微電子器件劉剛前三章課后答案(參考版)
2025-06-23 05:30本頁面
【正文】 \50 / 50。解： ，少數(shù)載流子濃度為電導(dǎo)率為電阻率為 寫出下列狀態(tài)下連續(xù)性方程的簡化形式：（1）無濃度梯度、無外加電場、有光照、穩(wěn)態(tài)；（2）無外加電場、無光照等外因引起載流子的產(chǎn)生，穩(wěn)態(tài)。解：，所以 光照射在一塊摻雜濃度為的N型硅樣品上，假設(shè)光照引起的載流子產(chǎn)生率為，求少數(shù)載流子濃度和電阻率，并畫出光照前后的能帶圖。則施主雜質(zhì)的濃度為，其截面積為，長度為。，試估算施主雜質(zhì)濃度。此時，硅材料中空穴濃度為 準自由電子濃度為 ，它們分別摻有的硼和磷，試計算300K時這兩塊樣品的電阻率，并說明為什么N型硅的導(dǎo)電性比同等摻雜的P型硅好。如果摻入的是磷原子它們又是多少？解：硼原子摻入硅晶體中可以引入受主雜質(zhì)，材料是P型半導(dǎo)體：該樣品的空穴是多子，其濃度為電子是少子，其濃度為費米能級為。 硅中的施主雜質(zhì)濃度最高為多少時材料是非簡并的。于是有能級為ED的量子態(tài)被被電子占據(jù)的幾率為上述結(jié)果說明，施主能級上的電子幾乎全部電離。根據(jù)計算結(jié)果檢驗常溫下雜質(zhì)幾乎完全電離的假設(shè)是否正確。習 題1 計算速度為的自由電子的德布洛意波長。但是，在雜質(zhì)半導(dǎo)體中往往有，或者，存在著多數(shù)載流子和少數(shù)載流子。本征半導(dǎo)體中導(dǎo)電的載流子是由于本征激發(fā)而產(chǎn)生的電子和空穴。解：半導(dǎo)體的導(dǎo)電機理與金屬是不同的。 什么是擴散長度？擴散長度與非平衡少數(shù)載流子壽命有何關(guān)系？解：擴散長度是描述載流子濃度隨
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