【摘要】模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)題一、判斷題(在正確的論斷前的括號(hào)內(nèi)填入“√”,否則填入“×”。)第二章(×)1.運(yùn)算電路中一般引入正反饋。(√)2.凡是運(yùn)算電路都可利用“虛短”和“虛斷”的概念求解運(yùn)算關(guān)系。第三章(×)1.因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以
2024-10-31 08:12
【摘要】《模擬電子技術(shù)》復(fù)習(xí)題綜合(第1、2章)一、選擇題1、在本征半導(dǎo)體中摻入微量的D價(jià)元素,形成N型半導(dǎo)體。2、在N型半導(dǎo)體中摻入濃度更大的C價(jià)元素,變成為P型半導(dǎo)體。3、在本征半導(dǎo)體中,自由電子濃度B空穴濃度。4、在P型半導(dǎo)體中,自由電子濃度C空穴濃
2025-06-10 02:14
【摘要】1、在本征半導(dǎo)體中摻入微量的D價(jià)元素,形成N型半導(dǎo)體。2、在N型半導(dǎo)體中摻入濃度更大的C價(jià)元素,變成為P型半導(dǎo)體。3、在本征半導(dǎo)體中,自由電子濃度B空穴濃度。4、在P型半導(dǎo)體中,自由電子濃度C空穴濃度。5、本征半導(dǎo)體溫度升高以后自
2025-06-27 23:32
【摘要】填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,。2、二極管的正向電阻??;反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。4、二極管最主要的電特性是單向?qū)щ娦?,穩(wěn)壓二極管在使用時(shí),穩(wěn)壓二極管與負(fù)載并聯(lián),
2025-04-20 05:05
【摘要】1《模擬電子技術(shù)》綜合復(fù)習(xí)資料第一章常用半導(dǎo)體器件一、選擇1、在晶體管放大電路中,測(cè)得晶體管的各個(gè)電極的電位如下圖所示,該晶體管的類型是[A]A.NPN型硅管B.PNP型硅
2024-11-09 05:51
【摘要】《模擬電子技術(shù)》綜合復(fù)習(xí)資料第一章常用半導(dǎo)體器件一、選擇1、在晶體管放大電路中,測(cè)得晶體管的各個(gè)電極的電位如下圖所示,該晶體管的類型是[A]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型鍺管
2025-06-08 21:32
【摘要】《模擬電子技術(shù)》復(fù)習(xí)題一一、填空題1、在N型半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子是;在P型半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子是。2、場(chǎng)效應(yīng)管從結(jié)構(gòu)上分為結(jié)型和兩大類,它屬于控制性器件。3、為了使高阻信號(hào)源與低阻負(fù)載能很好地配合,可以在信號(hào)源與負(fù)載之間接入(共射、共集、共基)組態(tài)放大電路。4、在多級(jí)
【摘要】《電子技術(shù)》復(fù)習(xí)題一、填空題、正弦量的三要素是指、和。幅值、頻率、初相位、圖示電路中,();()。Ω、Ω()()、額定功率為的電器,額定電壓下,工作小時(shí),消耗的電是度。、已知,則,,,。2、、、30O、差分放大電路輸入端加上大小相等、極性相同的兩個(gè)信號(hào),稱為信
2025-04-20 07:29
【摘要】電力電子技術(shù)復(fù)習(xí)2011一、選擇題(每小題10分,共20分)1、單相半控橋整流電路的兩只晶閘管的觸發(fā)脈沖依次應(yīng)相差?????A???度。A、180°,?B、60°,?c、360°,?D、120°2、α為?
2025-06-03 07:08
【摘要】《電工與電子技術(shù)》復(fù)習(xí)題答案一、單選題(每小題1分)1、(A)2、(D)3.(D)4、(B)5.(C)6.(B)7.(A)8.(A)9.(C)
2024-11-02 06:52
【摘要】中南大學(xué)現(xiàn)代遠(yuǎn)程教育課程考試復(fù)習(xí)題及參考答案《電子技術(shù)基礎(chǔ)》模擬電子技術(shù)部份第1章 半導(dǎo)體二極管習(xí)題選解第2章半導(dǎo)體三極管習(xí)題選解第3章放大電路基礎(chǔ)習(xí)題選解
2025-06-26 22:35
【摘要】1一、單項(xiàng)選擇題:在下列各題中,將唯一正確的答案代碼填入括號(hào)內(nèi)1、在圖示電路中,已知US=2V,IS=-2A。A、B兩點(diǎn)間的電壓UAB為()。(a)-3V (b)-1V (c)-2V1題
2025-06-03 12:20
【摘要】中南大學(xué)現(xiàn)代遠(yuǎn)程教育課程考試(??疲?fù)習(xí)題及參考答案電子技術(shù)基礎(chǔ)一、選擇題:1.在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,少子濃度主要取決于()(A)摻入雜質(zhì)的濃度、(B)材料、(C)溫度2.測(cè)得某PNP型三極管各極點(diǎn)位為:UB=-3VUE=-4VUC=-6V,則該管工作于()(A)放大狀態(tài)、(B)飽和狀
【摘要】2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過(guò)電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。,也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無(wú)摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體,由于摻雜濃度低,低摻雜N區(qū)就可以承受很高的電壓而不被擊穿。2-2.使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?答:使晶閘管導(dǎo)通的條件是:晶閘管承受正
2025-04-20 07:00