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正文內(nèi)容

siwave在單板pi設(shè)計中的應(yīng)用(參考版)

2025-07-02 19:04本頁面
  

【正文】 拼一個春夏秋冬!贏一個無悔人生!早安! —————獻給所有努力的人.. . . . .學(xué)習(xí)參考。不奮斗就是每天都很容易,可一年一年越來越難。是狼就要練好牙,是羊就要練好腿。 輸出格式為HSPICE.設(shè)置完成后,點擊OK,輸出全波SPICE模型。設(shè)置最小仿真頻率為0; 設(shè)置最大仿真頻率。. . . . .學(xué)習(xí)參考第九章 SPICE 參數(shù)提取對關(guān)鍵部分,可輸出全波 SPICE 模型,在 Maxwell spice 或其它 Hspice 仿真器中在時域進行電源波動、開關(guān)噪聲等仿真。? D45 的 區(qū)域在 D45 的 區(qū)域諧振銅皮左右各加一組電容: 2 個 1000p,470p,220p,120p,68p,47p,33p,22p。? D73 的 區(qū)域內(nèi)有多個諧振點:. . . . .學(xué)習(xí)參考 在 D73 的 諧振銅皮上下各加一組電容: 2 個 4700p,2200p,1000p,680p,330p,220p,150p,100p,68p。. . . . .學(xué)習(xí)參考在 D1 的 2V 區(qū)域加上 2 個 1000p, 1 個 470p,220p,120p,100p,68p,47p,33p,22p 電容;在 D1 上方 區(qū)域加上 1 個 470p, 100p,68p,47p,33p,22p 電容。 單板 MNIC SYZ 參數(shù)仿真分析結(jié)果和相關(guān)處理措施在整板主要器件處的電源地平面加觀察口,觀察相應(yīng)的 SYZ 參數(shù)。 掃描方式選擇線性Llnearly。 SYZ仿真參數(shù)設(shè)置運行 Simulation/Compute SYZ Parameters/FWS Circuit… 命令,出現(xiàn)SYZ仿真參數(shù)設(shè)置窗口。下面是一個兩端口的網(wǎng)絡(luò),如圖 81 所示:圖 8-1 兩端口網(wǎng)絡(luò)的 S 參數(shù)舉例S 參數(shù)的物理定義如下: Vinc1 PORT 1 在這點的輸入信號 Vinc2 PORT 2 在這點的輸入信號 Vref1 PORT 1 在這點的輸出信號 Vref2 PORT 2 在這點的輸出信號 S11 PORT 1 的輸入信號在經(jīng)過網(wǎng)絡(luò)反射后在 PORT 1 輸出的反射系數(shù) S21 PORT 1 的輸入信號在經(jīng)過網(wǎng)絡(luò)傳輸后在 PORT 2 輸出的傳導(dǎo)系數(shù) S12 PORT 2 的輸入信號在經(jīng)過網(wǎng)絡(luò)傳輸后在 PORT 1 輸出的傳導(dǎo)系數(shù) S22 PORT 2 的輸入信號在經(jīng)過網(wǎng)絡(luò)反射后在 PORT 2 輸出的反射系數(shù). . . . .學(xué)習(xí)參考 設(shè)置觀察點(PORT)對所要觀察的平面層重點區(qū)域設(shè)置觀察點。. . . . .學(xué)習(xí)參考第八章 SYZ 參數(shù)仿真 S 參數(shù)簡介S 參數(shù)適合描述多個終端節(jié)點的網(wǎng)絡(luò),可以提供 AC 和 DC 的分析。 單板MNIC激勵掃頻仿真結(jié)果在時鐘驅(qū)動器(D40,D41,D42,D55)處加電流源和觀察口,觀察在頻率掃描過程( 第6層和第5層之間)的整板諧振情況。 選擇需要觀察的信號層或平面,以及對應(yīng)的參考平面層。. . . . .學(xué)習(xí)參考設(shè)置最小仿真頻率; 設(shè)置最大仿真頻率,或者根據(jù)計算機運行速度,設(shè)置諧振仿真點數(shù)。 點擊工具條上電壓探頭按鈕,將電壓探頭放置在單板需要觀察處,放置后出現(xiàn)電壓探頭端口層設(shè)置. . . . .學(xué)習(xí)參考窗口。激勵源幅度根據(jù)IC芯片的總I/O 管腳電流進行設(shè)置。選擇正負(fù)端口放置層后,點擊OK按鈕,出現(xiàn)激勵源設(shè)置窗口。 加激勵源 點擊工具條上電流源或電壓源按鈕 ,將電流源或電壓源放置在單板IC芯片處,以模擬IC芯片工作。激勵源可以是電壓源,也可以是電流源。即可以通過定義激勵源,從而觀察該激勵源對系統(tǒng)其他部分的耦合。? 在 136MHz 單板上方出現(xiàn)的諧振( BOTTOM 層,參考第 PGP09 層平面):. . . . .學(xué)習(xí)參考在諧振的中心加一個電容: ? 在 159MHz 單板上方出現(xiàn)的諧振( BOTTOM 層,參考第 PGP09 層平面):在諧振的中心加一個電容: 在諧振熱點處添加相應(yīng)的去耦電容,能有效降低諧振幅度,并同時將諧振頻率上移。 設(shè)置完成后,點擊OK,進行諧振仿真。 諧振仿真參數(shù)設(shè)置運行 Simulation/Compute Resonant Modes… 命令,出現(xiàn)諧振仿真參數(shù)設(shè)置窗口。. . . . .學(xué)習(xí)參考? 模式類型(Model Type)分為有損和無損,選擇有損Lossy.? 網(wǎng)格設(shè)置(Mesh Refinement)分為自動和固定。諧振模式(Resonant Mode )是對PDS 的地電平面的結(jié)構(gòu)進行諧振仿真,使PCB在我們所關(guān)注的頻率范圍或更高的范圍內(nèi)不發(fā)生諧振,以避免高諧振阻抗的出現(xiàn)。我們所期望的是一個低阻抗的電源分布系統(tǒng),至少在整個系統(tǒng)的工作頻段內(nèi)呈低阻抗,從而具有較小的壓降,較強的魯棒性。. . . . .學(xué)習(xí)參考第六章 諧振模式仿真系統(tǒng)的電源部分的好壞直接影響到系統(tǒng)的穩(wěn)定性,甚至可能使得系統(tǒng)邏輯錯誤。編輯窗口打開后,將電容的寄生參數(shù)ESR、ESL添加進去。運行Edit/Circuit Element Parameters…命令,出現(xiàn)電路器件管理窗口。點擊左側(cè)網(wǎng)絡(luò)管理窗口中所要選擇的網(wǎng)絡(luò),該網(wǎng)絡(luò)在窗口中高亮顯示。 設(shè)置介質(zhì)層特性參數(shù):選中一個介質(zhì)層,按下“ Edit Layer Properties”按鈕,或者雙擊一個介質(zhì)層,選擇“DIELECTRIC”類型,對介質(zhì)層的材料和厚度等進行設(shè)置。運行Edit/Layer Stack…命令,出現(xiàn)疊層管理窗口。將需要的導(dǎo)電層和介質(zhì)層材料添加進去,并對相應(yīng)的電導(dǎo)率、相對介電常數(shù)、損耗角等進行設(shè)置。 設(shè)置PCB疊層材料參數(shù)對導(dǎo)電層的電導(dǎo)率和介質(zhì)層的相應(yīng)的相對介電常數(shù)、損耗角等進行設(shè)置。 運行Edit/Grid Spacing…命令,出現(xiàn)網(wǎng)格管理窗口。 設(shè)置網(wǎng)格用于軟件計算的基本單元決定了計算機仿真精度的高低和運算速度的快慢。注3:轉(zhuǎn)換完成后,將低頻濾波的電解電容以及其它的極性電容刪除,因為主要仿真高頻特性,這些電容對實際結(jié)果沒有影響,而且在高頻仿真中siwave軟件會出現(xiàn)處理問題。注1:由于siwave軟件bug問題,平面層負(fù)片轉(zhuǎn)換的文件在 .siw中丟失熱焊盤,因此必須將.。如果出現(xiàn)異常情況,需要進行檢查重新轉(zhuǎn)換。 至此,Cadence Allegro的PCB(.BRD)文件已經(jīng)轉(zhuǎn)換成Ansoft SIwave 的
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