【正文】 課程總結(jié)復(fù)習(xí) : P C B 進料 磨刷 壓膜 曝光 顯影 檢修出貨 PCB進料板面雜質(zhì)氧化 磨刷後去除氧化雜質(zhì)並粗化了銅面 PCB板面均勻覆蓋一層感光阻劑 將圖形“ 1”需顯影掉的地方不曝光 (底片遮光部分 )其它處之干膜感光 顯影後“ 1”處露出銅面其這地方保留干膜 Thank you 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH 。 6）電鍍前處理液溫度過高。 5）曝光不足或顯影過頭造成抗蝕劑發(fā)毛，過緣起翹。 4）曝光過頭抗蝕劑發(fā)脆。 2）基板清洗不干凈或粗化表面不良 ,干膜粘附不牢。 加強化學(xué)鍍銅前板面的清潔處理和粗 4)鍍銅前板面粗化不夠或粗化后清洗不干凈 改進鍍銅前板面粗化和清洗 7＞鍍銅或鍍錫鉛有滲鍍 不良原因 : 解決辦法 : 1）干膜性能不良，超過有效期使用。 舊強顯影并注意 1B影后的清件 2)圖像上有修版液或污物。 5)顯影液溫度過高或顯影時間太長。 用光密度尺校正路光量或曝光時間 2)照相底版最小光密度太大，使紫外光受阻。 更換顯影液。 消除泡沫。 6)顯影液溫度太低，顯影時間太短，噴淋壓力不夠或部分噴嘴堵塞。 5)曝光時照相底版與基板接觸不良造成虛光。 4)照相底版最大光密度不夠，造成紫外 光透過，部分聚合。 3)曝光時間太長。 2)干膜暴露在白光下造成部分聚合。 4＞有余膠 不良原因 : 解決辦法 : 1)干膜質(zhì)量差，如分子量太高或涂覆干更換干膜。 4)貼膜前板子太熱。 3)貼膜溫度太高。 2)干膜太粘。 2＞干膜與銅箔表面之間出現(xiàn)氣泡 3＞干膜起皺 不良原因 : 解決辦法 : 1)兩個熱壓輥軸向不平行，使干膜受壓不均勻。 4)板面不平有劃痕或凹坑。 3)壓輥壓力太小。 2)熱壓輥表面不平有凹坑或劃傷。 調(diào)整好貼膜溫度和傳送速度，連續(xù)貼膜最好把板子預(yù)熱． 不良原因 : 解決辦法 : 1)貼膜溫度過高，抗蝕劑中的揮發(fā)成分急劇揮發(fā)，殘留在聚酯膜和覆銅箔板之間，形成鼓泡。 保持環(huán)境濕度為 50％ RH左右。 重新按要求處理板面并檢查是否有均勻水膜形成。 在低于 27℃ 的環(huán)境中儲存干膜，儲存時間不宜超過有效期。下面列舉在生產(chǎn)過程中可能產(chǎn)生的故障，并分析原因，提出排除故障的方法。我廠使用為耐酸油墨 . 蟲膠修版液配方如下： 蟲膠 100～ 150g／ 1 甲基紫 1～ 2g／ 1 用無水乙醇配制。修版時應(yīng)注意戴細紗手套，以防手汗污染板面。 上述缺陷產(chǎn)生的大體原因是：干膜本身有顆?；驒C械雜質(zhì)；基板表面粗糙或凹凸不平；操 作工藝不當(dāng)如板面污物及貼膜小皺折；照相底版及真空框架不清潔等。如果顯出點離顯影段的入口太近，已 聚合的于膜由于與顯影液過長時間的接觸，可能被浸蝕而變得發(fā)毛，失去光澤．通常顯出點控 制在顯影段總長度的 40％一 60％之內(nèi)． 顯影后要確保板面上無余膠，以 保證基體金屬與電鍍金屬之間有良好的結(jié)合力。 正確的顯影時間通過顯影點 (沒有曝光的干膜從印制板上被顯掉之點 )來確定，顯影點必須保持在顯影段總長度的一個恒定百分比上。 顯影操作一般在顯影機中進行，控制好顯影液的溫度，傳送速度，噴淋壓力等顯影參數(shù)，能夠得到好的顯影效果。 曝光定位 ◎ 1PNL/次 ,擦拭工具為貼附粘塵布之擦板 ,外形類似於水泥工整平地板之刮刀 ,可除去 PCB沉銅之疏鬆銅粉及臟物 ,防止掉落於菲林間 ,影響曝光透光性 ,造成後續(xù)短路 . ◎ 25PNL/次 ,碧麗珠清潔菲林 ,不可用酒精 , 防止傷及曝光吸真空吸嘴處之粘性 ,卻保真空度及菲林品質(zhì) ,(保持菲林光滑不粘著灰塵雜質(zhì) ) 菲林清潔 顯影機理是感光膜中未曝光部分的活性基團與稀堿溶液反應(yīng)生成可溶性物質(zhì)而溶解下 來，顯影時活性基團羧基一 COOH與無水碳酸鈉溶液中的 Na+作用，生成親水性集團一 COONa。曝光后，聚合反應(yīng)還要持續(xù)一段時間，為保證工藝的穩(wěn)定性，曝光后不要立即揭去聚酯膜，以使聚合反應(yīng)持續(xù)進行。 2)脫銷定位系統(tǒng)定位 (照相軟片沖孔器和雙圓孔脫銷定位器 ) :首先將正面、反面兩張底版藥膜相對在顯微鏡下對準；將對準的兩張底版用 軟片沖孔器于底版有效圖像外任沖兩個定位孔，把沖好定位孔的底版任取一張去編鉆孔程序， 便能得到同時鉆出元件孔及定位孔的數(shù)據(jù)帶，一次性鉆出元件孔及定位孔，印制板金屬化孔及 預(yù)鍍銅后，便可用雙圓孔脫銷定位器定位曝光。 除上述三個主要因素外，曝光機的真空系統(tǒng)及真空框架材料的選擇等也會影響曝光成像的質(zhì)量。因此照相底 版的生產(chǎn)、使用和儲存最好均在恒溫恒濕的環(huán)境中。最小光密度是指底版在紫外光中，其擋光膜以外透明片基所呈現(xiàn)的擋 光上限，也就是說，當(dāng)?shù)装嫱该鲄^(qū)之光密度Dmin小于 ，才能達到良好的透光目的。 關(guān)于光密度，要求最大光密度 Dmax大于 4，最小光密度 Dmin小于 0． 2。其原理是當(dāng)光強 I發(fā)生變化時， 能自動調(diào)整曝光時間 T， 以保持總曝光量 E不變。當(dāng)曝光時間 T恒定時，光強 I改變，總曝光量也隨之改變，所以盡管嚴 格控制了曝光時間，但實際上干膜在每次曝光時所接受的總曝光量并不一定相同，因而聚合 程度也就不同。 光能量定義的公式 E＝ IT， 式中 E表示總曝光量，單位為毫焦耳／平方厘米； I表示 光的強度，單位為毫瓦／平方厘米； T為曝光時間，單位為秒。 曝光時間的確定 在無光密度尺的情況下也可憑經(jīng)驗進行觀察，用逐漸增加曝光時間的方法，根據(jù)顯影后干膜的光亮程度、圖像是否清晰、圖像線寬是否與原底片相符等來確定適當(dāng)?shù)钠毓鈺r間。這樣選用不同的時間進行曝光便可得到不同 的成像級數(shù)。更嚴重的是不正確的曝光將產(chǎn)生圖像線寬的偏差