塑料電鍍工藝知識(shí)培訓(xùn)(參考版)
2025-02-10 10:17本頁(yè)面
【正文】 改善對(duì)策： A、降低電流； B、分析缸液濃度對(duì)缸液濃度進(jìn)行調(diào)整； C、 C、檢測(cè)缸液溫度將溫度管控在正常范圍。 改善對(duì)策： A、減少鍍銅電流； B、分析缸液濃度對(duì)缸液濃度進(jìn)行調(diào)整； C、檢測(cè)缸液溫度將溫度管控在正常范圍。 改善對(duì)策： A、增加鍍鉻電流； B、分析缸液濃度對(duì)缸液濃度進(jìn)行調(diào)整； C、檢測(cè)缸液溫度將溫度管控在正常范圍。 改善對(duì)策： A、規(guī)范水缸水質(zhì)的更換擦洗頻率； B、加強(qiáng)掉缸工件和過(guò)濾機(jī)的管理； C、調(diào)試缸液的光亮劑水平達(dá)到平衡狀態(tài)。 改善對(duì)策：檢查導(dǎo)電臂與帶電起落銅排的接觸情況。 改善對(duì)策： A、減少沉鈀時(shí)間； B、提高解膠濃度或增加解膠時(shí)間或更換解膠液； C、降低化學(xué)鎳（銅）活性。 改善對(duì)策： A、保證化學(xué)鎳和焦銅后清洗水水質(zhì)的潔凈； B、用廢料對(duì)光銅藥水進(jìn)行連續(xù)電解； C、加強(qiáng)過(guò)濾； D、改善注塑。 改善對(duì)策： A、提高粗化液各組分濃度至工藝上限； B、提高鈀水中氯化鈀濃度至工藝上限或增加浸泡時(shí)間； C、降低解膠濃度或縮短解膠時(shí)間或更換解膠液； D、提高化學(xué)鎳（銅）中主鹽和還原劑濃度或有廢料拖缸。 2023/2/26 信邦集團(tuán) 49 ? X代鎳 主要成分及含量： 鉻酸酐 （ 260290g/l） 硫酸（ 1~3g/l） Cr3+（ ~） 操作條件： 溫度 42~48℃ ； 陽(yáng)極 鉛板 作用：代替鍍鎳鍍層和三元合金鍍層形成光亮防腐性、耐磨性的外觀裝飾層 。此時(shí)鎳離子放電，這些液珠同時(shí)也分散吸附在工件表面，凡吸附點(diǎn)上都沒(méi)有鎳沉積。在鍍液溫度上升到某個(gè)臨界值時(shí)（濁點(diǎn) ) 就析出，變成小液珠。 在高濃度的硫酸鎳鍍液中加入某些表面活性物質(zhì)，這些物質(zhì)具有反常的水溶解性能，溶解度隨溫度上升而降低。 2023/2/26 信邦集團(tuán) 46 1珍珠鎳 主要成分及含量：珍珠鎳 I號(hào) 硫酸鎳 NiSO4 （ 400450g/l） 氯化鎳 NiCl2 （ 3545g/l） 硼酸 H3BO3 （ 4050g/l） PH值（ ） 開(kāi)缸時(shí)添加量 :走位劑 SSA（ 1ml/L） 開(kāi)缸劑 SSB（ 3ml/L）、輔助劑 SSC（ 1ml/L）細(xì)沙 SS1 （ ）粗沙 S1（ ） 2023/2/26 信邦集團(tuán) 47 ? 珍珠鎳 II號(hào) ? 硫酸鎳 NiSO4 （ 360370g/l） ? 氯化鎳 NiCl2 （ 3545g/l） 硼酸 H3BO3 （ 4050g/l） ? PH值（ ） ? 走位劑 SSA（ ）、開(kāi)缸劑 SSB（ ）、輔助劑 SSC（ ）細(xì)沙 SS1（ ）（粗沙 S1（ ） 2023/2/26 信邦集團(tuán) 48 ? 操作條件：溫度 5058℃ 陽(yáng)極 鎳角 攪拌 磁力泵 4轉(zhuǎn) /小時(shí)以上 作用： 也叫沙丁鎳，啞鎳，緞面鎳等等。 但六價(jià)鉻電鍍的缺點(diǎn)也是明顯的，鍍鉻的陰極電流效率極低，僅有 8%16%，打開(kāi)氫氣的析出形成了鉻霧，對(duì)環(huán)境和工人的健康造成了損害；六價(jià)鉻不能自然降解，他在生物和人體內(nèi)蓄積會(huì)造成長(zhǎng)期的危害。 ? ⑥ 缺點(diǎn)是三價(jià)鉻工藝對(duì)雜質(zhì)容忍度低，一次性投產(chǎn)成本較大，藥品價(jià)格較高。 ? ④ 鍍層為微不連續(xù)鉻鍍層，呈微孔，當(dāng)厚度為 1um時(shí)就能出現(xiàn)微裂紋結(jié)構(gòu)，進(jìn)行俄羅斯泥腐蝕測(cè)試（氯化鈣測(cè)試）比六價(jià)鉻鍍層表現(xiàn)出較強(qiáng)抗腐蝕性。 ? ② 鍍液有較好的分散能力和覆蓋能力，可以電鍍形狀較復(fù)雜的零件。 從下面的金相圖片可見(jiàn)，半光鎳層金屬為柱狀晶體，而光鎳層金屬為層狀晶體，兩者互成垂直，對(duì)外界腐蝕性物質(zhì)起到一定的阻擋作用 。 ? 2023/2/26 信邦集團(tuán) 37 ④ 電流密度 第一組 第二組 備注 半光鎳和光鎳電流密度 電流密度 5A/dm2 電流密度 2A/dm2 除半光鎳、光鎳外，其他工序參數(shù)完全相同 半光鎳時(shí)間 20min 40min 光鎳時(shí)間 12min 20min 厚度（ um） 半光鎳： ； 半光鎳： ； 光 鎳： ； 光 鎳： ； 電位差（ mV） 93 /28 98 / 23 微孔數(shù) 約 15000個(gè) 約 15000個(gè) 16h 10 10 32h 9 9 48h 8 8 64h 7 8 80h 6 7 2023/2/26 信邦集團(tuán) 38 ? 由上表數(shù)據(jù)可看出，在厚度、電位差、微孔數(shù)等均相當(dāng)?shù)那疤嵯?，低電流密度的產(chǎn)品抗腐蝕功能要比高電流密度的產(chǎn)品高 12個(gè)級(jí)別。 ? 封口鎳厚度：要求在 ~。 ? 一般微孔密度在 500010000個(gè) /cm2時(shí)耐蝕性開(kāi)始提高，在 2023040000個(gè) /cm2時(shí)耐蝕性顯著提高，在 80000個(gè) /cm2以上鍍層光澤下降明顯，影響外觀。 ? 如果封口鎳與光鎳之間電位差過(guò)低或者甚至出現(xiàn)封口鎳的電位低于光鎳的電位，則腐蝕在封口鎳層橫行展開(kāi)，致使表面的鉻層坍塌，表現(xiàn)出較明顯腐蝕點(diǎn)。 BrNi + + + + + + + + + +
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