微電子學(xué)概論--b03(參考版)
2025-03-10 00:38本頁面
【正文】 如 Si中摻的 B 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 施主能級 受主能級 雜質(zhì)能級：雜質(zhì)可以使電子在其周圍運動形成量子態(tài) 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 本征載流子濃度： n=p=ni np=ni2 ni與禁帶寬度和溫度有關(guān) 5. 本征載流子 本征半導(dǎo)體：沒有摻雜的半導(dǎo)體 本征載流子：本征半導(dǎo)體中的載流子 載流子濃度 電 子 濃 度 n, 空 穴 濃 度 p 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 6. 非本征半導(dǎo)體的載流子 2innp ?pn ?在非本征情形 : 熱平衡時 : N型半導(dǎo)體： n大于 p P型半導(dǎo)體： p大于 n 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 多子：多數(shù)載流子 n型半導(dǎo)體：電子 p型半導(dǎo)體：空穴 少子：少數(shù)載流子 n型半導(dǎo)體：空穴 p型半導(dǎo)體：電子 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 7. 電中性條件 : 正負(fù)電荷之和為 0 p + Nd – n – Na = 0 施主和受主可以相互補償 p = n + Na – Nd n = p + Nd – Na 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 n型半導(dǎo)體：電子 n ? Nd 空穴 p ? ni2/Nd p型半導(dǎo)體：空穴 p ? Na 電子 n ? ni2/Na 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 8. 過剩載流子 由于受外界因素如光、電的作用，半導(dǎo)體中載流子的分布偏離了平衡態(tài)分布，稱這些偏離平衡分布的載流子為過剩載流子 2innp ?公式 不成立 載流子的產(chǎn)生和復(fù)合：電子和空穴增加和消失的過程 電子空穴對：電子和空穴成對產(chǎn)
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