gè)垂直矩形通道進(jìn)行過程中瞬態(tài)手術(shù) 的 研究 來決定 芯片 整體傳熱系數(shù)。 Flushmounted 芯片的研究 穩(wěn)態(tài)的結(jié)果。 使 所有芯片溫度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于設(shè)計(jì)極限 85176。 流量、加熱功率、芯片溫度 達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài) ,通常在大約 30 分鐘。 晶片的表面安裝在聚四氟乙烯基體模塊、芯片是放置在中心的墻面前 ,一個(gè)頻道之間的間隔 5毫米的邊側(cè)墻芯片和渠道。 溫度 測(cè)試部分的進(jìn)口不斷通過維護(hù)換熱器 ,在水庫(kù)主要采用浸入式加熱器 ,測(cè)試部分之前由 k熱電偶。熱源 的研究參照文獻(xiàn)的 十三至十八 。 分析了 流塞 平板層流通道 ,在水平方向上 所提供的熱通量及速度分 布 被假設(shè)為穩(wěn)定 的 。然而 ,為 液體 直接 冷卻提供了一個(gè)高傳熱系數(shù) ， 水是最有效的冷卻劑 ， 比空氣冷卻 提供了更大的統(tǒng)一 的芯片溫度。 對(duì) 加熱器傳熱特性進(jìn)行了研究 ,給出了芯片 在瞬態(tài) 的相關(guān)性以及四個(gè)全面數(shù)據(jù)。 指導(dǎo)教師評(píng)語(yǔ)： 簽名： 年 月 日 附件 1：外文資料翻譯譯文 實(shí)驗(yàn)研究的基礎(chǔ)上 , 離散的瞬態(tài)傳熱熱源在水中垂直矩形通道冷卻 基于熱源長(zhǎng)度 的 實(shí)驗(yàn) ， 研究了瞬態(tài)的強(qiáng)制對(duì)流傳熱 熱源 在以一個(gè)數(shù)組 為 4 1 的形式返回 ， 離散熱源在一個(gè)垂直的 通 道 的 瞬態(tài)操作。 然而 ,適當(dāng)?shù)睦鋮s方法的使用 ,溫度將會(huì)上升 ,將會(huì) 影響設(shè)備運(yùn)行的可靠性 ,降低 電子變速器 設(shè)備 的效率 。因此 ,它是一 種需要調(diào)查的瞬態(tài)熱行為 ,以確 定 偏離 正常情況 的程度 ,特別是 在 冷卻劑流量的系統(tǒng) 中 。然而 ,沒有什么工作是離散熱源在河道 泵 液體冷卻 條件 下操作的 。 為 安裝 加熱器 提供了 熱通量、雷諾數(shù)和公式。這 是 使得流體層流充分開 發(fā)必要 層前的第一芯片。獲取數(shù)據(jù)的程序 是由 單相實(shí)驗(yàn) 的 一個(gè)入口溫度、錫 23176。當(dāng)溫度達(dá)到 70176。整體估計(jì)值的不確定性的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行了標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量技術(shù)。 凸芯片的研究 由于上游和下游的芯片也有類似的傳 熱 數(shù)據(jù) ， 在不同實(shí)驗(yàn)條件下 ， 四個(gè)芯片 在 不同的突出物的 平均 數(shù)據(jù) ， 對(duì) 在 不同凸高度 B ， C 和 m 進(jìn)行研究 ， 為每個(gè)芯片 的試驗(yàn)中找到合適的線性方法 。 命名 A=晶片表面接觸面積 ， 米 B=突出 高 度，米 C=相關(guān)系數(shù) Cp=在恒壓比熱容、 J /公斤 ?K Fo=傅里葉數(shù) g=重力加速度、米 /秒 Hc=高度的芯片 ， 米 h=傳熱系數(shù)、 W / m2K k=流體的導(dǎo)熱系數(shù)、 W / m?K l=長(zhǎng)度的熱源、米 n=指數(shù) Nul
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