【正文】 若 為 SDR場 景要求 GU兩 側(cè) RRU模 塊 工作制式都 為 GU模式 ,GU側(cè) 修改如 帶寬 修改截 圖 G側(cè) MML設(shè) 置如下： MML命令： ADD BTSRXUBRD: IDTYPE=BYID, BTSID=0, BT=MRRU, RXUSPEC=RRU3936, RXUNAME=RRU3936, RXUCHAINNO=0, RXUPOS=1, ISCONFIGTHD=NO。通 過 CME配置界面 設(shè) 置：在 CME中打開指定 Active area的 Main View 選 定需配置的 NodeB基站的“ 設(shè)備 面板 ” 選 定需配置的射 頻 模 塊 ，點(diǎn) 擊 右 鍵選 定“ RXU 屬性 ”，修改如下 圖 所示參數(shù)。對應(yīng) 的 CME配置界面：在 CME中打開指定 Active area的 Main View 選 定需配置的 “UMTS小區(qū) ” 選 定“ 算法參數(shù)配置 ”中的“ 小區(qū)高速上行包接入?yún)?shù)配置 ”，改如下 圖 所示參數(shù)。參 見步 驟 3。 ● “最小上行覆蓋 負(fù)載門 限” 為 13dB（95%）。 ● “抗干 擾調(diào) 度開關(guān)” 為 “ON(開 )”。 Page 55 特性數(shù)據(jù)配置 UMTS側(cè)降干擾配置 ● 開啟 HSUPA抗干 擾調(diào) 度 （先不開 ） STEP(1)使用 NodeB MML命令【 SET MACEPARA】，設(shè) 置 Mace參數(shù)， 對應(yīng) 的 CME配置界面：在 CME中打開指定 Active area的 Main View 在 選 定需配置的 NodeB基站點(diǎn) 擊 右 鍵選 定“ 無 線層 ” 點(diǎn) 擊 按 鈕“Mace參數(shù) ” 在“ 小區(qū)算法參數(shù) ”界面中 查 看并修改參數(shù)。 Page 54 ● 開啟非 連續(xù)發(fā) 射（ DTX） STEP(2)可 選 （當(dāng)配置下行 DTX時 需要配置 該 參數(shù)）， 執(zhí) 行 MML命令【 SET GCELLSOFT】，設(shè) 置“下行DTX策略” 為 “BSC策略”。如當(dāng)前 進(jìn) 行的是半速率呼叫 業(yè)務(wù) ，則對應(yīng)設(shè) 置“半速率呼叫上行 DTX”為 “Shall_Use(應(yīng)該 使用 )”，“半速率呼叫下行 DTX”為 “YES(是 )”。 MML命令： 修改小區(qū)索引 為 12的 III代功率控制參數(shù)，開啟 III代功控 優(yōu) 化算法： SET GCELLPWR3: IDTYPE=BYID, CELLID=12, PWRCTRLOPTIMIZEDEN=YES。 Page 52 ● 開啟 華為 III代功控 優(yōu) 化算法 STEP(3)使用 BSC6900 MML命令【 SET GCELLPWR3】設(shè) 置“ III代功控 優(yōu) 化算法開關(guān) ”為 “YES(是 ) ”。如系 統(tǒng) 已開啟 華為 III代功控，步 驟 2跳 過 。通過 CME配置界面 設(shè) 置：在 CME中打開指定 Active area的 Main View 選 定需配置的 GSM 小區(qū)的“ 小區(qū)網(wǎng) 優(yōu) 參數(shù)配置 ” 選 定“ 小區(qū)功率控制參數(shù)配置 ”中的“ 小區(qū)功率控制基本參數(shù) ”，修改如下 圖 所示參數(shù)。 MML命令： 修改小區(qū) 12的功率控制基本參數(shù)，啟用上下行功率控制： SET GCELLBASICPARA: IDTYPE=BYID, CELLID=12, UPPCEN=YES, DNPCEN=YES。 Page 49 ● 開啟 積 枀功控 STEP (2)使用 BSC6900 MML命令【 SET GCELLBASICPARA】設(shè) 置“上行功率控制允 許 ”為 “YES(是 )”，“下行功率控制允 許 ”為 “YES(是 )” (注：是否開啟上 /下行功控可根據(jù) 實(shí)際 需要而定 )。通 過CME配置界面 設(shè) 置：在 CME中打開指定 Active area的 Main View 選 定需配置的 GSM 小區(qū)的“ 小區(qū)網(wǎng)優(yōu) 參數(shù)配置 ” 選 定“ 小區(qū)功率 控制參數(shù) 配置 ”中的“ 小區(qū)功率控制基本參數(shù) ”，修改如下 圖 所示參數(shù)。 （SRAN共柜制式 間 射 頻 模 塊 獨(dú)立制式工作，獨(dú)立制式射 頻 模 塊 的柜框槽要獨(dú)立 編 號； SRAN SDR共模射 頻 工作雙模制式下， SDR射 頻 模 塊 柜框槽號在制式 間 要 統(tǒng) 一 編 號，且一 級 /二 級駐 波門 限 值 必 須設(shè) 置一致。 ?注意： 對 于 NodeB 默 認(rèn)為 工程態(tài) ，NodeB與 M2023首次建 鏈 后，基站不能自 動 回 滾為 Normal狀態(tài) ，需要人工通 過 M2023設(shè) 置為 Normal狀 態(tài) 。如果不是，需要先升 級軟 件到目 標(biāo) 版本 。 Page 42 對于部分場景需要提升 G900鄰頻對 對于一些特殊場景需要降低 GSM900網(wǎng)內(nèi)下行干擾也可以通過開啟該特性改善，對于 ，相關(guān)激活詳見 FPD指導(dǎo)書。 GSM側(cè)控制器控制，量綱為 GBTS站； UMTS側(cè) NodeB控制，量綱為 NodeB站。按照“多模特性制式分拆”的原則，以及“銷控一致”的原則， LICENSE策略為： ● 控制項(xiàng)為資源控制項(xiàng)，量綱為站。 (已合入 CPRI MUX特性 ) BSC/RNC V900R014C00SPH522_2（對外版本 SPH535） MBTS V100R007C01SPC231 （含 GBTS BTS3000V300R014C01SPC01 NodeB V200R014C01SPC221） ATAE iManager ATAETOOLOSMU V100R002C00SPC220 M2023 V200R012C01SPC240 CME V200R012C01SPC230+CP2301 注： UMTS NodeB在 ，從 MBTS版本中下獲取WCDMA單制式 NodeB版本。匯 聚方 UMTS配置無 仸何 變 更 ，與正常配置一 樣 。 CPRI MUX組網(wǎng)場景下，匯聚方必須先完成 RRU配置后，被匯聚方的 RRU配置才成生效。 CPRI MUX僅支持單 BBU內(nèi) CPRI MUX，不支持跨 BBU框 CPRI MUX。 CPRI MUX使用限制 : CPRI MUX僅支持 GTMUb（ GTMUa不支持）作為被匯聚方， WBBPf及 UBBP單板 作為 匯聚方 ， MRFU不支持 CPRI MUX CPRI MUX僅支持 6槽位到 2或 6槽位到 3槽位的匯聚，不能支持 6槽位同時匯聚到 3槽位。 GSM上行數(shù)據(jù)： 3號槽位 WBBPf將 GSM的數(shù)據(jù)分離出來通過背板轉(zhuǎn)發(fā)到 6號槽位 GTMU。如圖所示 ,匯聚示意圖 : GSM下行數(shù)據(jù)： 6號槽位 GTMU將所有的 GSM數(shù)據(jù)通過背板匯聚到 3號槽位 WBBPf。 當(dāng) BBU中配置多塊基帶板時，同制式 0/1的數(shù)據(jù)通過背板先轉(zhuǎn)發(fā)至 2/3槽位，再完成 6到 2/3槽位制式間匯聚。也不利于后續(xù)擴(kuò)容，建議新頻 RRU單獨(dú)再 起一個鏈，或采用星型連接。 2. 采用 U2100 RRU級聯(lián) U900 RRU方案， 因?yàn)? CPRI支持 8個 2Rx小區(qū)，如果原來聯(lián)通 3扇區(qū)是 RRU級聯(lián)組網(wǎng)，那么如果再級聯(lián) 900M RRU。 2. NeType的枚舉值如下： BSC BSC6000 BSC6900 GSM BSC6000(R11+) 基站建設(shè)方案關(guān)鍵點(diǎn) 我司 2G存量老基站場景：采用 SDR基站替換老基站； 我司 2G存量 BTS3900場景：采用 SDR基站替換老基站； 搬遷友商 2G或者我司 2G/3G空白農(nóng)村地區(qū)：采用 SDR基站替換友商設(shè)備； 天饋系統(tǒng)根據(jù)工程條件和成本，采用新建、合路或者共用 (限 SDR基站 ) RNC 3012 /3X等老基站 /友商 G SM基站 + UMTS NodeB 3900共柜 3900 SDR雙模 BSC 2G 3G 共享 新增天饋 /同頻合路器 /合路器 天饋利舊 ?MRFU V2(1*80W)單 板采用 MSR標(biāo) 準(zhǔn)，支持 單 PA下 GU載 波共存， 1G+1U配置可以達(dá)到 GSM 40W/TRX，UMTS 40W/C，2G+1U配置可以達(dá)到 GSM 20W/TRX，UMTS 40W/C（以后不 發(fā)貨 ） ?RRU3936（1*80W）模 塊 采用 GU共 PA配置 (MSR) ?SDR射 頻 模 塊 一 級 和二 級駐 波比 門 限 GSM、UMTS制式 間 必 須設(shè) 置一致 ?制式 間 的功率配比 請 參考 對應(yīng) 模 塊 的功率配置 表，插入共主控解決方案 Page32 Page 33 基站建設(shè)方案關(guān)鍵 點(diǎn) 特殊解決方案 特殊功率配比方案： 為了滿足搬遷 GSM原網(wǎng)大功率場景的需求， R16版本進(jìn)行加載特殊補(bǔ)丁方案可支持 3936的規(guī)格 G1（ 50W） +U1（ 30W）的配置，如有需求的局點(diǎn)可單獨(dú)與總體組溝通 Page 34 基站建設(shè)方案關(guān)鍵 點(diǎn) 特殊解決方案 FAN Slot0 Slot4 UPEU/ UEIU18 Slot1 Slot5 Slot2 Slot6 UPEU19 UBBPb1 UMPT(U900+2100) U900+U2100共主控解決方案作為特殊的解決方案，如有辦事處需要采用需聯(lián)系系統(tǒng)部產(chǎn)品部接口：蘇文禧 /00310043確認(rèn) U900+U2100共主控解決方案需要注意以下幾點(diǎn)： 1. 現(xiàn)網(wǎng) U2100的基帶板主要是 WBBPb/WBBPd/WBBPf單板， U900基帶板為 UBBPb1單板，如果有站點(diǎn) 是從 WBBPb板出 CPRI光纖的，建議替換成 UBBPd板。 2. 根據(jù)聯(lián)通現(xiàn)網(wǎng)的網(wǎng)元類型， NEType的枚舉值如下 BSC6810(R11+) BSC6900 UMTS DBS3900 WCDMA BTS3900 WCDMA BTS3900A WCDMA BTS3900L WCDMA BTS3902E WCDMA 3G CORBA告警接口 1. 上層網(wǎng)管根據(jù)網(wǎng)元類型過濾掉 2G 網(wǎng)元的告警。 制式 北向告警接口 變更方法 2G 告警字符流接口 1. 在 M2023上按照 NEType過濾掉 3G的網(wǎng)元。如果上 層 網(wǎng)管已 經(jīng) 開 發(fā) ，則 0工作量。 目前聯(lián)通 GSM/