光電探測(cè)器芯片(參考版)
2024-08-16 04:07本頁(yè)面
【正文】 2ω2ω1。 3ω2 2ω1ω2。 2ω2 ω1ω2。 ? (Vb) ? PD在反向偏置時(shí) ,當(dāng)暗電流達(dá)到某個(gè)特定值如 (10uA 或 1uA)時(shí)的電壓值 .測(cè)試時(shí) ,限制電流不應(yīng)該超過 PD的最大額定電流 ,否則會(huì)造成 PD的損壞 (曲線參考 IV 反向曲線 ) ? 正向開通電壓 (VF) ? 與 Vb定義相反 ,當(dāng)正向偏置下電流達(dá)到某個(gè)特定值時(shí)電壓值 ,一般定義電流為 1mA下的電壓值為開通電壓 . ? 結(jié)電容（ C－ V特性曲線） ? 此公式適用于外加電勢(shì)在最大耗盡層之內(nèi) ,超過最大耗盡層后 ,Va增加不會(huì)導(dǎo)致 Wd增加 . CjCpC ??WdA reaCj r?? 0?drd qNVaW ?? 0)(2 ???)(20VaqNA r e aCj dr?????? 典型的 CV曲線圖 ? 串聯(lián)電阻 Rs ? Ws 襯底厚度 ,Wd 耗盡層厚度 ,ρ 表面電阻率 ? fr ? fr指輸出電信號(hào)幅度下降 3dB時(shí)的頻率值 ,表征PD響應(yīng)速度的快慢 . ? tr,tf 指 PD對(duì)于輸出為方脈沖的 1090%的上升或下降時(shí)間 ? tdrift:載流子在耗盡層平均漂移時(shí)間 ? tdiffused:載流子在非耗盡層的擴(kuò)散時(shí)間 . ? tRC 二極管電路的寄生 RC常數(shù) RcAWdWsRs ??? ?)(? 帶寬計(jì)算常用公式 trfftrrr??222RCd i f f u s e dd r i f t ttttr ???RCtRC ???? /Wdtd r iftd i f f s u edd i f f u s ed WdWst ???? /)(? 典型 PD帶寬圖 5V 10V ? frWd and Area ? 模擬應(yīng)用時(shí)的 指標(biāo) IMD (Intermodulation distortion), CSO( Composite Second Order) CTB (Composite Triple Beat) 對(duì)一般測(cè)試 :取 A=B 所以三階非線形成的頻率為 : ω1 。 從圖中可以得知，在～ 297K以下， Id～ exp（－ ΔE/2kT） ~297K 以上， Id～ exp （－ ΔE/kT) 變化。 ? 表面漏電流（ Leakage current） ? 由于表面鈍化工藝引起的表面電荷遷移引起。 ? 隧穿電流（ Tunneling Current） ? 當(dāng)外加偏壓足夠高時(shí)，隧穿電流逐漸占主要地位。 ? teff是：載流子等效壽命 ?
畢業(yè)設(shè)計(jì)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1