關(guān)于集成電路的調(diào)查報(bào)告(參考版)
2024-08-01 22:59本頁(yè)面
【正文】 我國(guó)目前的生產(chǎn)線又多開(kāi)了幾條，今后一段時(shí)間內(nèi)，集成電路的發(fā)展會(huì)很快，前景被普遍看好。 結(jié) 束 語(yǔ)盡管集成電路具有體積小、耗能低、成本低等優(yōu)點(diǎn)，但是不易于維修。除眾所周知的計(jì)算機(jī)、通信、網(wǎng)絡(luò)、消費(fèi)類產(chǎn)品的應(yīng)用外，集成電路正在不斷開(kāi)拓新的應(yīng)用領(lǐng)域。每2～3年制造技術(shù)更新一代， 這是基于柵長(zhǎng)不斷縮小的結(jié)果， 器件柵長(zhǎng)的縮小又基本上依照等比例縮小的原則， 同時(shí)促進(jìn)了其它工藝參數(shù)的提高。由此集成電路從產(chǎn)生到成熟大致經(jīng)歷了如下過(guò)程：電子管晶體管集成電路超大規(guī)模集成電路五、集成電路的發(fā)展前景隨著集成方法學(xué)和微細(xì)加工技術(shù)的持續(xù)成熟和不斷發(fā)展，以及集成技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大，集成電路的發(fā)展趨勢(shì)將呈現(xiàn)小型化、系統(tǒng)化和關(guān)聯(lián)性的態(tài)勢(shì)。2009年，intel酷睿i系列全新推出，創(chuàng)紀(jì)錄采用了領(lǐng)先的32納米工藝，并且下一代22納米工藝正在研發(fā)。1988年，16M DRAM問(wèn)世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬(wàn)個(gè)晶體管，標(biāo)志著進(jìn)入超大規(guī)模集成電路階段的更高階段。 （圖5）雙極型集成電路 （圖6）單極型集成電路四、集成電路的發(fā)展史集成電路的發(fā)展經(jīng)歷了一個(gè)漫長(zhǎng)的過(guò)程，以下以時(shí)間順序，簡(jiǎn)述一下它的發(fā)展過(guò)程。后者工作速度低，但輸人阻抗高、功耗小、制作工藝簡(jiǎn)單、易于大規(guī)模集成，其主要產(chǎn)品為MOS型集成電路。4 按導(dǎo)電類型分按導(dǎo)電類型不同，分為雙極型集成電路和單極型集成電路兩類。 （圖3）膜集成電路
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