【正文】 毛潔2012年6月[參考文獻(xiàn)][1] 朱志剛，李寶山等，硅摻雜PMSPZT材料的晶界行為對(duì)疇結(jié)構(gòu)和壓電性能的影響[J].無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào)，2005, 20 (3), 641647.[2] 李正杰，鈮酸鹽基無(wú)鉛壓電陶瓷的制備與性能研究[D].天津大學(xué)凝聚態(tài)理，2010.[3] 牟國(guó)洪，楊世源等，PZT壓電陶瓷制備中的幾個(gè)問(wèn)題[J].材料導(dǎo)報(bào)，2004, 18 (3), 3236.[4] 趙鳴，侯育東等，大功率壓電變壓器用壓電陶瓷材料發(fā)展現(xiàn)狀[J].材料導(dǎo)報(bào)，2003, 17 (9), 7884.[5] 章邦勞，常云飛，鋯鈦比變化對(duì)PZTPZNPMS壓電陶瓷相結(jié)構(gòu)及電學(xué)性能的影響[J].陜西師范大學(xué)學(xué)報(bào)，2007, 35(1), 7478[6] Juhyun Yoo, Ilha Lee, et al., Piezoelectric and dielectric properties of low temperature sintering Pb(Mn1/3Nb2/3)O3–Pb(Zn1/3Nb2/3)O3–Pb()O3 ceramics with variation of sintering time[J]. Electroceram, 23 (2009) 519–523.[7] YuDong Hou, ManKang Zhu, et al., Effects of atmospheric powder on microstructure and piezoelectric properties of PMZNPZT quaternary ceramics[J]. 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Soc 25 (2011) 1–[22]34。在此，我懷著無(wú)比激動(dòng)的心情，表示我對(duì)他們最衷心的謝意。他們嚴(yán)謹(jǐn)?shù)慕虒W(xué)態(tài)度，崇實(shí)的教學(xué)精神，以及淵博的知識(shí)，使我領(lǐng)悟到了“厚德、篤學(xué)、崇實(shí)、尚新”的校訓(xùn)。同時(shí)感謝同一個(gè)實(shí)驗(yàn)室的每一位學(xué)長(zhǎng)學(xué)姐在實(shí)驗(yàn)室給我提供的幫助。左老師淵博的知識(shí)、嚴(yán)謹(jǐn)?shù)闹螌W(xué)態(tài)度給我留下了極其深刻的印象，也使我受益菲淺。本論文是在左如忠老師的指導(dǎo)下完成的。謝 辭經(jīng)過(guò)兩個(gè)多月的忙碌和工作，本次畢業(yè)論文已經(jīng)接近尾聲。當(dāng)x=, y=0, w=, 燒結(jié)溫度為1200176。體系的最佳燒結(jié)溫度為1200176。C1275176。（3）研究了燒結(jié)溫度對(duì)陶瓷壓電、介電性能的影響。一定范圍內(nèi)隨著氧化鈮含量的增加，晶粒尺寸逐漸減小，且一些晶粒異常長(zhǎng)大的現(xiàn)象得到很好的抑制，粒徑分布范圍變窄，均一。研究了Nb、Nd、Ce摻雜和燒結(jié)溫度對(duì)體系相結(jié)構(gòu)、顯微結(jié)構(gòu)和壓電、介電性能的影響。綜上所述，最后確定1200176。而當(dāng)燒結(jié)溫度高于1200176。d33與晶粒尺寸有關(guān)，晶粒越大，壓電性能越好。C1275176。當(dāng)溫度進(jìn)一步升高時(shí)，其密度降低而使得Qm減小。 顯示了各組分陶瓷試樣的機(jī)電品質(zhì)因數(shù)Qm隨燒結(jié)溫度變化的關(guān)系。當(dāng)樣品中晶粒較小時(shí)，晶界含量較多，機(jī)械能的傳遞受到阻礙；當(dāng)晶粒較大時(shí)，晶界含量減小，由晶界造成的對(duì)電疇轉(zhuǎn)向的緩沖作用減弱，因而電疇翻轉(zhuǎn)容易。當(dāng)燒結(jié)溫度高于1200176。C是有極大值，其中PZTMS5的Kp極大值在各組分中最大。C1275176。 樣品的εT33 /ε0隨燒結(jié)溫度變化的關(guān)系。隨鈮含量的增加，介電常數(shù)增加，表現(xiàn)出明顯的軟性特征。當(dāng)溫度高于1200176。C。C的燒結(jié)溫度下的相對(duì)介電常數(shù)ε /εo。C、1250176。PZTMS1 PZTMS2PZTMS3 PZTMS4PZTMS5 不同組分陶瓷樣品在1200oC下SEM顯微圖、壓電性能 給出了PZTMS+xwt.%Nb2O5+ywt.%Nd2O3+wmol%CeO2體系分別在1200176。圖PZTMS4和PZTMS5是在添加了氧化鈮的基礎(chǔ)上又加入了氧化釹和氧化鈰，可見(jiàn)，氧化釹同樣可以使晶粒減小且均一，但致密化效果不如氧化鈰。另外可以看出晶粒間的閉氣孔逐漸減少，陶瓷材料更加致密。圖中沒(méi)有明顯的衍射峰偏移或位置的改變，說(shuō)明鈮含量的變化對(duì)于晶胞參數(shù)沒(méi)有太大影響。加入氧化鈰、氧化銣等氧化物后，仍沒(méi)有雜質(zhì)峰的出現(xiàn)，可見(jiàn)，該結(jié)構(gòu)具有很好的穩(wěn)定性；且氧化物離子均進(jìn)入晶格，成為結(jié)構(gòu)的組成部分。（1200oC、1225oC、1250oC、1275oC）下密度 XRD分析 1200oC下樣品的XRD圖 表示在1200oC溫度下樣品的XRD圖。這可能是由于隨著溫度的升高，樣品中產(chǎn)生大量的液相，液相會(huì)聚集在晶界，因而密度降低。由圖可知。本實(shí)驗(yàn)采用阻抗分析儀PV70A測(cè)試樣品的Qm值。Qm 的大小以與相應(yīng)的諧振方式有關(guān)，無(wú)特別說(shuō)明時(shí)表示平面（或徑向）振動(dòng)的機(jī)械品質(zhì)因數(shù)。振動(dòng)時(shí)晶格形變產(chǎn)生內(nèi)摩擦，而損耗一部分能量（轉(zhuǎn)換成熱能）。本實(shí)驗(yàn)采用阻抗分析儀PV70A測(cè)試樣品的Kp。②機(jī)電耦合系數(shù)Kp機(jī)電耦合系數(shù)K是綜合反映壓電材料性能的參數(shù)，它表示壓電材料機(jī)械能與電能的耦合效應(yīng)，是生產(chǎn)上用的最多的一個(gè)參數(shù)，定義為：K2=逆壓電效應(yīng)轉(zhuǎn)換的機(jī)械能/輸入總電能或K2=正壓電效應(yīng)轉(zhuǎn)換的電能/輸入總機(jī)械能Kp為平面機(jī)電耦合系數(shù)，表示薄圓片振子沿徑向伸縮振動(dòng)時(shí)的機(jī)電耦合系數(shù)。當(dāng)沿壓電陶瓷的極化方向施加壓應(yīng)力T3時(shí)，在電極面上產(chǎn)生電荷，則有下列關(guān)