電子技術(shù)基礎(chǔ)試題(六)(參考版)

【摘要】電子技術(shù)基礎(chǔ)試題（六）一．填空題：（每題3分，共30分）1、半導(dǎo)體是一種電能力介于_______與_______之間的物體。2、2CP系列晶體二極管是_____半導(dǎo)體材料制成的。3、表征放大器中晶體三極管靜態(tài)工作點(diǎn)的參數(shù)有______、______和______。4、對(duì)于一個(gè)晶體管放大器來說，一般希望其輸入電阻要_____些，以減輕信號(hào)源的負(fù)擔(dān)，輸出電阻要______些，以增

2025-08-08 10:39

電子技術(shù)基礎(chǔ)試題(參考版)

【摘要】1電子技術(shù)基礎(chǔ)試題（滿分150分）（本試題的答案必須全部寫在答題紙上，寫在試題及草稿紙上無效）（一）模擬電路部分（75分）一、DZ為穩(wěn)壓二級(jí)管，電路如圖1所示，已知穩(wěn)壓二級(jí)管穩(wěn)壓值為6V，試確定下列條件下的VO值（10分）。（1）Vi=12V，R1=4kΩ，R2=8kΩ（2）Vi=12V，R1=4kΩ，R2

2025-01-12 03:48

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)試題(參考版)

【摘要】專業(yè)班號(hào)姓名學(xué)號(hào)題號(hào)一二三四五六七總分得分一、選擇填空（每空2分共24分）1．非線性失真與線性失真（頻率失真）的最主要差別是________。（A）非線性失真使信號(hào)波形中任一點(diǎn)的幅值沒有得到

2025-03-28 04:55

數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題(參考版)

【摘要】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題一、填空題:(每空1分，共10分)1．八進(jìn)制數(shù)()8的等值二進(jìn)制數(shù)為（）2；十進(jìn)制數(shù)98的8421BCD碼為（）8421BCD。2.TTL與非門的多余輸入端懸空時(shí)，相當(dāng)于輸入電平。3.下圖所示電路中的最簡(jiǎn)邏輯表達(dá)式為。4.一個(gè)JK觸發(fā)器有個(gè)穩(wěn)態(tài)，它可存儲(chǔ)位二進(jìn)制數(shù)。

2025-06-03 12:19

數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)—試題—填空(參考版)

【摘要】一、填空題:（每空1分，共10分）1．()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=(1)。3.三態(tài)門輸出的三種狀態(tài)分別為：高電平、低電平和高阻態(tài)。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個(gè)觸發(fā)器可以存儲(chǔ)4位二進(jìn)制數(shù)。6.存儲(chǔ)容量為4K×8位的RAM存儲(chǔ)器，其地

2025-03-28 02:54

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)試題(參考版)

【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)試題填空題1．在常溫下，硅二極管的門檻電壓約為，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為；鍺二極管的門檻電壓約為，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為。2、二極管的正向電阻小；反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。ＰＮ結(jié)外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散

2024-11-02 08:43

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)期末試題(參考版)

【摘要】填空題1．在常溫下，硅二極管的門檻電壓約為，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為；鍺二極管的門檻電壓約為，。2、二極管的正向電阻?。环聪螂娮璐?。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦浴＃校谓Y(jié)外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流大于漂移電流，耗盡層變窄。4、二極管最主要的電特性是單向?qū)щ娦?，穩(wěn)壓二極管在使用時(shí)，穩(wěn)壓二極管與負(fù)載并聯(lián)，

2025-03-29 01:56

電子技術(shù)基礎(chǔ)試題及答案(參考版)

【摘要】電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷一、填空題（20分）1、______電路和_______電路是兩種最基本的線性應(yīng)用電路。2、晶體二極管具有_______特性。3、放大電路的分析方法有______和小信號(hào)模型分析法。4、BJT的主要參數(shù)是__________。5、帶寬和________是放大電路的重要指標(biāo)之一。6、處理模擬信號(hào)的電子電路稱為_______。7、把整個(gè)電路中的元器件制

2025-08-08 10:19

數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)—試題—選擇(參考版)

【摘要】二、選擇題：(選擇一個(gè)正確的答案填入括號(hào)內(nèi)，每題3分，共30分)，找出圖中觸發(fā)器在時(shí)鐘信號(hào)作用下,輸出電壓波形恒為0的是：（C）圖。圖1，輸出端可實(shí)現(xiàn)線與功能的電路是（D）。A、或非門B、與非門C、異或門D、OC門，其多余輸入端正確的處理方法是（D）。A、通過大電阻接地（）B、懸空C、通過小電阻接地（1KΩ）

2025-03-28 02:54

電子技術(shù)基礎(chǔ)試題及答案(參考版)

【摘要】電子技術(shù)基礎(chǔ)考試試題及答案一．填空題：(每題3分,共30分)1、N型半導(dǎo)體又稱電子型半導(dǎo)體，它主要靠自由電子導(dǎo)電。2、NPN型晶體三極管工作在放大狀態(tài)時(shí)，三個(gè)極中電位最高的是c極。PNP型晶體三極管工作在放大狀態(tài)時(shí)，三個(gè)極中電位最高的是e極3、單級(jí)共射放大器對(duì)信號(hào)有放大和反相兩個(gè)作用

2025-06-26 15:16

數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題(一)(參考版)

【摘要】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題（一）一、填空題:（每空1分，共10分）1．()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=。3.三態(tài)門輸出的三種狀態(tài)分別為：、和。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個(gè)觸發(fā)器可以存儲(chǔ)位二進(jìn)制數(shù)。6.存儲(chǔ)容量為4K×8位的RAM存儲(chǔ)

2025-01-17 20:29

數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題(一)(參考版)

【摘要】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題（一）一、填空題:（每空1分，共10分）1．()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=。3.三態(tài)門輸出的三種狀態(tài)分別為：、和。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個(gè)觸發(fā)器可以存儲(chǔ)位二進(jìn)制數(shù)。

2024-10-24 09:56

電子技術(shù)基礎(chǔ)(參考版)

【摘要】《電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程學(xué)習(xí)指導(dǎo)書第14章半導(dǎo)體二極管和三極管一、選擇題：半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力（c）。(a)與導(dǎo)體相同(b)與絕緣體相同 (c)介乎導(dǎo)體和絕緣體之間P型半導(dǎo)體中空穴數(shù)量遠(yuǎn)比電子多得多，因此該半導(dǎo)體應(yīng)（c）。(a)帶正電 (b)帶負(fù)電 (c)不帶電N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是電子，因此它應(yīng)（

2025-07-27 02:53

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)試題及答案(參考版)

【摘要】1模擬試題一一、選擇填空(每空1分，共20分)1．純凈的半導(dǎo)體叫（）。摻入3價(jià)雜質(zhì)元素形成的半導(dǎo)體叫（），它主要靠導(dǎo)電（）。A．空穴B．本征半導(dǎo)體C．P型半導(dǎo)體D．自由電子2．PN結(jié)正偏時(shí)，多子的（）運(yùn)動(dòng)較強(qiáng)，PN結(jié)變薄，結(jié)電阻較（）。A．?dāng)U散B．漂移C．小D．大3．三極管有（）和（）兩

2024-10-25 19:42

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)試題及答案(參考版)

【摘要】1、工作在放大區(qū)的某三極管，如果當(dāng)IB從12μA增大到22μA時(shí)，IC從1mA變?yōu)?mA，那么它的β約為。【】A.83B.91C.1002、已知圖所示電路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，靜態(tài)管壓降UCEQ＝6V；并在輸出端加負(fù)載電阻RL，其阻值為3kΩ。選擇一個(gè)合適的答案填入空內(nèi)。（1）該電路的

2025-07-01 20:13

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