【正文】 ????? ?? IVP 7） 8） % 2oc ????PP? 9） 202)(lg2)10(lg11oi ???? ?? pAPP廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院 《 高頻電路 》 第 6章 vbe t VBB VBZ biciei低頻 以上對高頻功放是以 靜態(tài)特性為基礎(chǔ)的分析 ，只能近似說明和估計高頻功放的工作原理， 無法反映高頻工作時的其它現(xiàn)象。 解： １）由前面的討論已知，工作狀態(tài)最好選用臨界狀態(tài)。試求它的能量關(guān)系。 當(dāng)諧振功率放大器用作振幅限幅器 時， 放大器必須在 Vbm變化的范圍內(nèi)工作 在過壓狀態(tài)。 tVVv bmBBBE ?co s????vBE ic vBEmax1 vBEmax2 vb VBB vBEmax3 VBZ ic t 飽和區(qū) 放大區(qū) 截止區(qū) 1C? 2C? 3C? 固定 VBB、增大 Vbm和固定 Vbm、增大 VBB的情況類似， 它們都使基極輸入電壓 vBEmax隨之增大，對應(yīng)的集電極脈沖電流 ic的幅度和寬度均增大，放大器的工作狀態(tài)由欠壓進(jìn)入過壓 。 基極調(diào)幅作用是通過改變 Ｖ BB來改變 Ｉ cm1與 Ｐ o才能實現(xiàn)的，因 此，必須工作于 欠壓區(qū) 。 vbe ? VBB vbemax1 vBE iC ? VBB vbemax2 ? VBB vbemax3 vce iC vbemax1 vbemax2 ?Q VCC vbemax3 ? ? ? ? t?iC 廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院 《 高頻電路 》 第 6章 進(jìn)入過壓狀態(tài)后，隨著 VBB向正值方向增大，集電極脈沖電流 的寬度增加，幅度幾乎不變，但凹陷加深，結(jié)果使 Ico、 Icml和相應(yīng) 的 Vcm增大得十分緩慢。 vce ic vbemax ?Q VCC ? ?Q VCC ?Q VCC ? ? ? ? t?ic VCC 欠壓區(qū) 過壓區(qū) 臨界區(qū) VCC 欠壓區(qū) 過壓區(qū) 臨界區(qū) P= Po PC 在過壓區(qū)， VCC能有效的控制 Ｉ cm1與 Ｐ o，因此， 集電極調(diào)幅必須工作于過壓區(qū)。 1. 改變 Ｖ CC對工作狀態(tài)的影響（集電極調(diào)制） 一 . 高頻功放電路的調(diào)制特性 當(dāng) RP， Vbm不變，而 改變 Ｖ CC ， VBB與 Icm1， IC0， P=， Po之間的關(guān)系。過壓狀態(tài)，效率高，但輸出功率較小。飽和區(qū)所交的點位于過壓區(qū)，動態(tài)特性曲線與當(dāng)CCECCcmC E SCEBEPicvVVVvbvgRa ) ))( )m i nm i nm a xd????????廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院 《 高頻電路 》 第 6章 Po ic vCE Rp 欠壓區(qū) 過壓區(qū) 臨界區(qū) Rp 欠壓區(qū) 過壓區(qū) 臨界區(qū) Icm1 ICo c?P= Pc vBEmax Vcm 1）欠壓區(qū) ???????????????????? 001100110m a xP2121 PPPIIVVIVPIVPRIVIIicCcmCCcmccmcmCCCPcmcmcmCC?幾乎不變幾乎不變，幾乎不變（略減少）R2） IC0、 Icm Vcm與 RP的特性曲線 3） P=、 Po、 Pc、 ηc與 RP的特性曲線 廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院 《 高頻電路 》 第 6章 Po ic vCE Rp 欠壓區(qū) 過壓區(qū) 臨界區(qū) Rp 欠壓區(qū) 過壓區(qū) 臨界區(qū) Icm1 ICo c?P= Pc vBEmax Vcm 2） IC0、 Icm Vcm與 RP的特性曲線 3） P=、 Po、 Pc、 ηc與 RP的特性曲線 2）過壓區(qū) ??PR 進(jìn)入過壓區(qū) ? 余弦脈沖頂部下凹， PcmcmcmCc RIVIIi 110m a x , ??????? 幾乎不變（ 略 有 上 升 ）CCcmCcmccmcmoCCC VVIIIVPIVP ??????????0110 2121 ?變 化 緩 慢 ，oDC PPP ??變化緩慢。 過壓區(qū) 欠壓區(qū) VCES gcr 臨界區(qū) gd ? ? ? vCEmin C）過壓工作狀態(tài) 弦脈沖。三線相交于一點。動態(tài)特性曲線與當(dāng)CCECCcmC E SCEBEPicvVVVvbvgR ) ) a)m i nm i nm a xd??????VCES 廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院 《 高頻電路 》 第 6章 vBEmax 2. 高頻功放的負(fù)載特性 vBE iC ? VBB ? VBZ vBE C??C?iC C?C??gC Vbm ? vBEmax iCmax vCE iC VCC ? Q vCEmin ? 1) 當(dāng) CCV 、 BBV 、 bmV 不變時，動態(tài)特性曲線與負(fù)載 PR 的關(guān)系。 過壓區(qū) 欠壓區(qū) A）欠壓工作狀態(tài) 極電壓利用不充分。 bmBZBBcc osVVV ???)( c1m a x1cm ??CiI ? )c o s1(m a x cbmcC Vgi ??)(21)( )(2121 c1c10c1cmCCcmoc ???? ???? gIIVVPP ???????????Pcmcmcmo RIIVP 2 11 2121 ??CECCcmpcmCBEbmBB vVVRIivVV ?????????????? 1 個參數(shù)。 高頻功率放大器的動態(tài)特性與負(fù)載特性 各極電壓對工作狀態(tài)的影響 工作狀態(tài)的計算 (估算 )舉例 廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院 《 高頻電路 》 第 6章 因此，下面分析四個參數(shù) Rp和電壓 VCC 、 VBB、 Vbm的變化 對工作狀態(tài)的影響，即諧振功放的動態(tài)特性，從而闡明各種工 作狀態(tài)的特點，為工作狀態(tài)的調(diào)整提供參考。 2. iC 脈沖最大時， vCE最小。 因而回路選出基波電壓 1cu ，而濾除各次諧波電壓。 1）基波時，電路發(fā)生諧振，諧振阻抗 P21P2PP )() RNNRpRw ?????Z（1110 ???????? n w LRwLRwL ，即當(dāng) QN1 C N R N1 N R’p C ?????? ??? j w nCj nw LRpnw 1//)() 2PZ（說明回路對高次諧波呈容性阻抗 LQwRCLR 0P ???)1() 2Pn w Cn w Lj n w Cn w Lpnw???Z（ )()1( 22 Q w LpQn nj ???wPZQnnj )()1( 2 ???12 ?LCw2）諧波 nw時，阻抗 Rp 廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院 《 高頻電路 》 第 6章 結(jié)論：回路阻抗對于各次諧波來說，它們的值與諧振于 基波的值相比，小到可以忽略的程度。 廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院 《 高頻電路 》 第 6章 ?n2. 01. 00 . 50. 40. 30. 20. 1020 ? 40 ? 60 ? 8 0 ?10 0 ??c?1?01 8 0 ?120 ? 160 ??1?0?0?1?2?3 1 40 ? 尖頂脈沖的分解系數(shù) )c o s1)(1(s i nc o sc o ss i n2)(c2ccccm a x ???????? ??????nnnnniICc mn尖頂余弦脈沖的分解系數(shù) 還可以根據(jù) 的數(shù)值查表求出各分解系數(shù)的值。 % 選頻回路 高頻 丁 (D) 開關(guān)狀態(tài) 90%~100% 選頻回路 高頻 戊 (E) 開關(guān)狀態(tài) 90%~100% 選頻回路 高頻 廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院 《 高頻電路 》 第 6章 飽和區(qū) 過壓區(qū) 放大區(qū) 欠壓區(qū) 截止區(qū) o360??A類： o180??B類： o180??C類： BvciBBV? VBZ ? Q ? C?C??tVV ?c o sbmBBB ???vtVV ?c o sbmBQB ??vtVV ?c o sbmBBB ???v 獲得高效率所需要的條件 功率關(guān)系 晶體管特性曲線的理想化及其解析式 集電極余弦電流脈沖的分解 折線分析法 廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院 《 高頻電路 》 第 6章 低頻功放與高頻功放（丙類）的工作原理 tVVvV ?c o sbmBBbBBBE ????v1）低功放 tV ?co sbmb ?vtIRVRiV CC ?c o scmCCCCCCE ????vtI ?c o scmC ?itVVvV ?c o sbmBBbBBBE ??????v2）高功放 tV ?co sbmb ?v?cCCCE ??? vVv??Ci?c ?v+ RC E E E E 廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院 《 高頻電路 》 第 6章 1. 轉(zhuǎn)移特性曲線的理想化 ? ? 常量?? CEvBEC vfi飽和區(qū) 過壓區(qū) 放大區(qū) 欠壓區(qū) 截止區(qū) BEvciBBV? VBZ VBZ：截止偏壓、起始電壓 硅 =~、鍺 =~ 常量?????CEvBECc vigk???????BZBEBZBEBZBEcC VvVvVvgi 0 )(2. 輸出特性曲線的理想化 ? ? 常量?? BEvCEC vfi vCE iC 0 vBE 飽和區(qū) 過壓區(qū) 放大區(qū) 欠壓區(qū) 截止區(qū) CEC vgi cr? 為了求 iC和 vCE， 先把晶體管特性曲線理想化 常量?????BEvCECcr vigk 選取 vBE為參變量是因為晶體管的輸入電 壓是正弦或是余弦，由于管子輸入特性 的 非線性，所得的輸入電流 iB就不是正弦或 余弦了，為了避免輸入特性的非線性，常 以 vBE作參量測出輸出特性。 θ 360176。 50% 電阻、變壓器 低頻 乙 (B) θ= 180176。 諧振功率放大器的工作原理 晶體管諧振功率放大器的折線近似分析法 晶體管功率放大器的高頻特性 高頻功率放大器的電路組成 概述 戊類 (E類 )功率放大器 寬帶高頻功率放大器 功率合成器 晶體管倍頻器 丁類 (D類 )功率放大器 廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院 《 高頻電路 》 第 6章 1. 諧振（高頻）功放與非諧振（低頻）功放的比較 工作頻率 相對頻帶寬 負(fù)載 工作 狀態(tài) 效 率 分析 方法 共同點 低功放 高功放 低頻 (音頻 ) 20Hz～ 20kHz 高頻 (射頻 ) 10 00m inm a x ?ff2k10 k200??fBW3minmax ?ffAM廣播信號 : 535kHz ～ 1605kHz 1001k1000k100