【正文】 0000001039。溫度檢測 MOVF PORTA,0 。 MOVWF 10LOOP2 NOP 。 MOVWF 10LOOP1 NOP 。6腳為1 MOVLW D39。時間到否？ SUBWF RTCC,0 BTFSS STATUS,2 GOTO KUAI GOTO MANMAN 。25539。6腳為1 CALL WENDU 。 MOVWF CONFIGKUAI 。記數方式，分頻256 OPTION MOVLW B39。0011011139。黃燈滅 CLRF RTCC 。B口用作輸出 MOVWF TRISB BCF PORTB,1 。0000000039。 。主程序 MOVLW A39。6腳為0 MOVWF 10LOOP6 NOP 。 MOVWF 10LOOP5 DECFSZ 10,1 。6腳為1 MOVLW D39。綠燈滅 BCF PORTB,2 。0000000139。第 41 頁 共 66 頁 附錄一 主電路圖第 49 頁 共 66 頁附錄二 程序清單PIC16C54 EQU 1FFH RTCC EQU 1 ORG PIC16C54 GOTO MAIN ORG 0WENDU 。而且大大提高了動手能力，使我充分體會到了在創(chuàng)造過程中探索的艱難和成功時的喜悅。所以，在此，我向各位老師及同學們表示我最衷心的感謝！同時，我也感謝我的所有任課老師，是他們把我?guī)肓诉@個學科的殿堂。在設計過程中，高老師在百忙之中還擠出休息時間為我指點迷津，為我耐心講解，給我提供大量的資料和教我查閱資料的便捷方法，還經常為我提供各方面的幫助，為我排憂解難。讓我認識到虛心求教，共同探討是對知識的一種學習的主要方法。在此次的畢業(yè)設計中，根據對鉛酸蓄電池的充放電特性和充電控制方法的分析，綜合了恒流、恒壓及涓流充電等方式的優(yōu)點，應用了單片機PIC16C54以及開關電源集成芯片TL494，采用了脈寬調制技術，根據電壓、電流反饋自動控制調節(jié)充電脈沖寬度，改變充電電流及電壓的大小，使充電分為快充、慢充和涓流充三個階段，達到良好的充電效果。6腳為0 MOVWF 10 LOOP6 NOP 。 MOVWF 10 LOOP5 DECFSZ 10,1 。6腳為1 MOVLW D39。綠燈滅 BCF PORTB,2 。0000000139。 溫度檢測流程圖如下： 充電器溫度檢測流程圖 具體的程序如下所示： WENDU 。延時800us NOP NOP NOP NOP DECFSZ 10,1 GOTO LOOP4 GOTO JLOOP 超溫保護是通過熱敏電阻RTR3R37 實現的。延時200us GOTO LOOP3 BCF PORTB,0 。10039。黃燈亮 JLOOP BSF PORTB,0 。涓充 BSF PORTB,1 。0000001039。溫度檢測 MOVF PORTA,0 。 MOVWF 10 LOOP2 NOP 。 MOVWF 10 LOOP1 NOP 。6腳為1 MOVLW D39。慢充階段的程序如下所示： MAN 。 。溫度檢測 MOVLW D39?？斐? BSF PORTB,0 。到達快充時間時，單片機的6腳輸出低電平，關斷斬波開關，停止充電。 把F11的第0位置為1 程序流程圖主流程圖如下： 充電器主程序流程圖軟件設計采用匯編語言，采用模塊化、結構化的設計方法進行設計。 F8→W位尋址這種尋址方式是對寄存器中的任一位進行操作。 例：MOVWF 8 。間址尋址方式主要用于編寫查表、寫表程序，非常方便。 W=55HMOVWF 0 。 W=5MOVWF 4 。實際的寄存器地址放在F4中，通過F0來進行間接尋址。實際要訪問的寄存器的序號放在FSR的低5位中，而通過間接寄存器INDF進行間接尋址。 16H →W寄存器間接尋址這種尋址方式是把操作數的地址放在寄存器中。立即數尋址這種尋址方式操作數是以立即數形式出現的，用長字指令的低8位表示，操作數可直接從指令中獲得。 指令尋址方式PIC16C54采用的精簡指令集（RISC）體系結構，尋址方式和指令很少而且簡單。bit5－bit7是位地址（可尋址8個位），bit0－bit4是寄存器地址。低5位是數據寄存器地址，可選中32個寄存器。第6位d是方向位。PIC16C54共有33條指令，按操作分成三大類：面向字節(jié)操作類這類指令共有18條，包括有算術和邏輯運算、數據傳送、數據移位和交換等操作。通過溫度和時間的檢測判斷充電的階段并通過數碼管顯示。接下來將進行軟件部分的設計。然后就是分模塊設計硬件電路。當選擇電流時，通過分流電阻可選擇20mA~20A的量程，選擇電壓時，可通過分壓電阻的作用選擇200mV~20V的量程。 上述電路實際上還只是一個表頭而已，為了實現測量電流和電壓以及可以選擇量程的功能，需要再添加一個按鍵電路。通常情況下，在測量過程中，為了增強抗50HZ工頻干擾的能力，應該選取A/D轉換的積分時間為50HZ工頻周期的整數倍，即T1=n*20ms,考慮到線性度和測試效果，我們取T1=(n=5)，這樣T=，f0=40kHZ，A/。對于ICL7107，38腳輸入的振蕩頻率f0=1/(*R1*C1)，因為模數轉換的計數脈沖頻率為f0的4倍，即Tcp=1/(4*f0)，所以測量周期T=4000*Tcp=1000/f0，積分時間（采樣時間）T1=1000*Tcp=250/fo。所以滿量程為200mV，即參考電壓Vref=，Rint=50K,實際選擇47K電阻；在滿量程為2V，即參考電壓Vref=1V時，Rint=500K,實際選擇470K電阻。芯片的第32腳為模擬公共端，稱為COM端；第34腳Vr+和35腳Vr為參考電壓正負輸入端；第31腳IN+和30腳IN為測量電壓正負輸入端； Cint、Rint分別是積分電容、積分電阻，Caz是自動調零電容，它們分別與芯片的228和29腳相連，電阻R1和C1與芯片內部電路結合可以提供時鐘脈沖振蕩源，通過40腳可以用示波器測量出該振蕩源的振蕩波形，該腳對應接在實驗儀上示波器接口CLK上，時鐘頻率的大小決定了芯片的轉換時間及測量的精度。 ICL7107芯片引腳圖。 下面闡述ICL7107的引腳功能和外圍元件參數的選擇。同時為單片機提供50Hz計時脈沖信號。輔助電源由三端穩(wěn)壓集成電路LM780整流元件、工頻變壓器、濾波元件組成，為單片機提供（+5V）電源電壓。該系列集成穩(wěn)壓IC型號中的lm78或lm79后面的數字代表該三端集成穩(wěn)壓電路的輸出電壓，如lm7806表示輸出電壓為正6V，lm7909表示輸出電壓為負9V。它看起來像普通的三極管TO 220 的標準封裝，也有l(wèi)m9013樣子的TO92封裝。 輔助電源電路的設計電子產品中，常見的三端穩(wěn)壓器集成的電路有正電壓輸出的lm78xx系列和負電壓輸出的lm79xx系列。這樣也實現強電和弱電信號的隔離。例如：Ic10=，Ic20=，分壓網絡使得Ib1=Ib2=，假設晶體管的電流放大倍數，則有 Ic1=Ic2=5mAIc10=，從而消除了由于開關管的特性不一致而造成的影響，A點電壓等于輸入電壓中值。如果兩個開關管2均處于關斷狀態(tài)，只有集電極漏電流的存在，而開關管2的集電極漏電流IcIc20是不可能完全一致的，從而導致A點電壓不是位于中點電壓，有一個較大的誤差；例如300V的輸入，理想情況下每個開關管各應承受150V的電壓；如果沒有設定均壓電路不會使開關管處于微導通狀態(tài)，有可能會讓開關管承受較大的電壓，如200V，下一個管子只承受100V，而半橋電路中輸出變壓器原邊電壓可能高于這個值，這無疑減少了轉換器電路的輸出效率，因為在這種情況下電路沒有輸出。因此流過晶體管基極的驅動電流Ib比較陡，幅值大；隨著充電的進行，電容上的電壓逐漸建立，當電容充滿電后，驅動信號只能通過二極管回路，顯而易見此時的基極驅動電流幅值比電容未充滿電之前要低，構成基極驅動電流的后半部分較平緩。電容CDRC1DR8構成了開關管的加速開關網絡。這對于一個開關管快速的開啟和安全使用是非常重要的。：但是，驅動變壓器的輸出是一個方波信號。 為避免放電電流引起的危害，C1，C4電容不應過大，?。此電容對高頻干擾是低阻抗的，兩個電源線之間的高頻干擾可以通過它的，其工頻信號的阻抗是高的，因此，沒有影響的工頻信號傳輸。電容器C2，C3的選擇，根據實際情況來定，由于電容C2，C3之間連接的電源線和地線的耐壓是比較高的，所以需要高壓力，低漏電流特性。除了共模電感，電容C2和C3也用于過濾出的共模干擾。共模電感的差值電感和電容器C1和C4構成了一個∏型濾波器。實際使用中，兩個共模電感線圈由于卷繞過程的差異，但這種差異只是用來作為差模電感。當市網工頻電流在兩個繞組中流過時，一進一出，產生的磁場恰好抵消了，使得共模電感對市網工頻電流不起任何阻礙作用，可以無損傳輸。共模電感LF1是同一個磁環(huán)上由繞向相反、匝數相同的兩個繞組構成。 開關穩(wěn)壓電源濾波電路，LF1叫做共模電感，C2和C3叫做共模電容。電源線噪聲分為兩大類：共模干擾、差模干擾。 () 濾波電路的設計 濾波電路常用于濾除整流之后的輸出電壓中的紋波，通常由電抗元件組成，如在負載電阻兩端并聯(lián)的電容C，或與負載串聯(lián)的電感L，以及由電容，電感組成的各種復式濾波電路。─集電極發(fā)射極飽和壓降從上述的分析中，在考慮到本設計的要求，選用了N型硅雙極型晶體管E13007。自然這個參數值是越高越好，同時考慮價格因素。─發(fā)射極開路時，集基極間的反向擊穿電壓。─指集電極開路，發(fā)射結的穿透電流。另外還有直流參數、交流參數也是選擇晶體管時要考慮的因素。放大區(qū)：發(fā)射結正偏，集電結反偏。飽和區(qū)：發(fā)射結和集電結均為正向偏置。IE=0，IC=0，UCE=EC，管子失去放大能力。 輸出特性曲線：基極電流IB為一常數時，集電極電流iC與管壓降uCE之間的函數關系?；鶇^(qū)注入少量的電流時，發(fā)射區(qū)和集電區(qū)之間形成一個更大電流，即晶體管的放大作用。這種晶體管有兩種基本結構：PNP和NPN型雙極晶體管。雙極型晶體管由兩個背靠背PN結構成的具有電流放大作用的晶體三極管。綜上所述，雙極型晶體管的飽和壓降還是比較小。低導通電阻的管子價格偏高。場效應管工作在開關狀態(tài)時，漏源極之間的電壓也是必須考慮的一個參數。導通電阻是一個非常重要的參數，它是等效于雙極性晶體管功率器件的飽和電阻。漏源擊穿電壓就是漏區(qū)和溝道體區(qū)PN結上的反偏電壓。但目前由于價格方面的原因，還只能用在高功率變換的場合。 開關電源主回路設計 功率開關元件的選用目前在開關電源中用得比較多的開關器件主要有電力晶體管GTR、門極可關斷晶體管GTO、場效應晶體管MOSFET和絕緣柵極雙極型晶體管IGBT等。13腳直接連接到14引腳（5V參考電壓），這兩個驅動器晶體管工作方式為推挽輸出。三角波的振蕩頻率為：。一旦輸出過電壓，反饋到1腳的電壓高于2腳的電壓，則放大器輸出高電平，降低驅動晶體管輸出脈沖的占空比，使IC1的8腳和11腳輸出的PWM信號的脈寬改變，從而使2的導通時間改變，維持輸出電壓恒定。電阻R1R1R1R18 及電容C1C17組成電壓取樣電路，取樣電壓輸入到IC1的1腳。當充電電流超過一個恒定值1C，R28兩端的電壓降增大，通過分流電阻R2R25反饋到IC1的15腳，其電勢變?yōu)樨撝担陀贗C1的管腳16，內部電流誤差放大器輸出為高電平，IC1的引腳8和引腳11的PWM信號的輸出脈沖變窄，從而使Q1和Q2的導通時間縮短，因此，當輸出電壓下降，以保持恒定的充電電流；隨著充電時間延長，電池電壓逐漸上升，充電電流呈指數下降，IC1的15腳電位指數增加，IC1的引腳8和引腳11輸出的PWM信號脈沖展寬，從而延長Q1和Q2的導通時間，輸出電壓升高，充電電流保持恒定。TL494提供的內部基準電源和兩個誤差放大器可以很方便的實現這些功能。死區(qū)時間的大小，是由落地電阻R13的電壓值決定，電壓越高，死區(qū)時間越長?？梢?，充電電容C19的值決定了 軟啟動的快慢。隨著輸入電源給電容C19充電，R13上開始流過電流，即4腳上開始建立一定的電壓，芯片開始工作。（1）軟啟動保護 由前面的介紹可知，TL494的4腳是芯片的死區(qū)控制端。 TL494約兩個輸出級可用于單端或推挽輸出，兩個輸出之間的關系是不具約束力，雙方的集電極和發(fā)射極輸出可以采用共發(fā)射極狀態(tài)，基極和發(fā)射極電流在200mA，輸出設置下兩個輸出有一定的保護作用，一般兩個共發(fā)射極輸出轉換時間，因此，我們可以知道轉換速度非?？?，工作頻率高達300KHz，輸出漏電流在25℃時一般小于1uA。 當電容CT放電，在截止時間比較器的輸出將是正脈沖信號輸出，該時鐘脈沖控制操作的觸發(fā)器，抑制了輸出晶體管Q1和Q2，輸出模式控制部分13 腳的位線連接到參考電壓電平，此時為推挽操作，這兩個輸出的脈沖信號的調制晶體管被交替地導通，那么每一個輸出的開關頻率為振蕩器頻率的一半。脈沖寬度比較器和控制邏輯的傳播延遲，使他不能用于動態(tài)電流限制器。第二誤差放大器可以用來做電流檢測電路，檢測電阻與參考電壓元比較，回路電壓在接近地時，該誤差放大器的轉換率在7V 至Vcc時為2V/μs。 誤差放大器的輸出是高主動的