特種陶瓷原料到設(shè)備的選用(參考版)
2025-05-31 00:25本頁(yè)面
【正文】 。你必須努力，當(dāng)有一天驀然回首時(shí)，你的回憶里才會(huì)多一些色彩斑斕，少一些蒼白無(wú)力。4. 歲月是無(wú)情的，假如你丟給它的是一片空白，它還給你的也是一片空白。既糾結(jié)了自己，又打擾了別人。用一些事情，總會(huì)看清一些人。2. 若不是心寬似海，哪有人生風(fēng)平浪靜。 于國(guó)強(qiáng)。 韓非。 陳宇紅，干壓結(jié)合冷等靜壓成形對(duì)陶瓷力學(xué)性能的影響，佛山陶瓷，2007年 11期 [10]陳宇紅。 任學(xué)平，數(shù)值模擬在陶瓷粉末材料冷等靜壓過(guò)程中的應(yīng)用，材料科學(xué)與工藝，2002年 01期 [9]陸有軍。 第六章 參考文獻(xiàn) [1]陳宇紅；韓鳳蘭；吳瀾爾，碳化硅陶瓷的無(wú)壓燒結(jié)技術(shù)，寧夏工程技術(shù)，2002，1（1）[12][A〕. of the co erreneeon cearmies of high applieations[C],Hyans:MA1975:239.[13] 劉明剛. 碳化硅陶瓷的無(wú)壓燒結(jié)及性能研究[D]. [2]趙霞；唐竹興，碳化硅陶瓷材料的成型工藝進(jìn)展，現(xiàn)代技術(shù)陶瓷，2010年第4期 [3]徐森，氣流粉碎制備碳化硅微粉初探，中國(guó)粉體技術(shù)，2002,8（6） [4]李文新；李文輝，常壓燒結(jié)碳化硅陶瓷的力學(xué)性能與質(zhì)量密度，哈爾濱理工大學(xué)學(xué)報(bào)，2002，7（2） [5]宋祖?zhèn)?；戴長(zhǎng)虹；翁長(zhǎng)根，碳化硅陶瓷粉體的制備技術(shù)，青島化工學(xué)院學(xué)報(bào)，2001,22(2) [6]魯燕萍，陶瓷冷等靜壓成型技術(shù)，北京真空電子技術(shù)研究所，2011年 04期 [7]劉景林，在生產(chǎn)結(jié)構(gòu)陶瓷工藝中冷態(tài)等靜壓成型方法的特點(diǎn)，耐火與石灰，2007年 03期 [8]賀峻。 抗壓強(qiáng)度的計(jì)算公式：RC= P/A （） （）式中： A—試樣受壓面積（cm2）； dd2—試樣上、下受壓面的直徑（cm）； P—試樣破壞時(shí)的壓力（kg）； Rc—試樣的抗壓強(qiáng)度（kg/cm2）。 抗壓強(qiáng)度的測(cè)定 抗壓強(qiáng)度指外力只是壓力時(shí)材料的強(qiáng)度極限，特種陶瓷的抗壓強(qiáng)度是指在無(wú)側(cè)束狀態(tài)下所能承受的最大壓力，換言之，它指把特種陶瓷加壓至破裂所需要的應(yīng)力。用液體靜力天平和電子天平稱干試樣質(zhì)量(m1)、飽和試樣表觀質(zhì)量(m2)、飽和試樣空氣中質(zhì)量(m3)和浸漬液體的密度(Dl)。輔助劑：主要包括各類燒結(jié)助劑以及制備工藝當(dāng)中的分散劑等，有碳化硼、石油焦、炭黑、聚乙二醇、無(wú)水乙醇、三聚磷酸鈉等[13]。B的添加量在0．5％左右，C的添加量取決于SiC原料中氧含量高低，通常C的添加量與SiC粉料中的氧含量成正比[12]。 主要原料本工藝直接采用β－SiC粉，并通過(guò)氣流磨提高其比表面積和降低含氧量。 熱分解法：使聚碳硅烷或三氯甲基硅等有機(jī)硅聚合物在1200～1500℃的溫度范圍內(nèi)發(fā)生分解反應(yīng)，由此制得亞微米級(jí)的βSiC粉末。 化合法：在一定的溫度下，使高純的硅與碳黑直接發(fā)生反應(yīng)。因石英砂和焦炭中通常含有Al和Fe等雜質(zhì)，在制成的SiC中都固溶有少量雜質(zhì)。物料的選擇 SiC粉末的合成SiC在地球上幾乎不存在，僅在隕石中有所發(fā)現(xiàn)，因此，工業(yè)上應(yīng)用的SiC粉末都為人工合成。(水沫除塵器) 空
公司管理相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1