【摘要】1電子技術基礎試題(滿分150分)(本試題的答案必須全部寫在答題紙上,寫在試題及草稿紙上無效)(一)模擬電路部分(75分)一、DZ為穩(wěn)壓二級管,電路如圖1所示,已知穩(wěn)壓二級管穩(wěn)壓值為6V,試確定下列條件下的VO值(10分)。(1)Vi=12V,R1=4kΩ,R2=8kΩ(2)Vi=12V,R1=4kΩ,R2
2025-01-12 03:48
【摘要】專業(yè)班號姓名學號題號一二三四五六七總分得分一、選擇填空(每空2分共24分)1.非線性失真與線性失真(頻率失真)的最主要差別是________。(A)非線性失真使信號波形中任一點的幅值沒有得到
2025-03-28 04:55
【摘要】電子技術基礎試題(六)一.填空題:(每題3分,共30分)1、半導體是一種電能力介于_______與_______之間的物體。2、2CP系列晶體二極管是_____半導體材料制成的。3、表征放大器中晶體三極管靜態(tài)工作點的參數(shù)有______、______和______。4、對于一個晶體管放大器來說,一般希望其輸入電阻要_____些,以減輕信號源的負擔,輸出電阻要______些,以增
2024-08-16 10:39
【摘要】數(shù)字電子技術基礎試題一、填空題:(每空1分,共10分)1.八進制數(shù)()8的等值二進制數(shù)為()2;十進制數(shù)98的8421BCD碼為()8421BCD。2.TTL與非門的多余輸入端懸空時,相當于輸入電平。3.下圖所示電路中的最簡邏輯表達式為。4.一個JK觸發(fā)器有個穩(wěn)態(tài),它可存儲位二進制數(shù)。
2025-06-03 12:19
【摘要】一、填空題:(每空1分,共10分)1.()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=(1)。3.三態(tài)門輸出的三種狀態(tài)分別為:高電平、低電平和高阻態(tài)。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個觸發(fā)器可以存儲4位二進制數(shù)。6.存儲容量為4K×8位的RAM存儲器,其地
2025-03-28 02:54
【摘要】模擬電子技術基礎復習試題填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,導通后在較大電流下的正向壓降約為。2、二極管的正向電阻小;反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向導電性。PN結外加正向電壓時,擴散
2024-11-02 08:43
【摘要】電子技術基礎考試試題及答案一.填空題:(每題3分,共30分)1、N型半導體又稱電子型半導體,它主要靠自由電子導電。2、NPN型晶體三極管工作在放大狀態(tài)時,三個極中電位最高的是c極。PNP型晶體三極管工作在放大狀態(tài)時,三個極中電位最高的是e極3、單級共射放大器對信號有放大和反相兩個作用
2025-06-26 15:16
【摘要】數(shù)字電子技術基礎試題(一)一、填空題:(每空1分,共10分)1.()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=。3.三態(tài)門輸出的三種狀態(tài)分別為:、和。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個觸發(fā)器可以存儲位二進制數(shù)。6.存儲容量為4K×8位的RAM存儲
2025-01-17 20:29
【摘要】填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,。2、二極管的正向電阻小;反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向導電性。PN結外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。4、二極管最主要的電特性是單向導電性,穩(wěn)壓二極管在使用時,穩(wěn)壓二極管與負載并聯(lián),
2025-03-29 01:56
【摘要】電子技術基礎試卷一、填空題(20分)1、______電路和_______電路是兩種最基本的線性應用電路。2、晶體二極管具有_______特性。3、放大電路的分析方法有______和小信號模型分析法。4、BJT的主要參數(shù)是__________。5、帶寬和________是放大電路的重要指標之一。6、處理模擬信號的電子電路稱為_______。7、把整個電路中的元器件制
2024-08-16 10:19
【摘要】二、選擇題:(選擇一個正確的答案填入括號內,每題3分,共30分),找出圖中觸發(fā)器在時鐘信號作用下,輸出電壓波形恒為0的是:(C)圖。圖1,輸出端可實現(xiàn)線與功能的電路是(D)。A、或非門B、與非門C、異或門D、OC門,其多余輸入端正確的處理方法是(D)。A、通過大電阻接地()B、懸空C、通過小電阻接地(1KΩ)
【摘要】數(shù)字電子技術基礎試題(一)一、填空題:(每空1分,共10分)1.()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=。3.三態(tài)門輸出的三種狀態(tài)分別為:、和。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個觸發(fā)器可以存儲位二進制數(shù)。
2024-10-24 09:56
【摘要】《電子技術基礎》課程學習指導書第14章半導體二極管和三極管一、選擇題:半導體的導電能力(c)。(a)與導體相同(b)與絕緣體相同 (c)介乎導體和絕緣體之間P型半導體中空穴數(shù)量遠比電子多得多,因此該半導體應(c)。(a)帶正電 (b)帶負電 (c)不帶電N型半導體的多數(shù)載流子是電子,因此它應(
2024-08-04 02:53
【摘要】系別專業(yè)(班級)姓名學號………………………密……………………封…………………………裝…………………訂………………………線………………………數(shù)字電子技術基礎期末考試試卷課程名稱數(shù)字電子技術基礎
2025-06-25 15:04
【摘要】......電子技術基礎(模擬篇)第一章半導體二極管一、單選題1.當溫度升高時,二極管正向特性和反向特性曲線分別()。A.左移,下移B.右移,上移C.左移,上移D.右移,下移2.在PN結外
2025-03-28 06:13