場(chǎng)效應(yīng)管及其應(yīng)用(參考版)
2025-07-26 14:37本頁(yè)面
【正文】 （ 4）場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。被稱之為雙極型器件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。 (5） 注意各極電壓的極性不能接錯(cuò) 。因此要在柵源間絕對(duì)保持直流通路 ， 保存時(shí)務(wù)必用金屬導(dǎo)線將三個(gè)電極短接起來(lái) 。 通常各極在開(kāi)路狀態(tài)下保存 。 (2)場(chǎng)效應(yīng)管從結(jié)構(gòu)上看漏源兩極是對(duì)稱的 ， 可以互相調(diào)用 ， 但有些產(chǎn)品制作時(shí)已將襯底和源極在內(nèi)部連在一起 ， 這時(shí)漏源兩極不能對(duì)換用 。 ( b )－ 3 － 2 － 1 0 1 224681012ID / m AUG S ( o f f )ID S SUD S / V 圖 N溝道耗盡型 MOS （ a） 輸出特性曲線 。 當(dāng) UGS0時(shí) ， 垂直電場(chǎng)減弱 ， 導(dǎo)電溝道變窄 ， 電流ID減小 。 當(dāng) UGS=0時(shí) ， 靠絕緣層中正離子在 P型襯底中感應(yīng)出足夠的電子 ， 而形成 N型導(dǎo)電溝道 ， 獲得一定的 IDSS。 N溝道耗盡型 MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖 （ b） 所示 。 N溝道耗盡型 MOS管的輸出特性曲線如圖 （ a） 所示 ， 曲線可分為可變電阻區(qū) 、 恒流區(qū) （ 放大區(qū) ） 、 夾斷區(qū)和擊穿區(qū) 。 改變 UGS， 就可以改變溝道的寬窄 ， 從而控制漏極電流 ID。反之 ， 電流 ID增加 。 N N＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋＋＋－＋－SUGSGDUDS耗盡層 N 溝道P鋁電極( a )GSD襯底( b )圖 N溝道耗盡型 MOS管的結(jié)構(gòu)和符號(hào) （ a） 結(jié)構(gòu) 。 UD S / V4 6 801234UG S＝ 5 V4 . 5 V預(yù)夾斷軌跡ID / m A2564 V3 . 5 V3V2V 圖 輸出特性曲線 2. N溝道耗盡型 MOS管 1） 結(jié)構(gòu) 、 符號(hào)和工作原理 N溝道耗盡型 MOS管的結(jié)構(gòu)如圖 （ a） 所示 ，圖形符號(hào)如圖 （ b） 所示 。 只有當(dāng) UGS≥UGS(th)時(shí) ， 才能形成導(dǎo)電溝道 ， 并有電流 ID。 所以改變 UGS的大小 ， 就可以控制溝道電阻的大小 ， 從而達(dá)到控制電流 ID的大小 ， 隨著 UGS的增強(qiáng) ， 導(dǎo)電性能也跟著增強(qiáng) ， 故稱之為增強(qiáng)型 。 通常將剛剛出現(xiàn)漏極電流 ID時(shí)所對(duì)應(yīng)的柵源電壓
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