外文翻譯---應用于功率放大器的過壓保護電路-其他專業(yè)-資料下載頁
2025-01-19 09:31本頁面
【導讀】趨勢越來越多來代替GaAs或者SiGe功率放大器。雖然目前CMOS價格相對比較低廉，但是其射頻性能存在劣勢，而且還有低的擊穿電壓。這個問題特別體現(xiàn)在PA的輸出級，CMOS工藝下設計了一個27dBmPA，包括VSWR保護電路。一個控制回路檢測在PA輸。出端的高電壓振幅尖峰以降低PA的增益，從而降低輸出電壓擺幅達到理想值。GaAs工藝技術，而收發(fā)器和基帶電路更加傾向于使用低成本的標準CMOS技術。近SiGe或GaAsPA更加具有吸引力。一個主要的問題是將在所有可能的情況之下保證可。如果負載失配時，在PA輸出端將導致高的VSWR，這個問題對于標準CMOS. PA的設計細節(jié)和測試結果參照文獻[2]。第四部分給出了PA的整體結果和設計。壓增大使得跨導降低。導致線路空隙，甚至差距，導致了芯片的破壞。此在負載失配嚴重時，駐波幅度可以達到傳輸信號幅度的2倍?？共⒙?lián)電阻必須履行的駐波條件，允許功率放大器返回正常狀態(tài)。置電阻器使用，有可能節(jié)省芯片面積。
【正文】 壓控制如上圖所示， 目前晶體管減小，降低了放大器的偏置和增益級，從而降低輸出電壓擺幅回到 正常狀態(tài) 該控制回路是晶體管 M3 的電容在輸出階段。當 控制電壓 突然上升，如 有錯誤 ，在 射頻輸出 節(jié)點突然出現(xiàn)一個輸出級晶體管，因此 有 立即崩潰的危險，因此電壓波動仍然存在。解決這個問題是通過增加一個額外的晶體管如果 控制電壓 上顯示的電壓可能導致 M3 的故障切換。在這種情況下，對 M3 M4 的排放立即 增大 ，從而開關 功率放大器在一個射頻周期的控制電壓， M4 的交換機上可以與一個電阻分壓器調(diào)節(jié) . 可變脈沖發(fā)生器 在圖 5 中顯示的是 級聯(lián)和有源器件功率放大器輸出級的漏 級 電壓 的 模擬結果 ，圖 5（ a）中是在 2。 5V 和 50 歐天線負載下的波形。在圖 5（ b）中展示了 強大的負載失配的情況下，供應電壓提高到 。當在漏極的輸出節(jié)點加最大電壓，使得功率放大器在最壞的情況下由正常操作的 5V 上升到 6V。如果沒有更高的漏極循環(huán)電壓控制，導致功率放大器第一階段的輸出故障。在正常的操作下，通過保護電路功率放大器的表現(xiàn)是不會下降的。 圖 5(a) 圖 5(b) 該檢測器和偏置電壓調(diào)節(jié)器在開環(huán)模式 下 進行了瞬態(tài) 分析。在圖 6 中當突然有個過電壓應用在 PA 輸出端時 Vbias 和 Vcontrol 被很快的反應出來了。高電壓會被立即檢測并且隨著很少的射頻周期偏置會降低，在圖 6 中隨著開環(huán)檢測模式?jīng)]有射頻輸出可以看出漏極電壓減少。 圖 6 測 試 結果 一種用于 CMOS 功率放大器過電壓保護電路 被 提出了 ，在功率放大器輸出高電壓時該電路需要被保護，當負載不匹配， 一個控制回路檢 測在 PA 輸出電壓幅度過高，降低了功率放大器的增益，以降低輸出電壓 的值，控制回路是 應用于制作與量測在 微米 CMOS功率放大器 。這個功率放大器的輸出超過 27DBM 的在 千兆赫。模擬顯示功能和控制回路的響應速度快 ,在正常操作下功率放大器的表現(xiàn)不會應為過電壓保護下降。 外文原文
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