【正文】 EXIT謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH。電路CMOS1TTL＞ 相當于輸入邏輯 ROFF時RI當輸入端外接電阻 CMOS因此電路抗干擾能力很強。2VDDUNHVDD UNLUOHVUIH?? 或門和或非門與門和與非門多余輸入端接地或與有用輸入端并接多余輸入端接正電源或與有用輸入端并接EXITUIL≤UOFFUIH≥UONUIL≤USLUIH≥USH通常 以保證有較大的噪聲容限噪聲容限越大，則電路抗干擾能力越強?！?　 數字電路中的信號有高電平和低電平兩種取值，高電平和低電平為某規(guī)定范圍的電位值，而非一固定值。電路多余輸入端不允許懸空。(4)信號 的正確使用 TTL 普通門 (具有推拉式輸出結構 )的輸出端不允許直接并聯(lián)實現線與 。三態(tài)輸出門的輸出端也可并聯(lián)，用來實現總線結構，但三態(tài)輸出門必須分時使能。(2)輸出端的連接 開路門的輸出端可并聯(lián)使用實現線與 ，還可用來驅動需要一定功率的負載。 V， 以便與 TTL門多用 V。~系列用 62 1535% )； CMOS4000TTL電路只能用＋ 5 因此， CMOS CT74LS 集成電路 兩個系列的工作頻率和負載能力都已達到 和 系列工作速度低，負載能力差，但功耗極低、抗干擾能力強，電源電壓范圍寬，因此，在工作頻率不高的情況下應用很多。系列。 CMOS4000EXITCMOS系列性能更優(yōu)于 系列功耗 延遲積很小、性能優(yōu)越、品種多、價格便宜，實用中多選用之。 系列功耗最小， CT74ASCT74ALS先進低功耗肖特基系列。低功耗肖特基系列、 CT74AS高速系列、CT74S標準系列、CT74L數字集成電路主要有 開關時間主要由電荷存儲效應引起，要提高開關速度，必須降低三極管飽和深度，加速基區(qū)存儲電荷的消散。 V，UCE(sat)? ， 這時，硅管的 ≥0， 集電極和發(fā)射極之間相當于開關斷開；飽和條件為 0， iCiB0UBEV＜ 管 的截止條件為 　 　 硅 門電路的 學習重點是常用集成門的邏輯功能、外特性和應用方法。CMOS BCABCYEXIT門電路是組成數字電路的基本單元之一，最基本的邏輯門電路有與門、或門和非門。Y 的與非表達式畫邏輯圖=AB Y =101 110。否則 Y 表示，且規(guī)定需報警時 Y 為 表示。表示，否則用 A、 B、 C 表示，且規(guī)定有火災探測信號時用 為了防止誤報警，只有當其中兩種或三種探測器發(fā)出探測信號時，報警系統(tǒng)才產生報警信號，試用與非門設計產生報警信號的電路。A + B因此，用或非門實現的或門電路為Y =Y =Y =2A + B　　將或非門多余輸入端與有用端并聯(lián)使用構成非門Y =A Y =Y =(3)3A實現 Y =A A + B =A + B因為 3AB因此，用與非門實現的與門電路為Y =Y =Y =個與非門實現之[例 ] 試分別采用與非門和或非門實現與門和或門。時門門懸空≥門懸空EXIT可用兩級電路 時EN =AVDDENYd= AB EN =門YcBTTL==門(a) (b) (c) (d)VDDCMOS門 TTLEXIT解：三、集成邏輯門電路應用舉例 [例 ] 試改正下圖電路的錯誤，使其正常工作。以下、要求較強驅動能力的場合。20以下、驅動能力要求不高的場合； HCMOS1CMOS4000電路。若要求功耗低、抗干擾能力強，則應選用MHz。系列，其工作頻率一般可至 MHz；如工作頻率較高，可選用 系列，它的功耗較小，工作頻率一般可用至 目前多用 TTL扇出系數大 V)??電源電壓范圍寬 功耗極低 TTLTTL， HCMOSCMOS4000強。電路的驅動能力比 電路的扇出系數大是由于其負載門的輸入阻抗很高，所需驅動功率極小， 并非 EXIT一、 CMOS 門 電路比之 TTL 的主要特點 CMOSTTL 可與使用輸入端并聯(lián)使用。集成邏輯門使用要點 2.電源電壓越高，抗干擾能力也越強。5CMOS系列EXIT1.高速CC54CC74TT按 電源電壓 不同分為 系列 /74HCCC54HC兼容VDD表示與 62VDD軍品 電源電壓越高，抗干擾能力越強。/??/?由于 CMOS電路 提高速度措施：減小MOSMHz；驅動能力強。=62VDD系列 )系列(又稱 MHz；驅動能力差 。=153VDD系列 功耗極低、抗干擾能力強；電源電壓范圍寬 AENEXIT三、 CMOS 數字集成電路應用要點 (一 )CMOS反相器工作。導通，呈現低電阻，不影響 和 0因此構成使能端低電平有效的三態(tài)門。均截止，輸出端 1CMOS(四 )CMOSEN 和 管 和 管 在反相器基礎上串接了 傳輸門 EXIT的縮寫 TransmissionTGEXITPMOSCuI/uOVDDCMOS傳輸 門電路結構uO/uIVPCNMOSVN 傳輸門是一個理想的 雙向開關，可傳輸模擬信號 ，也可傳輸 數字信號 。1uI； C =時，傳輸門開通， uO1， C =uI，稱傳輸門開通。 uO時， VN、VP~=C = uI時， VN、VP~=C = CMOSMOS傳輸門 工作原理 PMOSNMOSRDEXITC、 C 為互補控制信號 AB構成與門 門相似，常用作驅動器、電平轉換器和實現線與等。與 ODCMOSABVDDVPBVPAVNA VNBY或非門結構特點：驅動管相并聯(lián) ，負載管相串聯(lián) 。ABEXIT2. CMOS低電平時：0截止導通1因此 　當輸入中有CMOS與非門結構特點：驅動管相串聯(lián) ，負載管相并聯(lián) 。管為負載管。 NMOS管和 PMOS每個輸入端對應一對 ABVDDVPB VPAVNAVNBY與非門和或非門 1. CMOS為低電平。0VDDuOIH,時， 截止，導通， O VDD0UIL導通，VPUGS(th)NVDD時，uGSN=輸入為高電平 襯底襯底截止uGSP+導通uGSN+◎ VDD導通，導通uGSP+uO0V截止uGSN+VNUIL=0V輸入為低電平， UIL◎ 反相器靜態(tài)功耗極微小。因此 ?中總有一管截止，使靜態(tài)漏極電流 反相器。非門，又稱 ROFFRONNROFFPuO+VDDSDDS可見該電路構成 B(二 )工作原理 ROFFNRONPuO+VDDSDDS導通電阻 VDDEXITAuIYuOVDDSGDDGSVP襯底 V， UIH=PMOSPMOS時 ,管導通增強型 NMOSNMOSUGS(th)N管導通uGSN時，增強型 PMOS結始終反偏。管的襯底接電路最低電位， PMOS管的襯底接最高電位，從而 保證襯底與漏源間的 NMOSUGS(th)NUGS(th)N管(負載管 )構成互補對稱結構一、 CMOS 反相器 (一 )電路