場效應(yīng)管及其應(yīng)用(更新版)
【正文】 。 （ 3） 夾斷區(qū) 。 N溝道DGSNDGSUGGP PP( b )DGSUGG耗盡層＋－( a ) ( c )P P－＋P 圖 UGS對導(dǎo)電溝道的影響 （ a） 導(dǎo)電溝道最寬 。 當(dāng) G、 S兩極間電壓 UGS改變時 ， 溝道兩側(cè)耗盡層的寬度也隨著改變 ， 由于溝道寬度的變化 ， 導(dǎo)致溝道電阻值的改變 ， 從而實現(xiàn)了利用電壓 UGS控制電流 ID的目的 。 1. 1結(jié)型場效應(yīng)管 1） 結(jié)構(gòu) 結(jié)型場效應(yīng)管（ JFET）結(jié)構(gòu)示意圖如圖 （ a）所示。它工作時只有一種載流子 （ 多數(shù)載流子 ） 參與導(dǎo)電 ， 故也叫單極型半導(dǎo)體三極管 。 結(jié)構(gòu)示意圖 源極 柵極 漏極 符號 導(dǎo)電溝道 N溝道 N溝道G柵極S源極D漏極NPP( a )GDS( b )3 D J 7D GS( c ) 圖 N （ a） 結(jié)構(gòu)示意圖 。 當(dāng) |UGS|值增大時 ， 柵源之間反偏電壓增大 ， PN結(jié)的耗盡層增寬 ， 如圖 （ b） 所示 。 當(dāng) UGS不變 ， UDS由零逐漸增加且較小時 ， ID隨 UDS的增加而線性上升 ， 場效應(yīng)管導(dǎo)電溝道暢通 。 （ 4） 擊穿區(qū) 。 1） 結(jié)構(gòu)和符號 圖 N溝道增強(qiáng)型 MOS管的示意圖 。 ( a ) ( b )N＋N＋P 型襯底S G DRDUDDRDUDDGDSUGG 圖 3. 9 N溝道增強(qiáng)型 MOS (a)示意圖； (b)電路圖 當(dāng) UGS0時 ， 柵極與襯底之間產(chǎn)生了一個垂直于半導(dǎo)體表面 、 由柵極 G指向襯底的電場 。 圖 ， 與結(jié)型場效應(yīng)管類似 ，也分為可變電阻區(qū) 、 恒流區(qū) （ 放大區(qū) ） 、 夾斷區(qū)和擊穿區(qū) ， 其含義與結(jié)型場效應(yīng)管輸出特性曲線的幾個區(qū)相同 。 2） 特性曲線 （ 1） 輸出特性曲線 。 當(dāng) UGS=U GS(th)時 ， 導(dǎo)電溝道全夾斷 ， ID=0。 在焊接時 ， 烙鐵外殼必須接電源地端 ， 并在烙鐵斷開電源后再焊接?xùn)艠O ， 以避免交流感應(yīng)將柵極擊穿 ， 并按 S、 D、 G極的順序焊好之后 ，再去掉各極的金屬短接線 。
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