【正文】 酸性腐蝕液由硝酸（ HN03），氫氟酸（ HF），及一些緩沖酸（ CH3COCH， H3P04）組成。 1腐蝕：指經(jīng)切片及研磨等機(jī)械加工后，晶片表面受加工應(yīng)力而形成的損傷層，通常采用化學(xué)腐蝕去除。 1研磨：指通過(guò)研磨能除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的曲度、平坦度與平行度，達(dá)到一個(gè)拋光過(guò)程可以處理的規(guī)格。 光伏電源系統(tǒng)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 1倒角：指將切割成的晶片稅利邊修整成圓弧形，防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。 切片：指將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄晶片。 平邊或 V 型槽處理：指方位及指定加工，用以單晶硅捧上的特定結(jié)晶方向平邊或 V型。 外徑磨削：由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比最終拋光晶片所規(guī)定的直徑規(guī)格大，通過(guò)外徑滾磨可以獲得較為精確的直徑。切斷的設(shè)備：內(nèi)園切割機(jī)或外園切割機(jī)。反復(fù)上述工藝直到達(dá)到要求為止。這一過(guò)程稱之為尾部生長(zhǎng)。 尾部生長(zhǎng)：在長(zhǎng)完等徑部分之后，如果立刻將晶棒與液面分開(kāi)，那么效應(yīng)力將使得晶棒出現(xiàn)位錯(cuò)與滑移線。 等徑生長(zhǎng)：長(zhǎng)完細(xì)頸和肩部之后，借著拉速與溫度的不斷調(diào)整，可使晶棒直徑維持在正負(fù) 2mm 之間，這段直徑固定的部分即稱為等徑 部分。縮頸生長(zhǎng)是將籽晶快速向上提升，使長(zhǎng)出的籽晶的直徑縮小到一定大?。?46mm）由于位錯(cuò)線與生長(zhǎng)軸成一個(gè)交角，只要縮頸夠長(zhǎng)，位錯(cuò)便能長(zhǎng)出晶體表面，產(chǎn)生零位光伏電源系統(tǒng)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 錯(cuò)的晶體。 縮 頸生長(zhǎng)：當(dāng)硅熔體的溫度穩(wěn)定之后，將籽晶慢慢浸入硅熔體中。雜質(zhì)種類有硼，磷，銻，砷。 1檢測(cè)：用太陽(yáng)能檢測(cè)儀器逐個(gè)檢測(cè)太陽(yáng)能組件的電流轉(zhuǎn)換情況，合格品仔細(xì)按要求包裝，清點(diǎn)后入庫(kù)；不合格品退回組裝起點(diǎn)，重新組裝。主要原料： H2S04， H202， HF， NH4HOH， HCL。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。主要原料：拋光液由具有 Si02 的微細(xì)懸硅酸膠及 NaOH（或 KOH 或 NH40H）組成，分為粗拋漿和精拋漿。拋光的設(shè)備：多片式拋光機(jī)，單片式拋光機(jī)。（ B）堿性腐蝕，堿性腐蝕液由 KOH 或 NaOH加純水組成。腐蝕的方式：（ A）：酸性腐蝕，是最普遍被采用的。研磨的設(shè)備：研磨機(jī)（雙面研磨），主要原料：研磨漿料（主要成份為氧化鋁，鉻砂，水），滑浮液。 光伏電源系統(tǒng)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 1倒角：指將切割成的晶片稅利邊修整成圓弧形破裂及晶格缺陷產(chǎn)生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。 切片：指將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄晶片。 平邊或 V 型槽處理：指方位及指定加工，用以單晶硅捧上的特定結(jié)晶方向平邊或 V型。 外徑磨削：由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比最終拋光晶片所規(guī)定的直徑規(guī)格大，通過(guò)外徑滾磨可以獲得較為精確的直徑。切斷 的設(shè)備：內(nèi)園切割機(jī)或外園切割機(jī)。反復(fù)上述工藝直到達(dá)到要求為止。這一過(guò)程稱之為尾部生長(zhǎng)。于是為了避免。單晶硅片取自于等徑部分。 放肩生長(zhǎng)：長(zhǎng)完細(xì)頸之后，須降低溫度與拉速，使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小。由于籽晶與硅熔體場(chǎng)接觸時(shí)的熱應(yīng)力，會(huì)使籽晶產(chǎn)生位錯(cuò)，這些位錯(cuò)必須利用縮勁生長(zhǎng)使之消失掉。 熔化：加完單晶硅原料于石英堝內(nèi)后，長(zhǎng)晶爐必須關(guān)閉并抽成真空后充入高純氬氣使之維持一定壓力范圍內(nèi)，然后打開(kāi)石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度（ 1420℃）以上，將單晶硅原料熔化。由于 EVA 膜在電池的背面，陽(yáng)光不能直射，可有效延緩 EVA的老化過(guò)程，同時(shí)雙層玻璃封裝也提高了非晶硅電池的使用壽命 ，加之嚴(yán)格的多道測(cè)試工序和完善的 IS09001 質(zhì)量管理體系保證了產(chǎn)品的可靠性。系數(shù)設(shè)計(jì)和配置計(jì)算時(shí)應(yīng)考慮這些較高值及太陽(yáng)輻射較大時(shí)出現(xiàn)的峰值。 1 61 46 643 1253 37 表 63 電池組件其他特性 組件系統(tǒng)電壓 600V 組件測(cè)試條件 ,100mw/cm2， 250℃ 組件使用溫度 － 40℃至＋ 55℃ 組件溫度系數(shù) 功 率 － %／℃ 開(kāi)路電壓 － %／℃ 短路電流 ＋ %／℃ 電池出廠時(shí)，產(chǎn)品初始實(shí)際功率比標(biāo)稱功率高出 15%－ 20%。 1 59 44 643 1253 37 38(45)H/G643 1253 38177。 1 57 42 643 1253 37 34(43)H/G643 1253 34177。最小尺寸可達(dá) 30 30 3（ mm），并且可根據(jù)用戶需求制作特殊規(guī)格的電池組件。 光伏電源系統(tǒng)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 生產(chǎn)的非晶硅太陽(yáng)電池組件在標(biāo)準(zhǔn)測(cè) 試條件（ STC）下，其系列額定功率穩(wěn)定值為： 32W， 34W， 36W， 38W 和 40W。一般所用的主要原料是單硅烷（ SiH4）、二硅烷（ Si2H6）、四氟化硅（ SiF4）等，純度要求很高。硅要求有極高的冷卻速率，用液態(tài)快速淬火的方法目前還無(wú)法得到非晶態(tài)。目前非晶硅的應(yīng)用正在日新月異地發(fā)展著，可以相信，在 不久的將來(lái)，還會(huì)有更多的新器件產(chǎn)生。與晶態(tài)硅太陽(yáng)能電池相比，它具有制備工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，原材料消耗少，價(jià)格比較便宜等優(yōu)點(diǎn)。非晶硅（ a— Si： H）是一種新興的半導(dǎo)體薄膜材料，它作為一種新能源材料和電子信息新材料，自 70年代問(wèn)世以來(lái)，取得了迅猛發(fā)展。特別是非晶態(tài)硅，在理論上和應(yīng)用方面的研究都非?；钴S。 目前最常用也是最成功的制成技術(shù)，是采用熱 分解 SiH4 氣體的氣相沈積法，在藍(lán)寶石上沈積得到晶全硅薄膜。用此種 Pn 結(jié)合制作積體電路可大量減少寄生電容與基片和布線間的電容，較利於高速化，又組件之間的間隔減少，也利于高密度化，組件之間沒(méi)有相到影響，更便於設(shè)計(jì)和布置。 光伏電源系統(tǒng)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 表 6－ 1 單（多）晶硅太陽(yáng)電池組件表 測(cè)試條件（ STC） :,100mw/cm2， 25℃ 型號(hào) 電池材料 Pm（ W） Vmpp(V) 尺寸 (mm) 15P()343 358 多晶硅 15W 343 358 20P()343 473 多晶硅 20W 343 473 28P()343 683 多晶硅 28W 343 683 58P()433 973 多晶硅 58W 433 973 120 P ()633 1393 多晶硅 120W 633 1393 85D()533 1173 單晶硅 85W 533 1173 晶體硅太陽(yáng)能 電池：太陽(yáng)能電池實(shí)用化的最重要的問(wèn)題，就是要開(kāi)發(fā)出性能與價(jià)格比“能更高的晶片”，實(shí)際上太陽(yáng)能電池成份中參與光電轉(zhuǎn)換的，僅是半導(dǎo)體表面上幾微米的薄薄一層。公司嚴(yán)格按照質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)加工太陽(yáng)電池組件，控制產(chǎn)品的每一個(gè)生產(chǎn)流程及環(huán)節(jié)，以確保優(yōu)良的產(chǎn)品性能。它特有的加工工藝能夠顯著提高太陽(yáng)電池吸收光的能力，并高效的轉(zhuǎn)換成電能，提高了轉(zhuǎn)換效率。 單（多）晶硅太陽(yáng)電池系列組件全部采用國(guó)外著名公司生產(chǎn)的單體電池片與 TPT背板。工作無(wú)噪音、無(wú)污染、不需要使用燃料，長(zhǎng)期使用可靠性高。具體的操作方法為以選用國(guó)產(chǎn)設(shè)備為主，關(guān)鍵的進(jìn)口設(shè)備為輔的方式來(lái)建設(shè)生產(chǎn)線。 例： 項(xiàng)目 4 英寸 5 英寸 切片刀厚 650 750 硅片厚度 525 625 損耗率 % % 從單晶硅棒到拋光片的損耗還包括切片過(guò)程中的崩邊、裂縫 ,磨片過(guò)程中的碎片和缺口，堿腐蝕過(guò)程中的沾污、花斑、拋光等過(guò)程中的碎片劃傷造成的損耗，具體如下：切片 5%、倒角 1%、磨片 5%、腐蝕 2%、退火 2%、拋光 5%、清洗 2%，此間損耗率約為 20%。 項(xiàng)目 4 英寸 5 英寸 標(biāo)稱直徑 100mm 125mm 拉晶直徑 106mm 131mm 磨削損耗 % % 拉制參考損耗 % % 合計(jì)損耗 % % 光伏電源系統(tǒng)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 從多晶硅 單昌硅棒總損耗率： 4英寸約為 % 5 英寸約為 % B、單晶硅棒 — 單晶硅拋光片 單晶硅棒加工成單晶硅拋光片過(guò)程中損耗主要在切片工序，如采用內(nèi)園切割機(jī)在切割過(guò)程中由于刀片的研磨及切片過(guò)程中刀片的擺動(dòng)造成，此間的損耗約 34%－ 35%，如采用線切割機(jī)則損耗較小。 例： 此外，由于單晶硅的電阻率范圍、電阻率均勻性、雜質(zhì)種類、缺陷狀態(tài)等參數(shù)在不同客戶的要求下，都會(huì)對(duì)成品的實(shí)收率有影響，即使是同一規(guī)格的產(chǎn)品，不同廠家生產(chǎn)該產(chǎn)品的合格率也會(huì)不同。 單晶整形過(guò)程中（外徑磨削工序）由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比最終拋光晶片所規(guī)定的直徑 規(guī)格大，通過(guò)外徑磨削可以獲得較為精確的直徑。 損耗：?jiǎn)尉Ю仆戤吅蟮膱宓琢霞s 15％。雜質(zhì)的種類依電阻的 N 或 P型）放入石英坩堝內(nèi)溶化而成的料。 目前國(guó)內(nèi)主要采用 CZ 法 CZ 法主要設(shè)備： CZ生長(zhǎng)爐 CZ 法生長(zhǎng)爐的組成元件可分成四部分 ①爐體：包括石英坩堝，石墨坩堝，加熱及絕熱元件，爐壁 ②晶棒及坩堝拉升旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)：包括籽晶夾頭，吊線及拉升旋轉(zhuǎn)元件 ③氣氛壓力控制：包括氣體流量控制，真空系統(tǒng)及壓力控制閥 ④控制系統(tǒng)：包括偵測(cè)感應(yīng)器及電腦控制系統(tǒng) A．多晶硅 —— 單晶硅棒 多晶硅加工成單晶硅棒過(guò)程中：如產(chǎn)生損耗是重?fù)綀?底料、頭尾光伏電源系統(tǒng)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 料則無(wú)法再利用，只能當(dāng)成冶金行業(yè)如煉鐵、煉鋁等用作添加劑；如產(chǎn)生損耗是非重?fù)綀宓琢?、頭尾料可利用制成低檔次的硅產(chǎn)品，此部分應(yīng)按邊角料征稅。 CZ 法所以比 FZ 法更普遍被半導(dǎo)體工業(yè)采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片強(qiáng)化的優(yōu)點(diǎn)。 CZ 法生長(zhǎng)出的單晶硅，用在生產(chǎn)低功率的集成電路元件。 （ 2）加工工藝 多晶硅加工成單晶硅棒： 多晶硅長(zhǎng)晶法即長(zhǎng)成單晶硅棒法有二種： CZ（ Czochralski）法 FZ（ FloatZone Technique）法 目前超過(guò) 98%的電子元件材料全部使用單晶硅。 單晶硅拋光片品質(zhì)規(guī)格： 單晶硅拋光片的物理性能參數(shù)同硅單晶技術(shù)參數(shù) 厚度（ T） 200－ 1200um 光伏電源系統(tǒng)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 總厚度變化（ TTV） ＜ 10um 彎曲度（ BOW） ＜ 35um 翹曲度（ WARP） ＜ 35um 單晶硅拋光片的表面 質(zhì)量：正面要求無(wú)劃道、無(wú)蝕坑、無(wú)霧、無(wú)區(qū)域沾污、無(wú)崩邊、無(wú)裂縫、無(wú)凹坑、無(wú)溝、無(wú)小丘、無(wú)刀痕等。 OISF 密度：利用氧化誘生法在高溫、高潔凈的爐管中氧化，再經(jīng)過(guò)腐蝕后觀察其密度進(jìn)行報(bào)數(shù)。 單晶硅棒品質(zhì)規(guī)格： 單晶硅棒的主要技術(shù)參數(shù) 型號(hào) P 型或 N 型 晶向 111100 電阻率 電阻率均勻性 25% 位錯(cuò)密度 無(wú)位錯(cuò) OISF 密度 500cm2 氧含量 根據(jù)客戶要求 碳含量 1ppma 主參考面取向?qū)挾? 根據(jù)客戶要求 其中電阻率、 OISF 密度、以及碳含 量是衡量單晶硅棒等級(jí)的關(guān)鍵參數(shù)，這些參數(shù)在單晶成型后即定型，無(wú)法在此后的加工中進(jìn)行改變。 多晶硅的檢測(cè)： 主要檢測(cè)參數(shù)為電阻率、碳濃度、 N 型少數(shù)載流子壽命；外型主要是塊狀的大小程度；結(jié)構(gòu)方面要求無(wú)氧化夾層；表面需要經(jīng)過(guò)酸腐蝕，結(jié)構(gòu)需致密、平整，多晶硅的外觀應(yīng)無(wú)色斑、變色，無(wú)可見(jiàn)的污染物。目前商業(yè)化的多晶硅依外觀可分為塊狀多晶與粒狀多晶。 半導(dǎo)體元件所使用的單晶硅片系采用多晶硅原料再經(jīng)由單晶生長(zhǎng)技術(shù)所生產(chǎn)出來(lái)的。 由于半導(dǎo)體技術(shù)不斷向高集成度，高性能，低成本和系統(tǒng)化方向發(fā)展，半導(dǎo)體在國(guó)民經(jīng)濟(jì)各領(lǐng)域中的應(yīng)用更加廣泛。高純度的金屬硅（≥ ％）是生產(chǎn)半導(dǎo)體的材料，也是電子工業(yè)的基礎(chǔ)材料。無(wú)定形硅為灰黑色或栗色粉末，更常見(jiàn)的是無(wú)定形塊狀，它們是熱和電的不良導(dǎo)體、質(zhì)硬，主要用于冶金工業(yè)（例如鐵合金及鋁合金的生產(chǎn)）及制造硅化物。 3 編制過(guò)程 根據(jù)現(xiàn)階段生產(chǎn)單晶 硅棒、單晶硅片加工工藝和主要加工企業(yè)的生產(chǎn)技術(shù)水平，結(jié)合國(guó)內(nèi)外同行業(yè)加工貿(mào)易生產(chǎn)實(shí)際，制定本單耗標(biāo)準(zhǔn)。由海關(guān)總署關(guān)稅征管司、國(guó)家經(jīng)貿(mào)委外經(jīng)司和國(guó)家信息產(chǎn)業(yè)部組織相關(guān)工業(yè)協(xié)會(huì)及企業(yè)的工藝、技術(shù)專家和有關(guān)海關(guān)加工貿(mào)易保稅專業(yè)技術(shù)人光伏電源系統(tǒng)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 員進(jìn)行審定。 單晶硅棒、單晶硅片加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)編制說(shuō)明 任務(wù)來(lái)源 為加強(qiáng)加工貿(mào)易單耗管理，規(guī)范和完善海關(guān)和外經(jīng)貿(mào)管理部門對(duì)單耗審批、備案、核銷，落實(shí)國(guó)務(wù)院關(guān)于加強(qiáng)對(duì)加工貿(mào)易管理的政策措施，打擊偽報(bào)單耗的不法行為，促進(jìn)加工貿(mào)易的健康發(fā)展，根據(jù)加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)制定工作聯(lián)絡(luò)小組 工作計(jì)劃，制定單晶硅棒、單晶硅片加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)。 單、損耗標(biāo)準(zhǔn) 單晶硅棒 序號(hào) 成品名稱 成品 單位 商品編號(hào) 成品 規(guī)格 原料 名稱 原料 單位 商品編號(hào) 單耗標(biāo)準(zhǔn) （ kg） 損耗率 （％） 1 單晶硅棒 Kg 28046110 4 英寸 多晶硅 Kg 28046190 2 單晶硅棒 Kg 28046110 5 英寸 多晶硅 Kg 28046190 單晶硅棒 單晶硅拋光片 序號(hào) 成品名稱 成品 單位 商品編號(hào) 成品 規(guī)格 原料 名稱 原料 單位 商品編號(hào) 單耗標(biāo)準(zhǔn) （ kg） 損耗率 （％）