【摘要】微電子器件封裝-封裝材料與封裝技術(shù)朱路平城市建設(shè)與環(huán)境工程學院Email:QQ:422048712?WaferPackageSingleICAssemblyPackagingAssemblyistheBridgeBetweenICandSystem!本課程為材料專業(yè)本
2024-12-30 15:55
【摘要】微電子器件測試與封裝-第四章深愛半導體股份有限公司封裝部-謝文華器件的分類Page2內(nèi)容|半導體器件測試SHENZHENSISEMICONDUCTORSCO.,LTD?半導體器件?一、集成電路?ASIC?存儲器?FPGA?二、分立器件?雙極晶體管——Transistor
2025-01-03 04:40
【摘要】微電子器件基礎(chǔ)第八章半導體功率器件橫截面示意圖相互交叉的晶體管結(jié)構(gòu)功率晶體管的特性1.較寬的基區(qū)寬度,更小的電流增益。2.大面積器件,更低的截至頻率。3.集電極最大額定電流遠大于于小信號晶體管。
2024-12-29 20:50
【摘要】集成微電子器件主講:徐靜平教授緒??????論l微電子器件的發(fā)展歷史和現(xiàn)狀:1947年:點接觸晶體管問世;1950年代:可控制導電類型的超高純度單晶問世,結(jié)型晶體管出現(xiàn)(取代真空管,收音機);1960年代:第一代集成電路(IC)出現(xiàn),電視時代;1970年代:集成電路(IC)
【摘要】第七章長溝道MOSFETs(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)?MOSFETs的基本工作原理?漏電流模型?MOSFETs的I-V特性?亞閾特性?襯底偏置效應和溫度特性對閾值電壓的影響?MOSFET溝道遷移率?MOSFET電容和反型層電容的影響?MOSFET的頻率特性
【摘要】MOSFET的亞閾區(qū)導電本節(jié)以前的漏極電流公式只適用于VGSVT,并假設(shè)當VGS=VT時ID=0。但實際上當VGSVT時,MOSFET仍能微弱導電,這稱為亞閾區(qū)導電。這時的漏極電流稱為亞閾電流,記為IDsub。定義:使硅表面處于本征狀態(tài)
2024-12-30 23:00
【摘要】PN結(jié)在正向電壓下電流很大,在反向電壓下電流很小,這說明PN結(jié)具有單向?qū)щ娦裕勺鳛槎O管使用。PN結(jié)的直流電流電壓方程結(jié)的直流電流電壓方程PN結(jié)二極管的直流電流電壓特性曲線,及二極管在電路中的符號為本節(jié)的重點本節(jié)的重點1、中性區(qū)與耗盡區(qū)邊界處的少子濃度與外加電壓
2024-12-29 19:38
【摘要】高頻小信號電流電壓方程與等效電路高頻小信號電流電壓方程與等效電路推導步驟首先利用電荷控制方程得到“i~q”關(guān)系,然后再推導出“q~v”關(guān)系,兩者結(jié)合即可得到“i~v”方程。本節(jié)以均勻基區(qū)NPN管為例。(并推廣到高頻小信號)先列出一些推導中要用到的關(guān)系式:
【摘要】電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系對高頻信號進行放大時,首先用被稱為“偏置”或“工作點”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號疊加在輸入端的直流偏置上。當信號電壓的振幅遠小于(kT/q)時,稱為小信號。這時晶體管內(nèi)與信號有關(guān)的各電壓、電流和電荷量,
【摘要】電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系對高頻信號進行放大時,首先用被稱為“偏置”或“工作點”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號疊加在輸入端的直流偏置上。當信號電壓的振幅遠小于(kT/q)時,稱為小信號。這時晶體管內(nèi)與信號有關(guān)的各電壓、電流和電荷量,都由直流偏置和
2025-01-22 07:34
【摘要】幾種重要的微電子器件幾種重要的微電子器件主要內(nèi)容?薄膜晶體管TFT?光電器件?電荷耦合器件薄膜晶體管?薄膜晶體管(ThinFilmTransistor,TFT)通常是指利用半導體薄膜材料制成的絕緣柵場效應晶體管?非晶硅薄膜晶體管(a-SiTFT)?多晶硅薄膜晶體管(poly-SiTFT)?碳化硅薄膜晶體管
2025-01-03 04:14
【摘要】微電子器件工藝學序言趙岳聯(lián)系電話:13817882241,56336339Email:地址:電子材料系319室或210室微電子科技的重要性?微電子技術(shù)已經(jīng)滲透到社會的各個領(lǐng)域,影響面極廣,發(fā)展微電子技術(shù)是當今高科技發(fā)展的關(guān)鍵問題?微電子科學是固體物理,微電子器件工藝和電子學基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一門新科學微電子工業(yè)是戰(zhàn)略性
【摘要】短溝道效應當MOSFET的溝道長度L↓時,分立器件:集成電路:??????MmaxpgmonmD,,,,,fKRgI?但是隨著L的縮短,將有一系列在普通MOSFET中不明顯的現(xiàn)象在短溝道MOSFET中變得嚴重起來,這一系
2025-05-02 00:54
【摘要】《電力電子技術(shù)》電子教案第1章電力電子器件2第1章電力電子器件(4學時)電力電子器件概述不可控器件——電力二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件(POWERMOSFET、IGBT)其他新型電力電子器件(自學)電力電子器件的驅(qū)動電力電子器件的
2025-02-19 20:18
【摘要】電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系對高頻信號進行放大時,首先用被稱為“偏置”或“工作點”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號疊加在輸入端的直流偏置上。當信號電壓的振幅遠小于(kT/q)時,稱為小信號。這時晶體管內(nèi)與信號有關(guān)的各電壓、電流和電荷量,都由直流偏
2025-08-07 15:48