外文翻譯---應(yīng)用于功率放大器的過壓保護電路-其他專業(yè)-文庫吧資料
2025-01-27 09:31本頁面
【正文】 CMOS 嚴(yán)重，獲取更高的頻率更差 。諧振需要調(diào)整，以減少輸入和輸出變壓器 在 作 方面的 費用 微調(diào)電容 C1 和 C2 被添加到匹配的網(wǎng)絡(luò)，實現(xiàn)了 GHz 的工作頻率共振。正如圖中可以看出。 通過對變壓器磁耦合器，放大器耦合被電隔離。除芯片以外的所有 CMOS 采用 13 微米工藝。如果輸 出擺幅 在 一定條件下駐波或過于高電源電壓，偏置，因此放大器的增益 受 限制降低，重新建立輸出擺幅。 駐波比保護提出功率放大器包括一個兩 個 階段 AB 類功率放大器的核心和輸出電壓控制回路。基本概念 和 [6]相似，但實施是不同的。 這項工作提出了一個用于 CMOS 功率放大器 的 保護電路。 最后，很多半導(dǎo)體公司“無生產(chǎn)線，并在獨立半導(dǎo)體 鑄造廠制作。一種辦法，應(yīng)付 CMOS 晶體管擊穿的問題是要面對它的工藝水平，融入標(biāo)準(zhǔn) CMOS高電壓兼容的晶體管。負(fù)載失配可以通過 駐波比（ VSWR） 來反應(yīng) ， VSWR 是駐波 最大 電壓 與最小電壓 的 比 值 。如果傳輸 信號幅度 為 Vf， 則駐波的最大幅 度為 Vmax =Vf（ 1 + |ρ|） 。 天線上負(fù)載失配造成的過高電壓 天線上負(fù)載失配導(dǎo) 致傳輸信號的反射 從而形成駐波。 ?m 工藝的柵級 擊穿電壓 根據(jù)晶體管的種類 在 ~ 之間。電 遷移 是一個問題，尤其是當(dāng)大的直流電流 密度 存在 同一個線路中。 電遷移 通常是指在 電場的作用下導(dǎo)電離子運動造成元件或電路失效的現(xiàn)象。 當(dāng)漏極電場強度高時，溝道電子將對 SiSiO2 表層產(chǎn)生破壞，從而出現(xiàn)熱載流子效應(yīng)。接著對 VSWR 保護電路做了詳細(xì)的介紹，最后給出了測試和仿真結(jié)果。第三部分介紹了可能的解決方案。 PA 的設(shè)計細(xì)節(jié)和測試結(jié)果參照文獻 [2]。 該電路另外設(shè)計附加在一個輸出功率為 27 dBm 的兩級差分功率放大器中。 如果負(fù)載失配時，在 PA 輸出端將導(dǎo)致高的 VSWR，這 個問題 對于標(biāo)準(zhǔn) CMOS晶體管 的低 擊穿電壓 非常重要。雖然 CMOS PA 的設(shè)計是一個非常大的挑戰(zhàn)，但是 現(xiàn)代 深亞微米 CMOS 工藝的 性能接近 SiGe 或 GaAs PA 更加具有吸引力。大多數(shù)功率放大器是基于 SiGe 或GaAs 工藝 技
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