電動車無刷控制器電路圖(高清)(參考版)
2025-07-10 15:19本頁面
【正文】 WORD格式整理 。 其次對于這個驅(qū)動電路有人還會產(chǎn)生一個疑問：按理說用作功率開關(guān)的MOSFET，為了減少開關(guān)損耗，應(yīng)盡量避免MOSFET工作在放大狀態(tài)，按照這個原則，驅(qū)動MOSFET的電平應(yīng)該是快速上升、快速下降，而且這個速度是越快越好，但此電路中增加了電阻ee2，電容kk2，這四個元件在這里的作用顯然有悖于快升快降的原則，實際上這四個零件在電路中的作用也確實是有意減慢MOSFET的開啟速度，使驅(qū)動MOSFET的電壓波形上升沿沒那么陡峭，為什么要這樣做呢？ 這個要從MOSFET的結(jié)構(gòu)來看，MOSFET本身各極之間存在極間電容，這個電容被稱為密勒電容。當(dāng)U4A的3腳輸出低電平時，q1,t1迅速關(guān)閉，t2開始導(dǎo)通，將k1和柵極本身積累的電荷迅速泄放，V1被關(guān)閉，而此時由于另兩組中的一組之下橋維持在導(dǎo)通狀態(tài)，電容C5就會通過電機繞組和該下橋迅速充電補充電能，為下一個周期做準(zhǔn)備。這時如果U4A的3腳一直維持高電平的話，在電容k1和MOSFET本身GS間電容充飽電之后，C5上的儲存的電荷主要通過t1的BE結(jié)，電阻a1到三極管q1放電（由于此時二極管D7處于正偏狀態(tài)，所以t2的BE結(jié)反偏而截止，因此t2并不參與放電），如果C5足夠大，那么可以在相當(dāng)長的一段時間內(nèi)保證V1的驅(qū)動電壓在合理的范圍內(nèi)。 顧名思義，浮柵驅(qū)動的柵極是浮動的，這是一個很形象的描述，我們根據(jù)線路圖來分析一下柵極是怎樣“浮動”起來的 我們先看一下C5的接法，這是整個驅(qū)動的關(guān)鍵所在，（），負(fù)極很奇怪地接到電機的相位線，與它所驅(qū)動的MOSFET 以單獨一組A相上下橋驅(qū)動為例，見圖12 見了這種電路，很多人首先會問：為何上橋的驅(qū)動電路如此復(fù)雜？ 很顯然，這么復(fù)雜的電路一定有其用途，如果要簡單一點話，上橋的功率開關(guān)直接用P溝道的MOSFET來做就可以，這樣驅(qū)動電路會簡單很多，但P溝道的功率MOSFET又貴又難買，為了節(jié)省成本，只能用N溝道的代替，但N溝道的MOSFET導(dǎo)通時其柵極G的電壓必須比源極S高出10V以上才能保證完全導(dǎo)通，這樣在上橋?qū)〞r，假設(shè)電源電壓為48V，那么上橋G極的電壓就必須比電源電壓高12V,也就是大于60V才行。當(dāng)“A+”信號為低電平時，“PWM”信號并不影響下橋，保證了下橋的正確邏輯而不會誤導(dǎo)通。圖12 因為三相驅(qū)動相同，所以我們這里僅以A相為例說明同步續(xù)流功能的實現(xiàn)過程 當(dāng)A向的邏輯開關(guān)信號“A+”為高電平時，A相上橋被“PWM”信號驅(qū)動，在整機電流較小的情況下，PV信號為高電平，不管或非門U3C其它兩個輸入腳電平如何，其輸出總是低，所以此時或非門U2B僅受“A”信號控制，“A”信號是下橋的邏輯開關(guān)，它僅在下橋需要導(dǎo)通時置高，平時為低。 圖12為A相驅(qū)動電路的實際電路 處理后波形示意圖如圖11 圖11：死區(qū)發(fā)生器輸出波形 另一路經(jīng)R57和C24，反相器U5A移相，相移量大約750nS,再經(jīng)U5B反相，形成PWM信號，最后合成至下橋驅(qū)動。這也是為什么很多產(chǎn)品的下橋會用好一點的管子的原因。當(dāng)總電流小時這個
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