【導讀】趨勢越來越多來代替GaAs或者SiGe功率放大器。雖然目前CMOS價格相對比較低廉,但是其射頻性能存在劣勢,而且還有低的擊穿電壓。這個問題特別體現(xiàn)在PA的輸出級,CMOS工藝下設計了一個27dBmPA,包括VSWR保護電路。一個控制回路檢測在PA輸。出端的高電壓振幅尖峰以降低PA的增益,從而降低輸出電壓擺幅達到理想值。GaAs工藝技術,而收發(fā)器和基帶電路更加傾向于使用低成本的標準CMOS技術。近SiGe或GaAsPA更加具有吸引力。一個主要的問題是將在所有可能的情況之下保證可。如果負載失配時,在PA輸出端將導致高的VSWR,這個問題對于標準CMOS. PA的設計細節(jié)和測試結果參照文獻[2]。第四部分給出了PA的整體結果和設計。壓增大使得跨導降低。導致線路空隙,甚至差距,導致了芯片的破壞。此在負載失配嚴重時,駐波幅度可以達到傳輸信號幅度的2倍??共⒙?lián)電阻必須履行的駐波條件,允許功率放大器返回正常狀態(tài)。置電阻器使用,有可能節(jié)省芯片面積。