【導(dǎo)讀】趨勢(shì)越來(lái)越多來(lái)代替GaAs或者SiGe功率放大器。雖然目前CMOS價(jià)格相對(duì)比較低廉,但是其射頻性能存在劣勢(shì),而且還有低的擊穿電壓。這個(gè)問(wèn)題特別體現(xiàn)在PA的輸出級(jí),CMOS工藝下設(shè)計(jì)了一個(gè)27dBmPA,包括VSWR保護(hù)電路。一個(gè)控制回路檢測(cè)在PA輸。出端的高電壓振幅尖峰以降低PA的增益,從而降低輸出電壓擺幅達(dá)到理想值。GaAs工藝技術(shù),而收發(fā)器和基帶電路更加傾向于使用低成本的標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)。近SiGe或GaAsPA更加具有吸引力。一個(gè)主要的問(wèn)題是將在所有可能的情況之下保證可。如果負(fù)載失配時(shí),在PA輸出端將導(dǎo)致高的VSWR,這個(gè)問(wèn)題對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)CMOS. PA的設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)和測(cè)試結(jié)果參照文獻(xiàn)[2]。第四部分給出了PA的整體結(jié)果和設(shè)計(jì)。壓增大使得跨導(dǎo)降低。導(dǎo)致線路空隙,甚至差距,導(dǎo)致了芯片的破壞。此在負(fù)載失配嚴(yán)重時(shí),駐波幅度可以達(dá)到傳輸信號(hào)幅度的2倍??共⒙?lián)電阻必須履行的駐波條件,允許功率放大器返回正常狀態(tài)。置電阻器使用,有可能節(jié)省芯片面積。