【摘要】《模擬電子期末練習(xí)題》填空題:1、PN結(jié)正偏時(shí)(導(dǎo)通),反偏時(shí)(截止),所以PN結(jié)具有(單向)導(dǎo)電性。2、漂移電流是(反向)電流,它由(少數(shù))載流子形成,其大小與(溫度)有關(guān),而與外加電壓(無關(guān))。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時(shí),結(jié)電阻為(零),等效成一條直線;當(dāng)其反偏時(shí),結(jié)電阻為(無窮大),等效成斷開;4、三極管是(電流)控制元件,場效應(yīng)管是(電壓)控制元件
2025-06-27 23:32
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)試題填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為。2、二極管的正向電阻小;反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散
2024-11-02 08:43
【摘要】《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(shí)(),反偏時(shí)(),所以PN結(jié)具有()導(dǎo)電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關(guān),而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時(shí),結(jié)電阻為(),等效成一
2025-01-10 21:40
【摘要】《電工電子技術(shù)》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、電路的組成部分包括(1)、(2)和(3)。2、(4)型半導(dǎo)體中,自由電子是多數(shù)載流子,空穴是少數(shù)載流子。3、為提高多級放大電路的帶負(fù)載能力,常選用(5)電路作為輸出級。4、三極管的輸出特性
2024-11-09 05:29
【摘要】《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(shí)(),反偏時(shí)(),所以PN結(jié)具有()導(dǎo)電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關(guān),而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時(shí),結(jié)電阻為(),等效成一條直線;當(dāng)其反偏時(shí),結(jié)電阻為(),等效成斷開;
2025-03-28 04:55
【摘要】1模擬試題一一、選擇填空(每空1分,共20分)1.純凈的半導(dǎo)體叫()。摻入3價(jià)雜質(zhì)元素形成的半導(dǎo)體叫(),它主要靠導(dǎo)電()。A.空穴B.本征半導(dǎo)體C.P型半導(dǎo)體D.自由電子2.PN結(jié)正偏時(shí),多子的()運(yùn)動(dòng)較強(qiáng),PN結(jié)變薄,結(jié)電阻較()。A.?dāng)U散B.漂移C.小D.大3.三極管有()和()兩
2024-10-25 19:42
【摘要】《數(shù)字電子技術(shù)》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、十六進(jìn)制數(shù)97,對應(yīng)的十進(jìn)制數(shù)為151。2、“至少有一個(gè)輸入為0時(shí),輸出為0”描述的是與運(yùn)算的規(guī)則。3、4變量邏輯函數(shù)有16個(gè)最小項(xiàng)。4、基本邏輯運(yùn)算有:與、或和非運(yùn)算。5、兩二進(jìn)制數(shù)相加時(shí),不考慮低位的進(jìn)位信號是半加器。6、TTL器件輸入腳懸空相當(dāng)于輸入
2025-06-25 14:53
【摘要】1、工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng)IB從12μA增大到22μA時(shí),IC從1mA變?yōu)?mA,那么它的β約為。【】A.83B.91C.1002、已知圖所示電路中VCC=12V,RC=3kΩ,靜態(tài)管壓降UCEQ=6V;并在輸出端加負(fù)載電阻RL,其阻值為3kΩ。選擇一個(gè)合適的答案填入空內(nèi)。(1)該電路的
2025-07-01 20:13
【摘要】1《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(shí)(),反偏時(shí)(),所以PN結(jié)具有()導(dǎo)電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關(guān),而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時(shí),結(jié)電阻為(),
2024-10-28 11:04
【摘要】模擬電子技術(shù)試題1一、選擇填空(30分)1.本征半導(dǎo)體電子濃度()空穴濃度;N型半導(dǎo)體的電子濃度()空穴濃度;P型半導(dǎo)體的電子濃度()空穴濃度。a:大于;b:小于;c:等于。2.場效應(yīng)管屬于()控制型器件,晶體三極管則屬于()控制器件。a:電壓;b:電流
2025-01-10 21:39
【摘要】《模擬電子技術(shù)與應(yīng)用》試題(1)一、填空(16分)1.半導(dǎo)體二極管的主要特性是___________。2.三極管工作在放大區(qū)時(shí),發(fā)射結(jié)為____偏置,集電結(jié)為_____偏置;工作在飽和區(qū)時(shí)發(fā)射結(jié)為___偏置,集電結(jié)為____偏置。3.當(dāng)輸入信號頻率為fL和fH時(shí),放大倍數(shù)的幅值約下降為中頻時(shí)的__倍,或者是下降了__dB,此時(shí)與中頻時(shí)相比,放大倍數(shù)的附加相移約為_____。
【摘要】模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)題一、判斷題(在正確的論斷前的括號內(nèi)填入“√”,否則填入“×”。)第二章(×)1.運(yùn)算電路中一般引入正反饋。(√)2.凡是運(yùn)算電路都可利用“虛短”和“虛斷”的概念求解運(yùn)算關(guān)系。第三章(×)1.因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以
2024-10-31 08:12
【摘要】1《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(shí)(),反偏時(shí)(),所以PN結(jié)具有()導(dǎo)電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關(guān),而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時(shí),結(jié)電阻為(
【摘要】模擬電子技術(shù)模擬試題卷庫試卷一一、單項(xiàng)選擇題:在下列各題中,將唯一正確的答案代碼填入括號內(nèi)(本大題共13小題,總計(jì)34分)2、(本小題2分)若用萬用表測二極管的正、反向電阻的方法來判斷二極管的好壞,好的管子應(yīng)為()。(a)正、反向電阻相等(b)正向電阻大,反向電阻小(c)反向電阻比正向電
2025-06-10 06:38