寬禁帶半導(dǎo)體材料與工藝(參考版)
2024-08-16 05:08本頁面
【正文】 。由于這一特點(diǎn)，濕法腐蝕遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有干法刻蝕的應(yīng)用廣泛。當(dāng)然，在通過濕法腐蝕獲得特征圖形時，也要通過經(jīng)光刻開出的掩膜層窗口，腐蝕掉露出的表面材料。在特征圖形的制作上，已基本取代了濕法腐蝕技術(shù)。任何偏離工藝要求的圖形或尺寸，都可能直接影響產(chǎn)品性能或品質(zhì)，給生產(chǎn)帶來無法彌補(bǔ)的損害。該工藝技術(shù)的突出優(yōu)點(diǎn)在于，可以獲得極其精確的特征圖形。在半導(dǎo)體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕。從這一角度而言，刻蝕可以被稱之為最終的和最主要的圖形轉(zhuǎn)移工藝步驟。通常是在光刻工藝之后進(jìn)行。 刻蝕刻蝕是指用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程?？拷砻娴墓饪棠z被顯影液過度溶解，形成臺階。顯影的側(cè)壁不垂直，由顯影時間不足造成；（3）過度顯影（Over顯影液不足造成；（2）顯影不夠（UnderDevelopment）。清洗液為乙酸丁脂或乙醇、三氯乙烯。（2）負(fù)性光刻膠的顯影液。影液中。Resist）中包含的酚醛樹脂以PHS形式存在。膠（CAR，Chemical15～250C）。Contamination），所以在IC制造中一般不用。動離子污染（MIC，Movable正膠的顯影液位堿性水溶液。所有化學(xué)品）并旋轉(zhuǎn)甩干。一般采用多次旋覆顯影液：第一次涂覆、保持10～30秒、去除；第二次涂覆、保持、去除。化）。Development）。解率和均勻性的可重復(fù)性的關(guān)鍵調(diào)節(jié)參數(shù)。一個或多個噴嘴噴灑顯影液在硅片表面，同時硅片低速旋轉(zhuǎn)（100～500rpm）。自動旋轉(zhuǎn)顯影（AutorotationSprayDevelopment）。視場尺寸FieldShiftAxis焦深DOF：光源：KrF氟化氪DUV光源（248nm）舉例：。DefectThicknessDimensionMC）：測試光刻機(jī)上的卡盤平坦度的專用芯片，其平坦度要求非常高；（3）焦距控片（FocusMC）：用于芯片上微小顆粒的監(jiān)控，使用前其顆粒數(shù)應(yīng)小于10顆；（2）卡盤顆?？仄–huckChip）。在曝光過程中，需要對不同的參數(shù)和可能缺陷進(jìn)行跟蹤和控制，會用到檢測控制芯片/控片械系統(tǒng)的精度要求。優(yōu)點(diǎn)：增大了每次曝光的視場；提供硅片表面不平整的補(bǔ)償；提高整個硅片的尺寸均勻性。采用6英寸的掩膜板按照4：1的比例曝光，曝光區(qū)域（ExposurePrinting）。掃描步進(jìn)投影曝光（ScanningSteppingField）2222mm（一次曝光所能覆蓋的區(qū)域）。line）～（DUV）。Printing或稱作Stepper）。步進(jìn)重復(fù)投影曝光（SteppingrepeatingPrinting）。投影式曝光分類：掃描投影曝光（Scanning優(yōu)點(diǎn)：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影響減小。在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實(shí)現(xiàn)曝光。（3）投影式曝光（Projection但是同時引入了衍射效應(yīng)，降低了分辨率。掩膜板與光刻膠層的略微分開，大約為10～50μm。（2）接近式曝光（Proximity缺點(diǎn)：光刻膠污染掩膜板；掩膜板的磨損，壽命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉。掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光方法：（1）接觸式曝光（Contact如果能量和焦距調(diào)整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的圖形。另外層間對準(zhǔn)，即套刻精度（Overlay），保證圖形與硅片上已經(jīng)存在的圖形之間的對準(zhǔn)。Mark），位于切割槽（Scribe現(xiàn)在正膠的應(yīng)用已經(jīng)成為主流，因?yàn)檎z可以提供更好的圖形控制。經(jīng)過曝光之后，感光劑發(fā)生分解，使得曝光區(qū)域的正膠被優(yōu)先除去，其效果如圖（c）的左圖所示。經(jīng)過顯影之后的負(fù)膠圖形如圖（c）的右圖所示。對于負(fù)性光刻膠，在經(jīng)過光照的
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