外文翻譯---應(yīng)用于功率放大器的過壓保護(hù)電路-其他專業(yè)(編輯修改稿)
2025-02-24 09:31 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 至?xí)?立即 導(dǎo)致晶體管的擊穿。一種辦法，應(yīng)付 CMOS 晶體管擊穿的問題是要面對它的工藝水平，融入標(biāo)準(zhǔn) CMOS高電壓兼容的晶體管。這些設(shè)備的制造過程中就必須增加額外的步驟和手段，此外，這些射頻晶體管的性能一般低于標(biāo)準(zhǔn)的晶體管。 最后，很多半導(dǎo)體公司“無生產(chǎn)線，并在獨(dú)立半導(dǎo)體 鑄造廠制作。 因此，有希望進(jìn)行替代解決在線路水平上的問題， 電壓反饋電路，以避免 線路老化，該電路只 適 用雙極晶體管，不適合用于 CMOS 功率放大器。 這項(xiàng)工作提出了一個(gè)用于 CMOS 功率放大器 的 保護(hù)電路。這感覺在 PA 的開路漏極輸出高電壓和動(dòng)態(tài)降低偏置和增益放大階段?；靖拍?和 [6]相似，但實(shí)施是不同的。兩個(gè)主要組成部分，過壓檢測器和偏置調(diào)節(jié)，將在未來章節(jié)中討論。 駐波比保護(hù)提出功率放大器包括一個(gè)兩 個(gè) 階段 AB 類功率放大器的核心和輸出電壓控制回路。一個(gè)系統(tǒng)的框圖如圖 1 所示控制回路的電壓擺幅放大器 在 第二階段的產(chǎn)出。如果輸 出擺幅 在 一定條件下駐波或過于高電源電壓，偏置，因此放大器的增益 受 限制降低，重新建立輸出擺幅。 差分功率放大器需要單端轉(zhuǎn)換。除芯片以外的所有 CMOS 采用 13 微米工藝。 圖 1 設(shè)計(jì)功率放大器 的核心 這兩個(gè)階段的核心采用的 是功 放大器級間 和輸入的匹配，結(jié)構(gòu)是眾所周知的，特別是對 雙極型器件 功率放大器，電路圖如圖 2 差分設(shè)計(jì)采用了虛擬 平面， 導(dǎo)致了良好的偶次諧波取消 ， 該 差分 結(jié)構(gòu)，尤其是一個(gè)重要的單片 機(jī) 發(fā)器，因?yàn)樗鼫p少了大功率放大器的干擾信號 和 其他組成部分。 通過對變壓器磁耦合器，放大器耦合被電隔離。所以偏置可設(shè)定為兩個(gè)階段。正如圖中可以看出。 2 電流 于偏置，利用變壓器中心抽頭。諧振需要調(diào)整，以減少輸入和輸出變壓器 在 作 方面的 費(fèi)用 微調(diào)電容 C1 和 C2 被添加到匹配的網(wǎng)絡(luò)，實(shí)現(xiàn)了 GHz 的工作頻率共振。 通過不同的轉(zhuǎn)化率以及變壓器的大小 ，一個(gè)良好的級間匹配和輸入匹配被發(fā)現(xiàn)。 盡管如此 通過電容晶體管的空間是有限的， 此問題是更比雙極型器件的 CMOS 嚴(yán)重，獲取更高的頻率更差 。 功率放大器是 專為集成到一個(gè)單芯片的 DECT 收發(fā)器，
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