pcba生產(chǎn)注意事項(xiàng)講義-預(yù)覽頁(yè)
【正文】 ? 注意 QFP / BGA REFLOW 溫度需求之差異 ? 定期性 REFLOW 溫度實(shí)測(cè)及持續(xù)檢討討焊點(diǎn)良率 ? CONVEYOR SPEED / ANGLE 控制42. BGA 並非全密封式包裝，它的結(jié)構(gòu)容易在儲(chǔ)存階段 吸入濕氣，若後在熔焊爐內(nèi)迅速加熱，封裝體內(nèi)的 濕氣被蒸發(fā)而產(chǎn)生應(yīng)力，造成封裝體裂開 (即為 “爆米花效應(yīng) ” Popcorn及 “脫層效應(yīng) ”Delamination” effect)。Rework 1Opens Poor Rework 3Opens Placement 1Opens MissingC， 8小時(shí)後 ，才可執(zhí)行移除 BGA。C,不影響鄰近零件。HRS於清潔液浸泡 2分鐘並以乾布擦拭底材。 (Rework)救回 程序流程圖： IC外形，線寬等設(shè)計(jì)越來越薄，細(xì)，使 IC更易 受 EOS及 ESD的破壞。VIA TECHNOLOGIES, INC.53. EOS的起因： 531. 不正確的工作程序 a. 無標(biāo)準(zhǔn)工作程序 ( SOP)。 532. 無 EOS管制設(shè)備，特別是在 『 雜訊 』 生產(chǎn)環(huán)境 : 故應(yīng)具備 a. 電源穩(wěn)壓器 b. 電源濾波器 ※ 在多臺(tái)高電力設(shè)備同時(shí)運(yùn)作下，交流電源線最易產(chǎn)生暫態(tài)火花。 a. 特別是轉(zhuǎn)換式電源供應(yīng)器，如設(shè)計(jì)不當(dāng)會(huì)成為 雜訊產(chǎn)生源。 e. 保險(xiǎn)絲選擇不當(dāng)，未能提供適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)。 d. 未監(jiān)測(cè)交流電源的暫態(tài)電壓或雜訊。spotGND core (Metal 3) of VT82C586B was burned out b. EOS 嚴(yán)重?zé)龤е?Chip . 圖片 (1)：c. EOS 嚴(yán)重?zé)龤е?Chip . 圖片 (2)GND and VCC of VT82C598MVP were serious burned out. a. 審查測(cè)試計(jì)劃，是否有快速切換開關(guān)，不正確的測(cè) 試程序。 e. 用突波吸收器 (surge absorber)來箝制電壓火花。 545. 工場(chǎng)須維持嚴(yán)密的設(shè)備保養(yǎng)制度 ,並定期點(diǎn)檢 : a. 設(shè)備各部份皆適當(dāng)?shù)?接地。V在工作檯工作 6,000V拿起一只塑膠套 20,000 V 1,200表 2靜電可能產(chǎn)生的電位Charged Device Model C approx. 3 pF R approx. 25 ohms (Ω) L approx. 10nHHuman Body Model C = 100 pF R = 1500 ohms (Ω)Machine ModelC = 200 pF L = μHESD Model The Human Body Model (HBM) represents a charged person touching a grounded device. It is the original model used to simulate ESD damage by a human, and is the most well known. EOS/ESD Association Standard –1993 describes use of the HBM for device classification .The Machine Model (MM) represents a worst case HBM. It provide more realistic simulation of actual damage normally obtained from a person holding a tool. EOS/ESD Association Draft Standard –1993 describes use of the HBM for device classification and has been released for ment.The Charged Device Model (CDM) simulates the damage resulting from a charged device contacting a metal grounded surface. This failure mode is very damaging and is associated with automated handling equipment and use of dip tubes. EOS/ESD Association Draft Standard –1993 describes use of the CDM for device classification and has been released for ment. b. 缺乏對(duì)所用材料的管制。 554. 缺乏 ESD警覺意識(shí)和訓(xùn)練。 573. 不斷地改善 ESD管理和易受 ESD影響的零件。250 KΩ 4 設(shè)備外殼到接地 ＜ 20 Ω 5 接地方塊到接地 ＜ 20 Ω 6 工作桌面的按扣到按扣 ＜ 20 Ω 7 銲接頭到接地 ＜ 20 Ω ★ 銲錫和去錫設(shè)備 用三用電錶量其尖部到電源線上接地插頭之間的電阻值，此值 應(yīng)小於 20 Ω彙整靜電放電保護(hù)設(shè)備的規(guī)格 56. 降低靜電電壓 的來源 561. 人 (注意：人體感染靜電可能超過 3000V)。 562. 廣泛使用抗靜電或?qū)щ姷闹苯硬牧虾烷g接材料。，不易
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