甘肅省冶金高級(jí)技術(shù)學(xué)院(參考版)
2025-02-14 10:04本頁面
【正文】 當(dāng)晶體管因受熱而引起的參數(shù)變化不超過允許值時(shí)，集電極所消耗的最大功率。 _β5 集 — 射極反向擊穿電壓 U（ BR） CEO 基極開路時(shí)，加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓。當(dāng) _β值下降到正常值的三分之二時(shí)的集電極電流。因此，在選管子 時(shí)，要求 ICBO盡可能小些，而 _β以不超過 100為宜。 EC 181。在室溫下，小功率鍺管的ICBO約為幾微安到幾十微安，小功率硅管在一微安以下。在估算時(shí)，常用 ββ_ ?近似關(guān)系 （ 1） （ 2） 對(duì)于同一型號(hào)的晶體管， 值有差別，常用晶體管的 β值在 20100之間。A IB=0 0 截止區(qū) UCE/V （ 3）飽和區(qū) 當(dāng) UCE〈 UBE時(shí)，集電結(jié)處于正向偏置，晶體管工作處于飽和狀態(tài) 在飽和區(qū)， IB的變化對(duì) IC的影響較小，兩者不成比例 1 3 4 3 6 9 12 IC/mA 100 80 60 40 20181。 B_C IβI ? 發(fā)射結(jié)處于正向偏置；集電結(jié)處于反向偏置 特性曲線 （ 2）截止區(qū) IB=0曲線以下的區(qū)域?yàn)榻刂箙^(qū) IB=0 時(shí)， IC=ICEO〈 對(duì) NPN型硅管而言，當(dāng) UBE〈 ，即已開始截止，為了截止可靠，常使 UBE小于等于零。A IB=0 0 2 特性曲線 晶體管的輸出特性曲線分為三個(gè)工作區(qū) ： （ 1）放大區(qū) （ 2）截止區(qū) （ 3）飽和區(qū) （ 1）放大區(qū)（線性區(qū)） 1 3 2 4 3 6 9 12 IC/mA 100 80 60 40 20181。A 80 60 40 20 UCE1 特性曲線 2 輸出特性曲線 CICEC B|)U(I ?? f 晶體管的輸出特性曲線是一組曲線。 PNP型鍺管 UBE=~。A mA V IB IC RB EC + + _ _ EB B C E 3DG6 V + _ + _ UBE UCE 特性曲線 1輸入特性曲線 ： CUBEB CE|)U(I ?? f 死區(qū)電壓： 硅管： ，鍺管 左右。 以共發(fā)射極接法時(shí)的輸入特性和輸出特性曲線為例。 UBE0,UBC0,UBC=UBEUCE,UBEUCE RB EC + + _ _ EB E B C N N P 電流分配和放大原理 發(fā)射結(jié)正偏 擴(kuò)散強(qiáng) E區(qū)多子（自由電子）到 B區(qū) B區(qū)多子（空穴）到 E區(qū) 穿過發(fā)射結(jié)的電流主要是電子流 形成發(fā)射極電流 IE IE是由擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成的 1 發(fā)射區(qū)向基區(qū)擴(kuò)散電子，形成發(fā)射極電流 IE。 （ 3）當(dāng) IB=0（將基極開路）時(shí)， IE=ICEO， ICEO 用載流子在晶體管內(nèi)部的運(yùn)動(dòng)規(guī)律來解釋上述結(jié)論。A mA mA IB IC IE RB EC + + _ _ EB B C E 3DG6 共發(fā)射極接法 電流分配和放大原理 晶體管電流測(cè)量數(shù)據(jù) IB/mA 0 IC/mA
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