【正文】 毛潔2012年6月[參考文獻(xiàn)][1] 朱志剛，李寶山等，硅摻雜PMSPZT材料的晶界行為對疇結(jié)構(gòu)和壓電性能的影響[J].無機(jī)材料學(xué)報，2005, 20 (3), 641647.[2] 李正杰，鈮酸鹽基無鉛壓電陶瓷的制備與性能研究[D].天津大學(xué)凝聚態(tài)理，2010.[3] 牟國洪，楊世源等，PZT壓電陶瓷制備中的幾個問題[J].材料導(dǎo)報，2004, 18 (3), 3236.[4] 趙鳴，侯育東等，大功率壓電變壓器用壓電陶瓷材料發(fā)展現(xiàn)狀[J].材料導(dǎo)報，2003, 17 (9), 7884.[5] 章邦勞，常云飛，鋯鈦比變化對PZTPZNPMS壓電陶瓷相結(jié)構(gòu)及電學(xué)性能的影響[J].陜西師范大學(xué)學(xué)報，2007, 35(1), 7478[6] Juhyun Yoo, Ilha Lee, et al., Piezoelectric and dielectric properties of low temperature sintering Pb(Mn1/3Nb2/3)O3–Pb(Zn1/3Nb2/3)O3–Pb()O3 ceramics with variation of sintering time[J]. Electroceram, 23 (2009) 519–523.[7] YuDong Hou, ManKang Zhu, et al., Effects of atmospheric powder on microstructure and piezoelectric properties of PMZNPZT quaternary ceramics[J]. Journal of the European Ceramic Society, 24 (2004) 3731–3737.[8] Baoshan Li, Guorong Li, et al., In?uence of particle size on the sintering behavior and highpower piezoelectric properties of PMnN–PZT ceramics[J]. Materials Science and Engineering B ,121 (2005) 92–97.[9] 陸翠敏，孫清池等，Pb(Mn 1/3Sb2/3) xO3壓電陶瓷準(zhǔn)同型相界附近的性能[J].硅酸鹽學(xué)報, 33 (2005)157162.[10] ChengChe Tsai, ShengYuan Chu, ChihKuo Liang. Lowtemperature sintered PMnNPZT based ceramics using the Bsite oxideprecursor method for therapeutic transducers[J]. Journal of Alloys and Compounds, 478 (2009) 516–522. [11] C. Miclea a, C. Tanasoiu a, et al., Effect of lead content on the structure and piezoelectric properties of hard type lead titanate–zirconate ceramics[J]. Journal of the European Ceramic Society, 27 (2007) 4055–4059.[12] Yongke Yan, KyungHoon Cho and Shashank Priya. Identi?cation and effect of secondary phase in MnO2doped ()O3–(Zn1/3Nb2/3)O3 piezoelectric ceramics[J]. J. Am. Ceram. Soc., 94 (2011) 3953–3959. [13] 朱志剛，李寶山等，燒結(jié)溫度對PMSPZT系陶瓷顯微結(jié)構(gòu)和壓電性能的研究[J].無機(jī)材料學(xué)報, 20 (2005) 10011008.[14] 何杰、孫清池等，燒結(jié)溫度對PMSZT壓電陶瓷性能的影響[J].稀有金屬材料與工程, 37 (2008) 195199.[15] Hongliang Du, Shaobo Qub, et al., The effect of position on microstructure and properties of PNW–PMS–PZT ceramics for highpower piezoelectric transformer[J]. Materials Science and Engineering. A 393 (2005) 36–41.[16] YuDong Hou, ManKang Zhu, et al., Structure and electrical properties of PMZN–PZT quaternary ceramics for piezoelectric transformers[J]. Sensors and Actuators A 116 (2004) 455–460.[17] 宗喜梅、楊祖培等，MnO2含量變化對PZTPFWPMN大功率壓電陶瓷電性能的影響[J]. 太原師范學(xué)院學(xué)報, 10 (2011) 6267.[18] 鄧毅華，低介電常數(shù)低損耗PZNPZT壓電陶瓷的制備及性能研究[D].華南理工大學(xué)材料學(xué)院，2006.[19] 祝蘭，PMSPZT壓電陶瓷的制備及性能研究[D].暨南大學(xué)凝聚態(tài)物理，2010年.[20] SUN Qingchi and LU Cuimin et al. Effects of CeO2 doping on the structure and properties of PSNPZNPMSPZT piezoelectric ceramics[J]. Rare Metals. 24 (2005) 235241[21] Gao Feng, Cheng Lihong, et al., Crystal structure and piezoelectric properties of xPb(Mn1/3Nb2/3)O3–()Pb(Zn1/3Nb2/3)O3–()O3 ceramics[J]. Ceramics International 35 (2009) 1719–1723.[22] Yongke Yan, KyungHoon Cho and Shashank Priya. Role of secondary phase in high power piezoelectric PMNPZT ceramics[J]. J. Am. Ceram. Soc 25 (2011) 1–4.31。在此，我懷著無比激動的心情，表示我對他們最衷心的謝意。他們嚴(yán)謹(jǐn)?shù)慕虒W(xué)態(tài)度，崇實(shí)的教學(xué)精神，以及淵博的知識，使我領(lǐng)悟到了“厚德、篤學(xué)、崇實(shí)、尚新”的校訓(xùn)。同時感謝同一個實(shí)驗(yàn)室的每一位學(xué)長學(xué)姐在實(shí)驗(yàn)室給我提供的幫助。左老師淵博的知識、嚴(yán)謹(jǐn)?shù)闹螌W(xué)態(tài)度給我留下了極其深刻的印象，也使我受益菲淺。本論文是在左如忠老師的指導(dǎo)下完成的。謝 辭經(jīng)過兩個多月的忙碌和工作，本次畢業(yè)論文已經(jīng)接近尾聲。當(dāng)x=, y=0, w=, 燒結(jié)溫度為1200176。體系的最佳燒結(jié)溫度為1200176。C1275176。（3）研究了燒結(jié)溫度對陶瓷壓電、介電性能的影響。一定范圍內(nèi)隨著氧化鈮含量的增加，晶粒尺寸逐漸減小，且一些晶粒異常長大的現(xiàn)象得到很好的抑制，粒徑分布范圍變窄，均一。研究了Nb、Nd、Ce摻雜和燒結(jié)溫度對體系相結(jié)構(gòu)、顯微結(jié)構(gòu)和壓電、介電性能的影響。綜上所述，最后確定1200176。而當(dāng)燒結(jié)溫度高于1200176。d33與晶粒尺寸有關(guān)，晶粒越大，壓電性能越好。C1275176。當(dāng)溫度進(jìn)一步升高時，其密度降低而使得Qm減小。 顯示了各組分陶瓷試樣的機(jī)電品質(zhì)因數(shù)Qm隨燒結(jié)溫度變化的關(guān)系。當(dāng)樣品中晶粒較小時，晶界含量較多，機(jī)械能的傳遞受到阻礙；當(dāng)晶粒較大時，晶界含量減小，由晶界造成的對電疇轉(zhuǎn)向的緩沖作用減弱，因而電疇翻轉(zhuǎn)容易。當(dāng)燒結(jié)溫度高于1200176。C是有極大值，其中PZTMS5的Kp極大值在各組分中最大。C1275176。 樣品的εT33 /ε0隨燒結(jié)溫度變化的關(guān)系。隨鈮含量的增加，介電常數(shù)增加，表現(xiàn)出明顯的軟性特征。當(dāng)溫度高于1200176。C。C的燒結(jié)溫度下的相對介電常數(shù)ε /εo。C、1250176。PZTMS1 PZTMS2PZTMS3 PZTMS4PZTMS5 不同組分陶瓷樣品在1200oC下SEM顯微圖、壓電性能 給出了PZTMS+xwt.%Nb2O5+ywt.%Nd2O3+wmol%CeO2體系分別在1200176。圖PZTMS4和PZTMS5是在添加了氧化鈮的基礎(chǔ)上又加入了氧化釹和氧化鈰，可見，氧化釹同樣可以使晶粒減小且均一，但致密化效果不如氧化鈰。另外可以看出晶粒間的閉氣孔逐漸減少，陶瓷材料更加致密。圖中沒有明顯的衍射峰偏移或位置的改變，說明鈮含量的變化對于晶胞參數(shù)沒有太大影響。加入氧化鈰、氧化銣等氧化物后，仍沒有雜質(zhì)峰的出現(xiàn)，可見，該結(jié)構(gòu)具有很好的穩(wěn)定性；且氧化物離子均進(jìn)入晶格，成為結(jié)構(gòu)的組成部分。（1200oC、1225oC、1250oC、1275oC）下密度 XRD分析 1