cell工程工藝簡介ppt課件(參考版)
2024-09-02 21:51本頁面
【正文】 裝置示意圖 Cell工藝簡介 58 。 Cell工藝簡介 54 研磨帶結(jié)構(gòu)： Cell工藝簡介 55 偏光板貼付 目的：根據(jù)屏的液晶配向方向，將偏光板的偏光軸與之重合進(jìn)行貼付。 研磨、洗凈 Cell工藝簡介 51 Cell工藝簡介 52 研磨、洗凈設(shè)備構(gòu)成 Cell工藝簡介 53 屏洗凈 目的： 偏光板帖付前除去屏上付著的異物。 ② .液晶屏玻璃端面處理，防止后續(xù)工程中出現(xiàn)缺口以及劃傷驅(qū)動 IC等。 刀片結(jié)構(gòu)： 由于垂直裂縫在切斷后無法被觀察到 ， 而它與 Rib mark有正比關(guān)系因此將 Rib mark作為考察垂直裂縫的標(biāo)準(zhǔn) 。 Cell工藝簡介 47 個片切斷 目的： 將 TFT基板和 CF基板貼合后的大型基板按制品尺寸進(jìn)行上下切斷，分割為單塊屏。 mask 熱風(fēng) Seal材充分硬化達(dá)到高信賴性，同時通過加熱再降溫使液晶 Isotropic化，進(jìn)行重新再配向 熱風(fēng)爐 （ Oven） （UV硬化 ） （本硬化 ） Cell工藝簡介 44 UV硬化原理示意 UV光照射會使 asi內(nèi)產(chǎn)生電子遷移，破壞 TFT的 Tr特性，故 采用 MASK遮擋 TFT部。 貼 合后的Array/CF基板 Vernier與 對 位 標(biāo) 志 Panel 【Vernier】 【對 位 標(biāo) 志】 X/Vernier Y/Vernier 利用畫像處理 、 自動檢測能使 A=B的位置，貼合精度以所測得的 Vernier值來表示。 6 μ m以內(nèi) Gap精度： Gap均一 到達(dá)真空度： 真空到達(dá)時間： 60秒內(nèi)達(dá)到 1Pa以下； 120秒內(nèi)達(dá)到 真空貼合 Cell工藝簡介 41 真空 Chamber（高真空） Ｓｅａｌ 液晶 Ｇｌａｓｓ Ｇｌａｓｓ 真空 Chamber（低 真空） Ｓｅａｌ 液晶 Ｇｌａｓｓ Ｇｌａｓｓ 氣泡 Ｓｐａｃｅｒ 大氣開放 大氣開放 真空貼合過程： 1. 若沒有達(dá)到要求的真空度，則貼合之后的面板會出現(xiàn) Gap不良，發(fā)生氣泡 2. 排氣速度（在液晶脫泡不充分或者排氣速度太快的情況下，會導(dǎo)致液晶飛濺出來，若飛濺到seal材上，則會導(dǎo)致 seal材接著不良，液晶泄漏。 周邊 Gap不良 Cell工藝簡介 37 Ｇａｐ値（μｍ） 測定 point Ａ Ａ’ 滴下量：少 滴下量：適正 滴下量：多 Ａ Ａ’ ＜測定 Point＞ ＢＭ 表示部 ?Ｇａｐ大 滴下量：適正 滴下量：多 滴下量：少 ?Ｇａｐ小 滴下量對盒厚（ Gap）值影響： Cell工藝簡介 38 Ｔ Ｎ I P S 球狀Ｓｐａｃｅｒ ※Cost merit 柱狀Ｓｐａｃｅｒ (CF) ※Performance (High Contrast，Gap uniformity) Ｓｐａｃｅｒ材料 球狀 Spacer 柱狀 Spacer Sample n數(shù) 面內(nèi)平均 Gap （25點(diǎn)／面） 3 3σ 面內(nèi)平均 Gap （3P／Ａｖｅ） 3 3σ （3P／Ave） ＜ Gap uniformity＞ 盒厚（ Gap）的控制 盒厚（ Gap）的相關(guān)因素 ： Spacer徑； Spacer徑； Cell工藝簡介 39 球狀 Spacer 柱狀 Spacer 量產(chǎn)品型號 模式 用途 Spacer類型 15型 TN Monitor 球狀 17型 TN Monitor 球狀 TN TV 柱狀 26型 IPS TV 柱狀 Cell工藝簡介 40 真空貼合的目的： 液晶滴下之后，在真空中將 TFT和 CF基板，在數(shù) μ m的精度范圍內(nèi)進(jìn)行貼合。 Ａｇ ｐａｄ 正常 量ＮＧ（多） ↓ 盒厚不均 Ａｇ ｐａｓｔｅ Ａｇ ｐａｓｔｅ Ａｇ涂布前 Ｐａｄ狀態(tài) Ａｇ涂布后形狀 量ＮＧ（少） ↓ 接觸 不良 Ａｇ ｐａｓｔｅ 位置ＮＧ ↓ 接觸 不良 Ａｇ ｐａｓｔｅ Ag涂布穩(wěn)定性 正常 Cell工藝簡介 34 Seal – PI – Ag涂布的位置關(guān)系： S
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