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畢業(yè)設(shè)計(jì)論文-基于dsp的pci采集卡設(shè)計(jì)(參考版)

2024-11-20 18:02本頁(yè)面
  

【正文】 下面介紹以 SEEDXDS USB 型接口仿真器的驅(qū)動(dòng)程序的安裝過(guò)程。主要用于建立 CCS 集成開(kāi)發(fā)環(huán)境與目標(biāo)板或 simulator 之間的通訊接口。代碼調(diào)試工具的作用是對(duì) DSP 程序及系統(tǒng)進(jìn)行調(diào)試,使之能夠達(dá)到設(shè)計(jì)目標(biāo)。 可編程 DSP 芯片的開(kāi)發(fā)需要一套完整的軟 、 硬件開(kāi)發(fā)工具, DSP 芯片的開(kāi)發(fā)工具可以分為代碼生成工具和代碼調(diào)試工具兩大類(lèi)。在設(shè)置好一個(gè)寄存器后,必須等待一段時(shí)間才能設(shè)置后一個(gè)寄存器的值。 南京工程學(xué)院自動(dòng)化學(xué)院本科畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 26 AD 轉(zhuǎn)換程序設(shè)計(jì)流程 AD 轉(zhuǎn)換 程序主要完成對(duì)模擬數(shù)據(jù)的采集,并將采集到的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的數(shù)字信號(hào),在 AD 對(duì)采集到的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換結(jié)束后,以中斷的方式通知 DSP芯片,然后 DSP 芯片響應(yīng)中斷并將 AD轉(zhuǎn)換得到的數(shù)據(jù)傳輸?shù)綌?shù)據(jù)存儲(chǔ)器 SRAM 進(jìn)行 存儲(chǔ),便于上位 PC 機(jī)通過(guò) PCI 接口芯片 CH365 讀數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中的內(nèi)容,并作出相應(yīng)的處理。 主程序設(shè)計(jì)流程圖 數(shù)據(jù)采集 系統(tǒng)的主程序主要完成一下幾個(gè)功能,初始化 DSP芯片,啟動(dòng) AD轉(zhuǎn)換芯片并調(diào)用 AD轉(zhuǎn)換程序,待 AD轉(zhuǎn)換結(jié)束后,將轉(zhuǎn)換得到的數(shù)據(jù)傳輸?shù)?SRAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。然后由 AD器件向 DSP發(fā)送中斷,啟動(dòng) AD模數(shù)轉(zhuǎn)換。 在用戶(hù)程序中,首先將 DSP的中斷全部關(guān)閉,然后對(duì) DSP本身及外圍器件進(jìn)行初始化,對(duì) DSP工作主頻、內(nèi)部時(shí)鐘、等待周期、內(nèi)部定時(shí)器工作方式、多通道串口、模擬多路開(kāi)關(guān)首通道的切入等進(jìn)行配置,使它們能以最佳的方式與 DSP 交換信息、執(zhí)行 DSP 指令。 用戶(hù)程序編寫(xiě) 并 調(diào)試完畢之后,通過(guò) DSP仿真器燒寫(xiě)到 Flash中。 TMS320VC5409DSP芯片在加電復(fù)位后處于預(yù)先設(shè)定的狀態(tài),無(wú)論 是 狀態(tài)寄存器還是控制寄存器都 有 一個(gè)確定的數(shù)值。 DSP芯片 初始化與設(shè)置 DSP芯片的初始化 是 設(shè)定 DSP芯片工作狀態(tài)的重要步驟,只有正確進(jìn)行 DSP芯片的初始化,才能保證芯片的正常運(yùn)行。 模塊化設(shè)計(jì)與程序段的編寫(xiě) TMS320C5409 DSP芯片的匯編語(yǔ)言指令集支持大量的信號(hào)處理和一般運(yùn)算,并提供了多種高效的指令,可以大大提高程序的運(yùn)行效率。在本次設(shè)計(jì)當(dāng)中, DSP系統(tǒng)的軟件部分包括 DSP芯片的初始化, AD轉(zhuǎn)換 程序、 DA轉(zhuǎn)換 程序、讀寫(xiě)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器程序、讀寫(xiě)程序存儲(chǔ)器 程序 。基于同樣的硬件系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)相同的算法,不通的程序的執(zhí)行效率與可靠性就 有所不同。信號(hào)指示燈 主要 包括: +5V的電源指示燈(電路板供電正常)、電源轉(zhuǎn)換輸出 ( I/O 供電正常)、電壓轉(zhuǎn)換輸出 (核供電正常)以及其他信號(hào)指示燈。 系統(tǒng)板上可加入信號(hào) 燈,用于指示最小系統(tǒng)的電源情況。時(shí)鐘模式引腳CLKMD CLKMD CLKMD3 上拉為 1,設(shè)置為邏輯 1,而時(shí)鐘引腳 X1 和X2/CLKIN 外接晶振。 一般情況下, TMS320VC5409 引腳配置主要有: 需要注意的是其中 DSP的 EMU0 和 EMU1 引腳都需要上拉電阻,推薦阻值為 10KΩ。 在實(shí)際的設(shè)計(jì)當(dāng)中,只需要將對(duì)應(yīng)的信號(hào)線(xiàn)直接相連就 可以實(shí)現(xiàn)仿真器對(duì)DSP 的訪(fǎng)問(wèn)。 其中,各個(gè)信號(hào)定義如下: VCC—— JTAG口的芯片管腳; TDI——測(cè)試數(shù)據(jù)輸入,數(shù)據(jù)通過(guò) TDI輸入 JTAG口; TDO——測(cè)試數(shù)據(jù)輸出,數(shù)據(jù)通過(guò) TDO從 JTAG口輸出; TCK——測(cè)試時(shí)鐘輸入; TCK_RET——來(lái)自目標(biāo)系統(tǒng)的返回時(shí)鐘信號(hào); EMU0——仿真器中斷 0信號(hào)引腳 南京工程學(xué)院自動(dòng)化學(xué)院本科畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 22 EMU1——仿真器中斷 1信號(hào)引腳 可選引腳 TRST——測(cè)試復(fù)位,輸入引腳,低電平有效 ; CLKIN——時(shí)鐘信號(hào)輸入。在實(shí)驗(yàn)室的現(xiàn)有硬件條件下,系統(tǒng)仿真器的接口滿(mǎn)足 標(biāo)準(zhǔn)的14 腳 JTAG 接口。 圖 擴(kuò)展雙端口 SRAM JTAG 仿真接口設(shè)計(jì) 連接測(cè)試組( JTAG, Joint Test Action Group)接口主要用于連接最小系統(tǒng)板和仿真器,實(shí)現(xiàn)仿真器對(duì) DSP 的訪(fǎng)問(wèn), JTAG 接口的連接需要和仿真器上的接口一致。其與 CH365側(cè)的接口設(shè)計(jì)如下: 將雙端口 SRAM 的地址總線(xiàn)和數(shù)據(jù)總線(xiàn)直接與 CH365 相連,片選信號(hào)接地,讓雙端口 SRAM 始終處于 選通狀態(tài), CH365 通過(guò) MEM_WR 引腳信號(hào)對(duì)雙端口SRAM 進(jìn)行寫(xiě)操作, MEM_RD 引腳信號(hào)對(duì)雙端口 SRAM 進(jìn)行讀操作。采用第一種方式,即采用雙端口 SRAM 的方式,以大數(shù)據(jù)塊為單位進(jìn)行雙向數(shù)據(jù)傳輸交換。 一般情況下, PC 機(jī)通過(guò) CH365 與單片機(jī)或者 DSP 進(jìn)行雙向數(shù)據(jù)傳輸,可以使用四種方式:一是使用雙端口 SRAM,讓單片機(jī)或者 DSP 和 CH365 能夠讀 寫(xiě)同一塊數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)器,以大數(shù)據(jù)快為單位進(jìn)行雙向數(shù)據(jù)傳輸交換;二是使用雙向緩沖接口芯片 CH421,分別為 CH365 寫(xiě)單片機(jī)和單片機(jī)寫(xiě) CH365 提供 64 字節(jié)緩沖區(qū),以 64 字節(jié)的數(shù)據(jù)塊為單位進(jìn)行雙向數(shù)據(jù)交換;三是使用 8255 或者CH361MCU 提供的異步數(shù)據(jù)交換,以一個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)為單位進(jìn)行雙向數(shù)據(jù)交換;南京工程學(xué)院自動(dòng)化學(xué)院本科畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 21 四是以半字節(jié)或者位數(shù)據(jù)交換為主的低速傳輸,不需要增加額外的硬件成本。 CH365 擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 CH365 通過(guò) MEM_RD 和 MEM_WR 引腳信號(hào)與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 (CY7C135)連接。 CH365 擴(kuò)展 ROM 的一般接口設(shè)計(jì)如下: 圖 CH365 擴(kuò)展 ROM 接口設(shè)計(jì)框圖 上圖中采用 CH365 的地址總線(xiàn)和數(shù)據(jù)總線(xiàn)直接和 ROM 芯片 CY27512 連接,MEM_RD 信號(hào)引腳作為 ROM 芯片的讀寫(xiě)控制信號(hào)。 在本次數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)當(dāng)中, CH365 擴(kuò)展 ROM,除了在 ROM 空間中存儲(chǔ)上述的設(shè)備 ID 以及相關(guān)的寄存器配置等信息外 。通常情況下 CH365支持 EPROM和閃存 Flash Memory,容量為 32KB或者 64KB。以便在 PCI總線(xiàn)能正常工作。 CH365 的一般應(yīng)用 PCI 總線(xiàn) 與其他主流總線(xiàn)相比,速度更塊,實(shí)時(shí)性更好,可控性更佳,所以 PCI 總線(xiàn)目標(biāo)接口芯片 CH365 適用于 高速實(shí)時(shí)的 I/O 控制卡、通訊接口卡、數(shù)據(jù)采集卡、電子盤(pán)等等。 CH365 的存儲(chǔ)器空間占用 32KB,偏移地址是 0000H~ 7FFFH,可以全部提供給外部設(shè)備使用,實(shí)際存儲(chǔ)器地址是存儲(chǔ)器基地址加上偏移地址。 南京工程學(xué)院自動(dòng)化學(xué)院本科畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 19 CH365 寄存器設(shè)置 一般情況下 PC 機(jī)中包括三種空間:存儲(chǔ)器空間、 I/O 空間、配置空間。 CH365 工作模式設(shè)定 CH365 工作模式設(shè)定 的具體方法如下:將本地 8 位數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn) D0~D7 采用上拉或者下拉的方式設(shè)定為所需要的高電平或者低電平, CH365 被復(fù)位后 更新這些信號(hào)線(xiàn)的默認(rèn)狀態(tài)設(shè)定工作模式以及相關(guān)參數(shù);而這些信號(hào)線(xiàn)在作為 8 位數(shù) 據(jù)總線(xiàn)被驅(qū)動(dòng)時(shí),由于一般外部設(shè)備的驅(qū)動(dòng)電流不小于 1mA,所以上拉或者下拉不會(huì)影響其對(duì)數(shù)據(jù)總線(xiàn)的驅(qū)動(dòng);另外, CH365 僅在被復(fù)位后 的 1us 內(nèi)一次性設(shè)定工作模式及參數(shù),所以,如果外部設(shè)備的驅(qū)動(dòng)能力很小或者是 OC 集電極開(kāi)路驅(qū)動(dòng),則可以在復(fù)位后的短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)下拉,而在其余時(shí)間屏蔽下拉或者轉(zhuǎn)換為上拉。 在數(shù)據(jù)傳輸方面, CH365 支持以字節(jié)、字或雙字為的單位對(duì) I/O 端口或者存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫(xiě), 非 突發(fā)式 存取的實(shí)測(cè)速度可高達(dá) 7Mb/s,讀寫(xiě)脈沖寬度從30ns 到 240ns 可選。 CH365 主要特點(diǎn) : PCI 接口芯片 CH365 能實(shí)現(xiàn) 實(shí)現(xiàn)基于 32 位 PCI 總線(xiàn)的從設(shè)備接口( Slave)。 PCI 接口芯片 CH365 簡(jiǎn)介 CH365是南京沁恒電子有限公司 設(shè)計(jì) 的一個(gè)連接 PCI總線(xiàn)的通用接口芯片,支持 I/O 端口映射、存儲(chǔ)器映射、擴(kuò)展 ROM 以及中 斷。 目前實(shí)現(xiàn) PCI 接口得有效方案有兩種:使用可編程邏輯器件和使用專(zhuān)門(mén)接口芯片。 南京工程學(xué)院自動(dòng)化學(xué)院本科畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 18 PCI 接口設(shè)計(jì) PCI 簡(jiǎn)介 PCI 總線(xiàn)( 外圍器件連接總線(xiàn) ) 是先進(jìn)的高性能 32/64 位局部總線(xiàn),可同時(shí)支持多組外圍設(shè)備,不受制于處理器,數(shù)據(jù)吞吐量大( 32 位時(shí)峰值高達(dá)132Mb/s),并能完全兼容現(xiàn)有的 ISA/EISA/MAC 等擴(kuò)展總線(xiàn)。雙端口 SRAM映射在 DSP 的外部數(shù)據(jù)區(qū),其 外部地址映射在 DSP 數(shù)據(jù)區(qū)的 8000H~ FFFFH 范圍 ,構(gòu)成 4K*8 的存儲(chǔ)空間,用于與外部交換數(shù)據(jù)。 因此 ,雙端口 SRAM 可以直接和 DSP 芯片相連,而不需要考慮電平轉(zhuǎn)換問(wèn)題。 在本次設(shè)計(jì)當(dāng)中,兼顧系統(tǒng)的性能和通訊的要求,采用雙端口靜態(tài) RAM作為數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器擴(kuò)展。 常用的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器分為靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM 和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 DRAM。由于在本次設(shè)計(jì)中需要通過(guò) PCI 總線(xiàn)與上位 PC 機(jī)通訊。 圖 TLV1571 單極性連接 圖 TLV1571 雙極性連接 圖 TLC7528 接口設(shè) 計(jì) 使用地址譯碼器 74LS138 的 Y1 輸出端口作為 TLC7528 的片選信號(hào),使用 DSP 的 R/W 引腳控制 TLC7528 的寫(xiě)信號(hào), DSP 和 TLC7528 的數(shù)據(jù)總線(xiàn)直接相連 ,對(duì)于 TLC7528 采用雙極性輸出方式。 RFBA 和 OUTA 是選擇輸出極性引腳,不同的接法對(duì)應(yīng)單極性輸出或者雙極性輸出。控制輸入端 DACA和 DACB為輸出通道選擇信號(hào),如果只使用一個(gè)輸出 DACA,直 接將此引腳和片選信號(hào)相連。 在對(duì) TLC7528 進(jìn)行片選的時(shí)候,由于整個(gè)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)采用了數(shù)模轉(zhuǎn)換和模數(shù)轉(zhuǎn)換作為 DSP 的 IO 擴(kuò)展,為此,在對(duì)數(shù)模轉(zhuǎn)換芯片 TLC7528 進(jìn)行片選的時(shí)候,采用地址譯碼器進(jìn)行譯碼的方式來(lái)對(duì) TLC7528進(jìn)行片選。當(dāng) TLC7528工作電壓為 5V時(shí),其數(shù)字輸入與 TTL 電平和 CMOS 電平兼容。在此方式下, TLC7528 的輸入鎖存器是 透明 的,從 D0~ D7數(shù)據(jù)總線(xiàn)輸入的數(shù)據(jù)將直接影響 TLC7528 模擬輸出,直到片選信號(hào)和讀寫(xiě)信號(hào)再次變?yōu)榈碗娖綖橹埂? TLC7528 通過(guò)數(shù)據(jù)總線(xiàn)、片選信號(hào)、讀寫(xiě)控制信號(hào)以及乘法 DA 轉(zhuǎn)換器等控制信號(hào)與微處理器接口。 當(dāng) TLC7528 轉(zhuǎn)換器工作時(shí),二進(jìn)制加權(quán)電流在轉(zhuǎn)換器的輸出端與AGND(模擬地)之間切換,以確保每一個(gè)梯形電阻網(wǎng)絡(luò)分支電流恒定,且與開(kāi)關(guān)狀態(tài)無(wú)關(guān)。 TLC7528 包括兩個(gè)相同的 8bit 乘法 DA 轉(zhuǎn)換器 DACA 和 DACB。 TLC7528 是寬電壓供電方式,供電電壓在 5V~ 12V 之間 ,功耗低于15mW。控制輸入端DACA 和 DACB 決定數(shù)據(jù)裝載到哪一個(gè) DA。 TLC7528是雙通道、 8bit、并行數(shù)模轉(zhuǎn)換芯片,具有獨(dú)立的片內(nèi)數(shù)據(jù)鎖存器。達(dá)到對(duì)測(cè)控對(duì)象進(jìn)行控制的目的,是測(cè)控系統(tǒng)當(dāng)中模擬輸出通道的一部分。 Flash 的寫(xiě)操作相對(duì)復(fù)雜些,它需要一串命令字許列,寫(xiě)入 Flash 的命令寄存器來(lái)完成相應(yīng)的命令,并逐頁(yè)進(jìn)行編程,同時(shí)清除已有的程序。 需要注意的是, DSP 在每讀取一個(gè)數(shù)據(jù)后,必須在片選信號(hào)或讀寫(xiě)信號(hào)引腳上給出一個(gè)上升沿標(biāo)志。 第 6 個(gè)周期,數(shù)據(jù)讀周期結(jié)束,首先將 Flash 的片選信號(hào)置為高電平。 第 4 個(gè)周期, Flash 數(shù)據(jù)總線(xiàn)輸出數(shù)據(jù)。 第 2 個(gè)周期,將 Flash 的片選信號(hào)置為低電平,選通 Flash 芯片,此 時(shí) Flash 將地址信號(hào)鎖存。 基于以上幾個(gè)方面的綜合考慮, FLASH 與 DSP 的接口電路如圖 所示: 圖 DSP 與 FLASH 的接口 如圖 所示 的 接口電路采用了 R/W 分時(shí)復(fù)用的原理,當(dāng) DSP 的 R/W信號(hào)為低電平時(shí)即寫(xiě)信號(hào)有效時(shí),可以對(duì) Flash 進(jìn)行寫(xiě) 操作;當(dāng) DSP 的 R/W信號(hào)為高電平時(shí),即讀信號(hào)有效時(shí),通過(guò)反相器反相為低電平,可以對(duì)Flash 進(jìn)行讀操作。 SST29LE010 的主要技術(shù)指標(biāo)如下:高可靠性、快速寫(xiě)操作、低功耗、兼容性好(可以兼容 TTL 電平和 CMOS 電平)、單一 電壓供電,可以直接和 DSP 相連、達(dá)到 JEDEC(電子器件工程聯(lián)合會(huì))標(biāo)準(zhǔn)的 FLASH EEPROM 管腳輸出和命令集。 南京工程學(xué)院自動(dòng)化學(xué)院本科畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 14 FLASH 的選擇主要考慮以下幾個(gè)方面的因素:可靠性、容量、讀寫(xiě)時(shí)間、寫(xiě)周期和擦除周期功耗以及和 DSP 芯片的兼容性。 FLASH 存儲(chǔ)器與 EPROM相比,具有更高的性?xún)r(jià)比,而且體積小、功耗低、可電擦寫(xiě)、使用方便,并且 FLASH 的工作電壓為 ,可直接與 DSP 芯片連接。 編程操作:當(dāng)編程電源加到規(guī)定的電壓 時(shí) ,片選和讀允許端加入要求的電平,通過(guò)編程器可將數(shù)
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