微電子器件課件-3-(參考版)
2025-08-07 15:48本頁面
【正文】 特別是當 WB ?m 后，再減小 WB 幾乎對提高 fT 不起多少作用，反而產(chǎn)生諸如提高 rbb’ ，降低 VA 等副作用。 高頻晶體管的 fT 與 ?ec 2dcBe c e b b d c e TE c s TCB m a x21 122xWr C r CDv? ? ? ? ? ????? ? ? ? ? ? ? ? ?????Tec12f ??? 當 WB 較大， fT 較低時，提高 fT 的主要措施是減小 WB 。 發(fā)射區(qū)延遲時間 E B C Ce c s CEC, dkTrrqI A??? 例： 某 C 波段低噪聲小信號晶體管，具有如表 34 所示的設(shè)計參數(shù)。這是因為 VBC 減小時集電結(jié)耗盡區(qū)變薄， CTC 增加，從而使 ?c 增加。但是 ?b 的增加要比 ?d 的減小大得多，所以 fT 在大電流時隨電流的增大而降低。 大電流時，當基區(qū)發(fā)生縱向擴展 ?WB 時，使基區(qū)渡越時間 ?b 增加。 特征頻率的測量 特征頻率隨偏置電流的變化 2dcBe c e TE c s TCT E B m a x1 2 112 2 2xWkT r C r Cf q I D v?? ? ???? ? ? ? ? ? ????? 小電流時 ,隨著 IE 或 IC 的增大， ?eb 減小，使 fT 提高，所以 fT 在小電流時隨電流的增大而提高。 ????ffj??10 由 ?? 實際測量 fT 時，不一定要測到使 下降為 1 時的頻率，而是在 的條件下測量 （ 可以大于 1 ），然后根據(jù) ，即可得到 || ??Tf f f? ?? || ??0 T|| f fff???? ??TT| | , ( )f f f f f???? ? ? 由于上式， fT 又稱為晶體管的 增益帶寬乘積 。 || ??|| ??ff ???? 0? 定義： 當 降為 1 時的頻率稱為 特征頻率 ，記為 fT 。00bbee111jmjmjj??? ? ???? ????????????????????????????? 000 ??? ?0?（ 2）對 fa 500 MHz 的現(xiàn)代微波管， WB 1 ?m ， ?b 只占 ?ec 中很小一部分， 就更小了，因此，可忽略 ，得： bm?? bm??00ece c e b b d c1111jj???????????? ? ? ? ?????????? 共發(fā)射極高頻小信號短路電流放大系數(shù)及其截止頻率 bbb0e c b00e 1()1e11ejmjmjmmj??? ??????? ? ??????????? ?????將 代入，得： b0e c be1 ( )jmjm?????? ? ???? ???若忽略 ，得： bm??00ec0 0 e c011111jj??????? ? ? ??? ? ?????cbc0b 1vii?????????? 的截止角頻率 和 截止頻率 ，記為 和 ，即： 定義： 當 下降到 時的角頻率和頻率分別稱為 ||??0 e c1?? ???021 ?0 e c12f ? ? ? ??這時 又可表為 ????????ffjj ????1100?? ?? ?f?? 與 的關(guān)系 在忽略 的情況下， bm?????????????fff ??????00e c b e c11 ,m?? ? ? ??? ??所以 ???? 晶體管的特征頻率 隨頻率的變化 ????ffj??10；，相角，時，當 o00 4521 ?????? ???? ??? jff，為實數(shù)，相角為零；時，當 0?? ?? ??? ffo000 90, ???????? 相角，時，當ffffjffjff ????????????? 在此頻率范圍內(nèi)， ic 比 ib 滯后 900 ，且 與 f 成反比，即 頻率每加倍， 減小一半。相角， 00 0 ??? ??? ????? ?f這時 與 的區(qū)別僅在于用 代替 。 EEEC0 ddIIII ??? ?????2E B
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