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mos管緩啟動(dòng)電路分析(參考版)

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【正文】 Page: 11 of 11。　　按公式（8）計(jì)算：R1=?！　“垂剑?）計(jì)算：C1=?！　“垂剑?）計(jì)算：R2=。圖6. 有源沖擊電流限制電路在75V輸入，DC/DC輸出空載時(shí)的波形　　設(shè)計(jì)舉例　　已知： Vmax=72VIinrush=3A選擇MOS管Q1為IRF540S選擇二極管D2為BAS21　　按公式（4）計(jì)算：C21700pF。η可以在DC/DC電源供應(yīng)商所提供的數(shù)據(jù)手冊(cè)里查到。一般MOS管的柵源電壓Vgs為20V，推薦12V的穩(wěn)壓二極管?！　OS管選擇　　以下參數(shù)對(duì)于有源沖擊電流限制電路的MOS管選擇非常重要：l 漏極擊穿電壓 Vds 　　必須選擇Vds比最大輸入電壓Vmax和最大輸入瞬態(tài)電壓還要高的MOS管，對(duì)于通訊系統(tǒng)中用的MOS管，一般選擇Vds≥100V?！　∫韵率怯?jì)算C1和R1的公式：　　其中Vth為MOS管Q1的最小門檻電壓，VD2為二極管D2的正向?qū)▔航?，Vplt為產(chǎn)生Iinrush沖擊電流時(shí)的柵源電壓。元器件R1，C1和D2用來保證MOS管Q1在剛上電時(shí)保持關(guān)斷狀態(tài)。　　C2可以按以下公式選定：　　R2由允許沖擊電流決定：　　其中Vmax為最大輸入電壓，Cload為C3和DC/DC電源模塊內(nèi)部電容的總和，Iinrush為允許沖擊電流的幅度?！?　　電路描述：　　圖5所示為基于MOS管的自啟動(dòng)有源沖擊電流限制法電路。外接電容C2被用來作為積分器對(duì)MOS管的開關(guān)特性進(jìn)行精確控制。在米勒平臺(tái)后期，MOS管Vds非常小，MOS進(jìn)入了飽和導(dǎo)通期。進(jìn)入可變電阻區(qū)后，Ids電流增大，但是Vds電壓不變。圖4. 帶外接電容C2的N型MOS管極間電容等效電路　　MOS管的極間電容柵漏電容Cgd、柵源電容Cgs、漏源電容Cds可以由以下公式確定：公式中MOS管的反饋電容Crss,輸入電容Ciss和輸出電容Coss的數(shù)值在MOS管的手冊(cè)上可以查到。雖然電路比

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