熱源自動測試儀設(shè)計外文翻譯-文庫吧
2025-04-16 21:32 本頁面
【正文】 流 ， 觀察到 傳熱 分離凸熱源和 熱傳遞 對 凸芯片的影響較小 。然而 ,研究表明 ,所有這些 涉及到穩(wěn)態(tài)條件 ,很難有 涉及 任何瞬態(tài)傳熱離散熱源 垂直通道的流動 的 研究 。 針對當(dāng)前工作的影響實驗研究 ,數(shù)組的在線熱源安裝在一面墻上的水垂直矩形 水道， 實現(xiàn)瞬態(tài)傳熱 對 冷卻 泵 瞬態(tài)操作 的影響 。 為 安裝 加熱器 提供了 熱通量、雷諾數(shù)和公式。 并且對 B = 2 毫米加熱器 的 傳感器 在不同的四個芯片 中 的 結(jié)果 進行了 對比研究 。 實驗儀器 實驗 室 包括測試設(shè)備和儀器 兩 部分 ， 參照文獻 18至 21 所使用 ， 為方便 水庫流、泵、熱交換器、過濾器、 旋轉(zhuǎn)式流量計 、垂直過程通道、脫氣設(shè)備 的使用 。 溫度 測試部分的進口不斷通過維護換熱器 ,在水庫主要采用浸入式加熱器 ,測試部分之前由 k熱電偶。 芯片 1是指加熱器的上游渠道。剩下的晶片號碼順序分配到 4 個 通道 。 對于 20 毫米和 5毫米寬的高度 ， 雖然大多數(shù)的長 120 毫米 通 道是用有機玻璃 ,多芯片組件加工高 溫度 導(dǎo)熱系數(shù)低 W / m?K 的矩形風(fēng)管。第一個芯片位于 700 毫米下游的通道入口 ,提供一個最小的水動力輸入長度為 50 毫米 的 液 壓直徑。這 是 使得流體層流充分開 發(fā)必要 層前的第一芯片。每個芯片的無氧銅 制作 的高度 Hc = 9 毫米、長度 = 10 毫米 ,表面區(qū)域 突出量 分別 為 0、 1和 2毫米。 然而 相比 之下在 B = 0 時 安裝 芯片 分別 暴露 正面 芯片的面積增加 倍和 倍。 晶片的表面安裝在聚四氟乙烯基體模塊、芯片是放置在中心的墻面前 ,一個頻道之間的間隔 5毫米的邊側(cè)墻芯片和渠道。電阻式加熱器 是通過并聯(lián) 電壓互感器 被連接到每個芯片 并受到 控制 。 這樣的類似的電壓互感器的四個芯片被用于實驗設(shè)備 。 測試程序 執(zhí)行實驗之前 ， 兩個 鎳鉻合金 熱電偶的都是嵌入式芯片 ， 沿流向中心線在深度 毫米 上的 晶片 間隔都為 2毫米 ,除了 邊緣 上游和下 游的芯片。 通過測量兩個熱電偶 得知芯片壁溫的平均溫度 。獲取數(shù)據(jù)的程序 是由 單相實驗 的 一個入口溫度、錫 23176。c 的 熱流密度 范圍 變化提供 的 。利用電壓、電阻加熱器在所有的四個芯片 上 采用 萬用表、加熱恒熱流。 流量、加熱功率、芯片溫度 達到穩(wěn)定狀態(tài) ,通常在大約 30 分鐘。研究發(fā)現(xiàn) ,過去 3分鐘的變化是芯片壁面溫度小于 176。 。然后采用瞬變試驗操作。 進行瞬態(tài)操作 ，關(guān)閉 泵 ，使其 功率 在穩(wěn)定狀態(tài) ，則 瞬間芯片 壁溫 迅速增加。當(dāng)溫度達到 70176。C， 泵 是開著的。然而 大大降低了芯片溫度。 使 所有芯片溫度遠遠低于設(shè)計極限 85176。C 確保沒有相變流體通道。 在 等溫條件 下 ， 分析了電子芯片的熱行為 ,瞬態(tài)傳熱采取的 75 年代加熱功率。 天文數(shù)據(jù)歸算的屏壁防護 和 所有的物理性質(zhì)的大部分評估流體溫度在這里定義為 Tb =（ Twall + Tin） /2 (1) 芯片 和液體 溫度差 T = Twall ? Tin . (2) 基于的奴塞爾數(shù) 長度 Nu=hl/k=ql/kA(Twall ? Tin) (3) 基于熱源長度 的 雷諾數(shù) Rel=Ul/v. (4) 基于熱源長度 的 Peclet 數(shù)量 被定義為 Pel=Rel*Pr (5) ) 傅里葉數(shù)其定義 Fo=at/Hc2 (6) Biot被定義為 Bi=hHc/kc (7) 估計的不確定性 ： 液體冷卻熱量損失模擬芯片被發(fā)現(xiàn)是可以忽略的。然而 ,在目前的實驗中 ,熱量損失是由聚四氟乙 烯的表面溫度測量暴露在環(huán)境溫度空氣 ,是基于假定 ， 傳導(dǎo)熱量損失的是平等的 ,多芯片組件的熱損耗 —— 由自然對流從水面的多芯片 環(huán)境。整體估
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