zm光電導(dǎo)探測(cè)器ppt課件(參考版)
2025-05-01 22:10本頁面
【正文】 用萬用表測(cè)量光敏電阻的好壞 。當(dāng)沒有光照在光敏電阻上時(shí)，光敏電阻的阻值應(yīng)在 1MΩ以上，當(dāng)有較強(qiáng)光照在光敏電阻上時(shí)，光敏電阻的阻值應(yīng)在 10kΩ以下。 h. 進(jìn)行動(dòng)態(tài)設(shè)計(jì)時(shí)，應(yīng)意識(shí)到光敏電阻的前歷效應(yīng)。 f. 光敏電阻頻帶寬度都比較窄，在室溫下只有少數(shù)品種能超過 1kHz，而且光電增益與帶寬之積為一常量，如要求帶寬較寬，必須以犧牲靈敏度為代價(jià)。 d. 光敏電阻的光譜特性與溫度有關(guān)，溫度低時(shí)，靈敏范圍和峰值波長都向長波方向移動(dòng)，可采取冷卻靈敏面的辦法來提高光敏電阻在長波區(qū)的靈敏度。 b. 當(dāng)用于模擬量測(cè)量時(shí)，因光照指數(shù) γ與光照強(qiáng)弱有關(guān)，只有在 弱光照 下光電流與入射輻射通量成線性關(guān)系。 快門的開啟時(shí)間 t可由下式推出 t =（ RW2+R） C 快門打開的同時(shí)，電源 Ubb通過電位器 RW2與光敏電阻 R向電容C充電，且充電的速度取決于景物的照度，景物照度愈高光敏電阻 R的阻值愈低，充電速度愈快。 在初始狀態(tài)，開關(guān) K處于如圖所示的位置，電壓比較器的正輸入端的電位為 R1與 RW1分電源電壓 Ubb所得的閾值電壓 Vth（一般為1~），而電壓比較器的負(fù)輸入端的電位 VR近似為電源電位 Ubb，顯然電壓比較器負(fù)輸入端的電位高于正輸入端的電位，比較器輸出為低電平，三極管截止，電磁鐵不吸合，開門葉片閉合。 電子快門常用于電子程序快門的照相機(jī)中，其中測(cè)光器件常采用與人眼光譜響應(yīng)接近的硫化鎘(CdS)光敏電阻。 PbS光敏電阻的暗電阻的阻值為 1MΩ，亮電阻的阻值為 (幅照度 1mw/cm2下測(cè)試 )，峰值響應(yīng)波長為 ，恰為火焰的峰值輻射光譜。在實(shí)際應(yīng)用中常常要附加其他電路，如樓道照明燈常配加聲控開關(guān)或微波等接近開關(guān)使燈在有人活動(dòng)時(shí)照明燈才被點(diǎn)亮；而路燈光電控制器則要增加防止閃電光輻射或人為的光源（如手電燈光等）對(duì)控制電路的干擾措施。 二 . 應(yīng)用實(shí)例 1 照明燈的光電控制電路 如圖所示為一種最簡單的由光敏電阻作光電敏感器件的照明燈光電自動(dòng)控制電路。在制造混合晶體時(shí)選用不同 Cd的組分 x，可以得到不同的禁帶寬度 Eg，便可以制造出不同波長響應(yīng)范圍的 Hg1xCdxTe探測(cè)器件。 4. Hg1xCdxTe系列光電導(dǎo)探測(cè)器件 Hg1xCdxTe系列光電導(dǎo)探測(cè)器件是目前所有紅外探測(cè)器中性能最優(yōu)良最有前途的探測(cè)器件 ， 尤其是對(duì)于 4~8μ m大氣窗口波段輻射的探測(cè)更為重要 。HzW1。 InSb光敏電阻在室溫下的長波長可達(dá) m，峰值波長在 6μ m附近，比探測(cè)率 D*約為 1 1011cm InSb光敏電阻是 3~5μ m光譜范圍內(nèi)的主要探測(cè)器件之一。HzW1。例如，室溫下的 PbS光敏電阻的光譜響應(yīng)范圍為 1~ m，峰值波長為 m，峰值比探測(cè)率 D*高達(dá) 1 1011cm PbS光敏電阻在 2μ m附近的紅外輻射的探測(cè)靈敏度很高，因此，常用于火災(zāi)的探測(cè)等領(lǐng)域。 CdS光敏電阻的光敏面常為蛇形光敏面結(jié)構(gòu)。 幾種常用的光敏電阻 光敏電阻 紫外 硫化鎘 (CdS)和硒化鎘 (CdSe) 可見 硫化鉈 (TiS)、硫化鎘 (CdS)和硒化鎘 (CdSe) 紅外 硫化鉛 (PbS)、碲化鉛 (PbTe)、 銻化銦 (InSb)、碲汞鎘（ Hg1xCdxTe） 光敏電阻常用光電導(dǎo)材料 一 .典型光敏電阻 CdS光敏電阻 CdS光敏電阻是最常見的光敏電阻，它的光譜響應(yīng)特性最接近人眼光譜光視效率， 它在可見光波段范圍內(nèi)的靈敏度最高，因此，被廣泛地應(yīng)用于燈光的自動(dòng)控制，照相機(jī)的自動(dòng)測(cè)光等。 021???cf20LVM An ???忽視外電路時(shí)間常數(shù)影響時(shí)，響應(yīng)時(shí)間等于光生載流子平均壽命 常量???? 22 00 221LVLVMf AnAnc ??????增益帶寬積 光敏電阻的變換電路 一、基本偏置電路 RL Rp Vb IVPmax 由電路圖： bpLLLpLbVRRRVRRVI????當(dāng)光通量變化時(shí)，光敏電阻變化 ?Rp，電流變化 ? I： ppLbRRRVII??????2)(pLbppLbppLbRRVRRRVRRRVI???????????????????????????????????gpggggggpgpppSRSSSSSSRSRVIg212121212111????????????????????LpLbgpLLpLbgpRRRVSRRIVRRVSRI2222)()( (RL》 Rp) LbRVI ?bgLp VSRRI ??????? 22 (RL《 Rp) ??????? LbgL RVSV (RL?Rp) L
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