7-3-半導體激光器封裝(參考版)
2024-08-15 22:29本頁面
【正文】 )Intensity (A.U.)Wav ele n g t h ( n m )0 10 20 30 40 50 6001020304050Laser power (W)Curr ent (A)0 . 00 . 10 . 20 . 30 . 40 . 5Efficiency (A.U.) Voltage (V)??? tRth 熱阻 計算結果與實驗結果差異分析 ? Bar自身結構熱阻； ? 焊接界面熱阻； ? 微通道制備結構與理想結構差異。 無源熱沉的熱結構 普通水冷熱沉 普通水冷熱沉 牛頓冷卻公式（對流散熱） q=hΔt h: 表面?zhèn)鳠嵯禂?shù) 計算結果 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Thermal resistance (K/W)Volumetric flow rate (L/min)基于普通水冷熱沉的亞封裝模塊 a= Thermal resistance (W/K)Thickness of submount (mm) Submount g= Insulator Thickness of insulator (mm) g= g= Thermal resistance (K/W)Thickness of submount (mm)普通微通道熱沉 計算結果 1mm腔長 bar， 80W連續(xù)工作，電光轉換效率 60%，微通道壁和微通道寬度均為 200um時的溫度分布。把不同極性的兩種半導體材料（ P型、 N型），聯(lián)成電偶對，電流由 N型元件流向 P型元件時便吸收熱量，這個端面為冷面，電流由 P型元件流向 N型元件時便放出熱量，這個端面為熱面。 半導體激光單元器件 依靠自然對流散熱，熱阻較高，熱阻約為５Ｋ／Ｗ左右 陣列器件熱沉的分類 ? 無源熱沉（ passive heatsinks) ： ? 有源熱沉（ active heatsi
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鄂ICP備17016276號-1