pcba生產(chǎn)注意事項(xiàng)講義(參考版)
2025-01-03 01:43本頁(yè)面
【正文】 VIA TECHNOLOGIES, INC.謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH。 IC製程技術(shù)不斷創(chuàng)新 ,相對(duì)地 。 EOS不良都是很明顯的接合線開路、燃燒痕跡 。VIA TECHNOLOGIES, INC.第第 6 章章 IC故障分析故障分析 ( Failure Analysis )，需做失效分析。 565. 工廠環(huán)境維持濕度在 40%RH 以上。 563. 建立靜電安全工作站、區(qū)。 b. 穿導(dǎo)電衣。 a. 戴靜電環(huán) (接地帶 ) (註：靜電放電時(shí)，約在 1181。250 KΩ 3 地氈接地線到接地 1MΩ 177。 項(xiàng) 目 電 阻 值 1 腕帶到插頭 / 夾子 1MΩ 177。 572. 確保有效地執(zhí)行 ESD防護(hù)及 每日點(diǎn)檢 。 555. ESD 不良品分析圖片：The SEM photograph of the contact burn out at ESD protection circuit of pad 60 (Lvref) forVT3091A devicePad60(Lvref)Poly gatePoly gatea. VT3091A ESD_HBM pad60(Lvref) failb. VT3091A ESD_HBM pad63(VCC2) failThe OM and SEM photograph of the poly burn out at pad63 (VCC2) for VT3091A devicePad63(VCC2)Pad63(VCC2)Poly layer e. 濕度低 (30% RH , 如在寒冷乾燥環(huán)境 )。 c. 工作站未 接地。 a. 作業(yè)員未戴 靜電環(huán) (接地帶 )接觸 IC。VIA TECHNOLOGIES, INC. 552. ESD保護(hù)線路不適當(dāng)。 及 本表節(jié)錄自美國(guó)國(guó)防部，軍規(guī)手冊(cè) (MILSTD)VV 600V 100V走過粗帆布 12,000 V 250VIA TECHNOLOGIES, INC.55. ESD 的起因： 551. 不適當(dāng)描述零件對(duì) ESD的敏感度。 d. 設(shè)備漏電檢查 (注意 :高電力設(shè)備 如錫爐 ,清洗機(jī) , 電烙鐵 ….. ) 。 b. 無(wú)鬆動(dòng)連接。 c. 在重要位置要使用保險(xiǎn)絲。 544. 用好的電源供應(yīng)器 (SPS) a. 過電壓防護(hù) (注意 → +5V輸出：應(yīng)在 ~ )。 d. 確認(rèn)排除 /降低大於 200 mv的雜訊。 b. 從零件供應(yīng)商取得最安全的定額率，以確保它們完 全不會(huì)被過度驅(qū)動(dòng)。 543. 確保適當(dāng)?shù)販y(cè)試 IC、基板 …… 等。VIA TECHNOLOGIES, INC.54. EOS的預(yù)防 541. 建立和裝置適當(dāng)?shù)墓ぷ鞒绦?。Burnout c. 電源線管理不當(dāng)或未注意防止線材絕緣不良 ,造成漏電。 535. 無(wú)適當(dāng)?shù)脑O(shè)備保養(yǎng)和電源監(jiān)測(cè) a. 設(shè)備未接地 (注意 :如 SMT/CLEANING/ICT設(shè)備 …. ) 。 d. 暫態(tài)抑制不足。 b. 無(wú)過電壓 (over voltage)保護(hù)線路。 c. 電壓力測(cè)試設(shè)計(jì)不當(dāng) ，致預(yù)燒 (BurnIn)對(duì)敏感零件產(chǎn)生過應(yīng)力。 533. 不適當(dāng)?shù)販y(cè)試零件或基板 a. 快速切換開關(guān)。 d. 基板裝配品，系統(tǒng)未完全連結(jié)就供電 。 b. 零件方向錯(cuò)誤。 Distribution of failure modes in silicon ICsEOS 46%ESD 6%EOS/ESD 6%Design, Process Assembly Related 25%Recovered 17%Source : RADC, USA. 525. ESD會(huì)引起潛在的不良 (如短路造成漏電流 100181。 EOS和 ESD所導(dǎo)致的 不良佔(zhàn)前三位 ( IC Product)。VIA TECHNOLOGIES, INC.第第 5 章製程章製程 ESD / EOS 防護(hù)技術(shù)防護(hù)技術(shù)51. EOS : 電壓過應(yīng)力 (Electrical Over Stress) ESD : 靜電放電 (Electrostatic Discharge)52. EOS / ESD 簡(jiǎn)介： (EOS)和靜電放電 (ESD)是造成金屬氧化 物半導(dǎo)體 (CMOS)最普通的故障模式。溫度設(shè)定： 240?C加熱時(shí)間： 3分鐘冷卻時(shí)間： 1分鍾目檢 BGA否有漏球或錫球溶錫不良於清潔液浸泡 2分鐘並以乾布擦拭。使用烙鐵與吸錫線去除錫球，若有氧化的Pad，需使用錫絲使其重新沾錫。VIA TECHNOLOGIES, INC.StartIC被使用過？目檢 BGA無(wú)Popcorn？烘烤去錫球清洗植
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