【正文】 外部程序存儲器讀取指令， EA 必須接 GND。用戶不應該給這些未定義的地址寫入數(shù)據(jù)“ 1”。上電期間 POF 置“ 1”。也就是說高 128 字節(jié)與特殊功能寄存器有相同 的地址，而物理上是分開的。 WDT 由 13 位計數(shù)器和特殊功能寄存器中的看門狗定時器復位存儲器（ WDTRST）構(gòu)成。當計數(shù)達到 8191(1FFFH)時， 13 位計數(shù)器將會溢出，這將會復位器件。有兩種方式可以離開掉電模式：硬件復位或通過一個激活的外部中斷。在進入待機模式前，特殊寄存器 AUXR 的 WDIDLE 位用來決定 WDT 是否繼續(xù)計數(shù)。其工作方式由特殊寄存器 T2CON 中的 C/T2 位選擇（如表 2所示）。一個機器周期采樣到高電平，而下一個周期采樣到低電平，計數(shù)器將加 1。除此之外， T2EX的跳變會引起 T2CON 中的 EXF2 置位。如果EXEN2=0，定時器 2 計數(shù)，計到 0FFFFH 后置位 TF2 溢出標志。定時器計到 0FFFFH 溢出，并置位 TF2。如果定時器2作為發(fā)送或接收波特率發(fā)生器，定時器 1 可用作它用，發(fā)送和接收的波特率可以不同。僅在 T2CON 中 RCLK 或 TCLK＝ 1 才有效。 可編程時鐘輸出 可以通過編程在 引腳輸出一個占空比為 50%的時鐘信號。不過，波特率和輸出時鐘頻率相互并不獨立，它們都依賴于 RCAP2H 和 RCAP2L。定時器 2 可以被寄存器 T2CON中的 TF2 和 EXF2 的或邏輯觸發(fā)。 晶振特性 AT89S52 單片機有一個用于構(gòu)成內(nèi)部振蕩器的反相放大器， XTAL1 和 XTAL2 分別是放大器的輸入、輸出端。用戶軟件不應給這些位寫 1。時鐘輸出頻率取決于晶振頻率和定時器 2 捕捉寄存器（ RCAP2H， RCAP2L）的重載值，如公式所示： 時鐘輸出頻率＝晶振頻率 /4 [65536－（ RCAP2H, RCAP2L） ] 在時鐘輸出模式下，定時器 2不會產(chǎn)生中斷，這和定時器 2 用作波特率發(fā)生器一樣。寄存器 RCAP2 可以讀，但不能寫，因為寫可能和重載交迭，造成寫和重載錯誤。波特率計算公式如下： 模式 1和模式 3 的波特率 ＝晶振頻率 /32 [65536 (RCAP2H,RCAP2L)] 其中，（ RCAP2H,RCAP2L）是 RCAP2H 和 RCAP2L 組成的 16 位無符號整數(shù)。在這種工作模式下， EXF2 不能觸發(fā)中斷。在這種模式下， T2EX 引腳控制著計數(shù)的方向。 DCEN=0 時，定時器 2自動計數(shù)。如果EXEN2=1，定時器 2 做相同的操作。在計數(shù)工作方式下，寄存器在相關外部輸入角T2發(fā)生 1至 0的下降沿時增加 1。為了獲得更深入的關于 UART 的信息，可參考 ATMEL 網(wǎng)站（ 選擇“ Products”，然后選擇“ 8051ArchitechFlashMicrocontroller”，再選擇“ Product Overview”即可。這就意味著 WDT 應該在中斷服務程序中復位。 掉電和空閑方式下的 WDT 在掉電模式下，晶振停止工作，這意味這 WDT 也停止了工作。 WDT 的使用 為了激活 WDT，用戶必須向 WDTRST 寄存器（地址為 0A6H 的 SFR）依次寫入 0E1H 和0E1H。因此，高 128 字節(jié)數(shù)據(jù) RAM 也 可用于堆?？臻g。 數(shù)據(jù)存儲器 AT89S52 有 256 字節(jié)片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲器。用戶應該在訪問數(shù)據(jù)指針寄存器前先初始化 DPS 至合理的值。片上沒有定義的地址是不能用的。當 AT89S52 從外部程序存儲器執(zhí)行外部代碼時， PSEN 在每個機器周期被激活兩次，而在訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時， PSEN 將不被激活。在 flash 編程時，此引腳（ PROG）也用作編程輸入脈沖。P3口亦作為 AT89S52 特殊功能（第二功能）使用。作為輸入使用時，被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因，將輸出電流（ IIL）。程 序校驗時，需要外部上拉電阻。 引腳功能描述 VCC 電源。 功能特性描述 AT89S52 是一種低功耗、高性能 CMOS 8 位微控制器，具有 8K 在系統(tǒng)可編程 Flash 存儲器。 ＊ 三個 16 位定時器 /計數(shù)器。汽車上一般配備 40 多部單片機，復雜的工業(yè)控制系統(tǒng)上甚至可能有數(shù)百臺單片機在同時工作 。目前，高端的 32 位單片機主頻已經(jīng)超過 300MHz，性能直追 90 年代中期的專用處理器，而普通的型號出廠價格跌落至 1 美元，最高端的型號也只有 10 美元。 早期的單片機都是 8 位或 4 位的。//測頻 L_deal()。 R_led = 1。 delay(50000)。 delay(20xx0)。//代碼轉(zhuǎn)換 display()。 delay(50000)。 C_led = 1。 L_select = 1。//地址 delay(20xx0)。 P_tab[4] = Addr[cifang]。//寫入數(shù)據(jù) for (i=0。 SaveData[0] = Tab[bai]。 } if (i = 2) { cifang = i2。 } if (result = 328 amp。amp。 result 9000) { result = result * 789 / 1000。 } if (result = 450 amp。amp。//10k~1M 歐姆 } if (result 20xx0 amp。 TR0 = 0。 ET0 = 1。 a=k。//電感指示燈 sbit R_change = P2^4。 unsigned long int pinlv = 0, result = 0, flag = 0。三點式電路是指： LC 回路中與發(fā)射極相連的兩個電抗元件必須是同性質(zhì)的，另外一個電抗元件必須為異性質(zhì)的，而與發(fā)射極相連的兩個電抗元件同為電容時的三點式電路，成為電容三點式電路。 如圖 。AT89S52。 編號： 畢 業(yè) 設 計 題 目： 電阻、電容、電感測試儀 院 （系）： 應用科技 學院 專 業(yè)： 電子信息工程 題目類型： ?理論研究 ?實驗研究 ?工程設計 ?工程技術研究 ?軟件開發(fā) 桂林電子科技大學畢業(yè)設計（論文）報告用紙 摘 要 在使用電子元器件 時 ，首先 需要 了解參數(shù) 。 measuring instrument to carry out the expanded also to achieve the diodes, transistors measurement. Key words： RLC meter。 電路方框圖及說明 系統(tǒng)分三大部分，既測量電路、通道選擇和控制電路。 圖 電容測量電路 電感測量電路 電感的測量是采用電容三點式振蕩電路來實現(xiàn)的。//最終結(jié)果 unsigned char count = 0, counter = 0, bai = 0, shi = 0, ge = 0, cifang = 0。//電容指示燈 sbit L_led = P2^0。 for(a=0。//計數(shù)器清零 EA = 1。//頻率換算 counter = 0。//100~10k 歐姆 if (R_change == 0) { result = (6557705 / pinlv 20xx0) / 2。 桂林電子科技大學畢業(yè)設計（論文）報告用紙 第 13 頁 共 47 頁 } if (result = 277 amp。 result 450) { result = result * 614 / 1000。amp。 } if (result = 1245 amp。 result 552) { result = result * 100 / 84。 i++。 ge = result % 10。//十六進制非譯碼正常工作 ,后跟顯示數(shù)據(jù) Mode = 0。 P_tab[3] = Addr[10]。 i++) { P0 = P_tab[i]。//初始化 C_select = 1。//去抖動 if (R_select == 0) { R_led = 0。//低量程 delay(50000)。//結(jié)果 daima()。//模擬開關電容頻率輸出 F_A = 1。 delay(50000)。//去抖動 if (L_select == 0) { L_led = 0。 pl()。 INTEL 的 Z80 是最早按照這種思想設計出的處理器，從此以后，單片機和專用處理器的發(fā)展便分道揚鑣。而傳統(tǒng)的 8 位單片機的性能也得到了飛速提高，處理能力比起 80 年代提高了數(shù)百倍。而個人電腦中也會有為數(shù)不少的單片機在工作。 ＊ 32 個可編程 I/O 口線。 ＊ 掉電標識符。掉電保護方式下， RAM 內(nèi)容被保存，振蕩器被凍結(jié)，單片機一切工作停止，直到下一個中斷或硬件復位為止。在 flash編程時， P0 口也用來接收指令字節(jié)；在程序校驗時，輸出指令字節(jié)。對 P2 端口寫“ 1”時，內(nèi)部上拉電阻把端口拉高，此時可以作為輸入口使用。作為輸入使用時，被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因，將輸出電流（ IIL）。 ALE/PROG 地址鎖存控制信號（ ALE）是訪問外部程序存儲器時，鎖存低 8位地址的輸出脈沖。 桂林電子科技大學畢業(yè)設計（論文）報告用紙 第 24 頁 共 47 頁 PSEN 外部程序存儲器選通信號（ PSEN）是外部程序存儲器選通信號。 特殊功能寄存器 并不是所有的地址都被定義了。特殊寄存器 AUXR1 中 DPS＝ 0 選擇 DP0；DPS=1 選擇 DP1。對于 89S52，如果 EA 接 VCC，程序讀寫先從內(nèi)部存儲器（地址為 0000H～ 1FFFH）開始，接著從外部尋址，尋址地址為： 20xxH~FFFFH。 MOV R0, data 堆棧操作也是簡介尋址方式。當 WDT 溢出，它將驅(qū)動 RSR引腳一個高個電平輸出。為了很好地使用 WDT，應該在一定時間內(nèi)周期性寫入那部分代碼，以避免 WDT 復位。為了防止 WDT 在中斷保持低電平的時候復位器件， WDT 直到中斷拉低后才開始工作。 定時器 0 和定時器 1 在 AT89S52 中，定時器 0和定時器 1的操作與 AT89C5 和 AT89C52 一樣。由于一個機器周期由 12 個晶振周期構(gòu)成，因此，計數(shù)頻率就是晶振頻率的 1/12。如果 EXEN2=0，定時器 2時一個 16 位定時 /計數(shù)器，溢出時，對 T2CON 的 TF2 標志置位， TF2 引起中斷。 DCEN 設置后，定時器 2 就可以取決于 T2EX 向上、向下計數(shù)。 置位 DCEN，允許定時器 2 向上或向下計數(shù)。定時器 2 上溢或下溢，外部中斷標志位 EXF2 被鎖死。定時器 2 用于定時器操作與波特率發(fā)生器有所不同，它在每一機器周期（ 1/12 晶振周期）都會增加；然而，作為波特率發(fā)生器，它在每一機器狀態(tài)（ 1/2 晶振周期）都會增加。在這種模式下，定時器在每一狀態(tài)都會增加，讀或?qū)懢筒粫蚀_。位 TR2（ ）啟動、停止定時器。對于 AT89S52， 位也是不能用的。然而，定時器 2 的標志位 TF2 在計數(shù)溢出的那個周期的 S2P2 被置位，在同一個周期被電路捕捉下來。程序進入中斷服務后，這些標志位都 可以由硬件清 0。 中斷 桂林電子科技大學畢業(yè)設計（論文）報告用紙 第 29 頁 共 47 頁 AT89S52 有 6 個中斷源：兩個外部中斷（ INT0 和 INT1），三個定時中斷（定時器 0、 2）和一個串行中斷。這個引腳除了常規(guī)的 I/O 角外，還有兩種可選擇功能。特別強調(diào)， TH2 的翻轉(zhuǎn)并不置位 TF2，也不產(chǎn)生中斷； EXEN2 置位后， T2EX 引腳上 1～ 0的下跳變不會使（ RCAP2H，RCAP2L）重載到（ TH2， TL2）中。設置 RCLK 和（或） TCLK 可以使定時器 2工作于波特率