【正文】 References過(guò)三十篇國(guó)內(nèi)外專利發(fā)表識(shí)別碼構(gòu)想名稱申請(qǐng)單號(hào)（官方）申請(qǐng)日期修改Vxxx91001TW二極體結(jié)構(gòu)（臺(tái)灣）911002632002/01/09Vxxx91002CN發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)（大陸）911002632002/10/10Vxxx91002TW發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)（臺(tái)灣）911021432002/02/07Vxxx91004CN石晶屑之成長(zhǎng)方法（大陸）2002/11/14Vxxx91004TW石晶屑之成長(zhǎng)方法（臺(tái)灣）Vxxx91004US石晶屑之成長(zhǎng)方法（美國(guó)）method of forming group111 nitride semiductor layer on a lightemitting device10/4633552003/06/17Vxxx91006CN橫向石晶形成石晶之方法（大陸）2002/11/14Vxxx91006TW橫向石晶形成石晶之方法（臺(tái)灣）911244822002/10/23Vxxx91006US橫向石晶形成石晶之方法（美國(guó)）method of epitaxial lateral overgrowth10/4628922003/06/17Vxxx91007CN以碳化矽為基板為發(fā)光元件（大陸）2002/11/12Vxxx91007TW以碳化矽為基板為發(fā)光元件（臺(tái)灣）911219942002/09/25Vxxx91009CN高晶格匹配性發(fā)光元件（大陸）2002/12/23Vxxx91009TW高晶格匹配性發(fā)光元件（臺(tái)灣）911361602002/12/13Vxxx91009US高晶格匹配性發(fā)光元件（美國(guó)）10/6019572003/06/23Vxxx91010CN白光二極體（大陸）2002/03/27Vxxx91010TW白光二極體（臺(tái)灣）921057752003/03/17Vxxx91013JPIII族氧化物半導(dǎo)體發(fā)光體（日本共有）特願(yuàn)平101541161998/06/03Vxxx91014CN氧化體系化合物半導(dǎo)體之磊晶結(jié)構(gòu)及其製作方法（大陸）2003/03/07Vxxx91014TW氧化體系化合物半導(dǎo)體之磊晶結(jié)構(gòu)及其製作方法（臺(tái)灣）921048992003/03/07Vxxx91014US氧化體系化合物半導(dǎo)體之磊晶結(jié)構(gòu)及其製作方法（美國(guó)）10/6038642003/06/26Vxxx91015CN白光二極體（大陸）2003/03/25Vxxx91015TW白光二極體（臺(tái)灣）921045992003/03/04Vxxx91015US白光二極體（美國(guó)）10/6036592003/06/26Vxxx92001CN氧化物發(fā)光二極體之窗戶層結(jié)構(gòu)（大陸）2003/06/26Vxxx92001TW氧化物發(fā)光二極體之窗戶層結(jié)構(gòu)（臺(tái)灣）921129142003/05/13Vxxx92001US氧化物發(fā)光二極體之窗戶層結(jié)構(gòu)（美國(guó)）10/4474332003/05/28Vxxx92002CN氧化物性質(zhì)結(jié)構(gòu)光二極體（大陸）2003/06/26Vxxx92002TW氧化物性質(zhì)結(jié)構(gòu)光二極體（臺(tái)灣）921129152003/05/13Vxxx92002US氧化物性質(zhì)結(jié)構(gòu)光二極體（美國(guó)）10/4474342003/05/28Vxxx92003TWInGaN of MOW(臺(tái)灣)可發(fā)光之光學(xué)元件Vxxx92004TWAllnGaN of MOW（臺(tái)灣）發(fā)光二極體）Vxxx10001CN一種大功率LED封裝方法2010/01華人第一片可商品化藍(lán)光LED（本人攝於1998年2月26日工業(yè)技術(shù)研究院）GaN on Siwafer(本人攝於2004年6月9日 威凱科技)大功率LED（＞100lm/w，本人攝於2009年10月29日） 33。更低成本的製造技術(shù)先前已一再提到[技術(shù)]及[成本]兩項(xiàng)議題將是決定LED投身照明市場(chǎng)成敗的關(guān)鍵。現(xiàn)有因應(yīng)對(duì)策為：透過(guò)對(duì)晶片外延結(jié)構(gòu)之優(yōu)化設(shè)計(jì)，使用表面粗化技術(shù)等提高晶片內(nèi)外量子效率，減少無(wú)輻射複合產(chǎn)生的晶格震盪，從根本上減少散熱元件的負(fù)荷；通過(guò)優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)與材料，選擇以鋁基為主的金屬芯印刷電路板（MCPCB），使用陶瓷、複合金屬基板等方法，加快熱量從外延層直接向散熱基板導(dǎo)出熱源。對(duì)高功率LED而言，高驅(qū)動(dòng)電流造成晶片內(nèi)部熱量過(guò)高，導(dǎo)致發(fā)光波長(zhǎng)漂移、出光效率下降、螢光粉加速老化以及使用壽命縮短等一系列問(wèn)題。結(jié)構(gòu)最佳化透過(guò)LED封裝結(jié)構(gòu)或燈具結(jié)構(gòu)的最佳化設(shè)計(jì)，可增加LED光輻射的定向性，進(jìn)而增加垂直出光量及出光性能。三、供給面、需求面在原物料的供應(yīng)面上，因與上游供應(yīng)商的合作經(jīng)驗(yàn)充足，能與上游供應(yīng)商維持良好的溝通，基於互惠、共同成長(zhǎng)的理念，能幫助供應(yīng)商開(kāi)發(fā)新型高效產(chǎn)品以建立魚水互利的關(guān)係。高亮度、低成本的整合製造能力基於團(tuán)隊(duì)成員過(guò)去在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈上中下游的完整經(jīng)歷，與全球各大外延片、晶片廠擁有超過(guò)十年的合作經(jīng)驗(yàn)，因此能明確要求上游供應(yīng)商提供所需之最優(yōu)化原物料。（項(xiàng)詳細(xì)專利項(xiàng)目見(jiàn)附錄）優(yōu)秀的量產(chǎn)型研發(fā)團(tuán)隊(duì)技術(shù)團(tuán)隊(duì)成員皆具備有世界級(jí)一線大廠的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)，穩(wěn)固既有技術(shù)基礎(chǔ)，大量生產(chǎn)及管理經(jīng)驗(yàn)強(qiáng)，足以達(dá)到300kk以上的月產(chǎn)能力。技術(shù)團(tuán)隊(duì)有長(zhǎng)期的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，研發(fā)速度快。短中長(zhǎng)期訓(xùn)練計(jì)畫，成立之後仍有儲(chǔ)備之優(yōu)秀臺(tái)灣人才會(huì)加入。發(fā)展LED晶粒垂直及整合連橫。業(yè)界的競(jìng)爭(zhēng)中能進(jìn)入高功率通用照明的競(jìng)爭(zhēng)者不多。自我知識(shí)產(chǎn)權(quán)佈局與保護(hù)。大陸市場(chǎng)起飛需求龐大，高階低階都缺貨。政府十城開(kāi)展及能源政策推動(dòng)下市場(chǎng)需求旺盛，短中期皆無(wú)市場(chǎng)問(wèn)題，長(zhǎng)期在優(yōu)良整合及技術(shù)開(kāi)發(fā)能力下亦遠(yuǎn)慮。市場(chǎng)需求萎縮/產(chǎn)能過(guò)剩低近期LED背光源需求量亦大。第四節(jié) 風(fēng)險(xiǎn)分析與因應(yīng)風(fēng)險(xiǎn)因素發(fā)生可能性因素對(duì)策產(chǎn)品跌價(jià)中開(kāi)發(fā)更高產(chǎn)品，timetomarket,縮小發(fā)光面積及提升良率。比較起同業(yè)2500～7500℃，本公司產(chǎn)品的可調(diào)色溫範(fàn)圍更為寬廣。其他封裝廠產(chǎn)品的導(dǎo)熱係數(shù)均為12℃/W。在同業(yè)間無(wú)法達(dá)成此性能。比起同業(yè)約為65lm/w，更貼近市場(chǎng)的需求。日後拓展至海外市場(chǎng)，將加緊研發(fā)及佈局有價(jià)專利並做必要之合縱連橫。由於白光LED的廣泛應(yīng)用，專利侵權(quán)、交叉授權(quán)等法律事務(wù)不斷發(fā)生。其二威脅是專利衝突。四、威脅LED產(chǎn)業(yè)界一直存在著各廠家削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)的問(wèn)題，有越來(lái)越多的國(guó)外大廠相繼進(jìn)入中國(guó)，價(jià)格戰(zhàn)將是未來(lái)各封裝廠成敗的關(guān)鍵。再加上整體技術(shù)持續(xù)突破，照明單位成本降低，有利全面加速民生照明產(chǎn)品及應(yīng)用之需求。在相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈部分，LED電視的興起與大量成長(zhǎng)、全彩及白光的應(yīng)用逐漸廣泛。隨著全球?qū)Πl(fā)展低碳經(jīng)濟(jì)的共識(shí)，LED產(chǎn)業(yè)憑藉其具有節(jié)能、低耗損、高壽命、不採(cǎi)用汞原料等特質(zhì)優(yōu)勢(shì)，各專家學(xué)者莫不預(yù)估未來(lái)十年是LED產(chǎn)業(yè)的黃金髮展期。目前，我們雖然不具有強(qiáng)大的品牌知名度，這些有待日後的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)到服務(wù)的每一個(gè)環(huán)節(jié)的實(shí)現(xiàn)，我們有信心並且有能力在完成產(chǎn)品價(jià)值時(shí)，建立良好的口碑和知名高階LED產(chǎn)品品牌。因此，對(duì)於客戶需求、市場(chǎng)產(chǎn)品趨勢(shì)、生產(chǎn)技術(shù)的進(jìn)一步開(kāi)發(fā)、銷售區(qū)域的深入瞭解與分析、人才招募與培訓(xùn)都需要花費(fèi)相當(dāng)?shù)臅r(shí)間、資金與人才來(lái)投入，而這些都需要時(shí)間的運(yùn)作，更多資金的投入以及人才的培養(yǎng)來(lái)實(shí)現(xiàn)。由於初期經(jīng)濟(jì)規(guī)模小，對(duì)外議價(jià)籌碼低、材料資源掌握較困難，成本相對(duì)偏高。2012年的生產(chǎn)營(yíng)運(yùn)計(jì)畫主推供電功率為2W以上，發(fā)光效率大於130lm/w之大功率LED，2014年生產(chǎn)營(yíng)運(yùn)計(jì)畫主推發(fā)光效率大於150lm/w之高效率LED，這些產(chǎn)品的發(fā)展演進(jìn)速度將比一般封裝廠更能貼近半導(dǎo)體照明市場(chǎng)的品質(zhì)需求?；秷F(tuán)隊(duì)人員的專業(yè)素質(zhì)與知識(shí)基礎(chǔ)，本技術(shù)團(tuán)隊(duì)在初期（2010年）主推供電功率為1W，發(fā)電效率大於100lm/w之大功率LED。此外，還具有完整的專利佈局及解析、較低技術(shù)人力成本及高效率整合製造能力、高時(shí)效的結(jié)晶、晶粒及封裝量產(chǎn)能力以及上下游資源整合能力。其中不管碩、博士與大學(xué)本科學(xué)歷的人才。預(yù)計(jì)將於2011年第四季後，在美國(guó)加州、內(nèi)華達(dá)州成立美國(guó)東岸行銷點(diǎn)（目前美國(guó)南加州已建立銷售夥伴據(jù)點(diǎn)）；在埃及成立中東行銷點(diǎn)；在德國(guó)成立歐洲行銷點(diǎn)。第二條方針是鎖定開(kāi)發(fā)政策性推動(dòng)LED照明應(yīng)用工程計(jì)畫（公共工程）之先期目標(biāo)城市，包括：天津市、蘇州市、上海市、九江市、南昌市、武漢市、重慶市、成都市、杭州市、臺(tái)灣省。並在上海與蘇州成立中國(guó)華東行銷點(diǎn)。第三節(jié) 全球銷售通路佈局在銷售通路的佈局上，在成立中國(guó)中部封裝應(yīng)用生產(chǎn)中心後，首先著重於開(kāi)拓中國(guó)地區(qū)銷售計(jì)畫。除了九江地方政府的支持外，與其他地方政府的聯(lián)繫亦屬熱絡(luò)，在如此強(qiáng)大的政策支援的基礎(chǔ)下，有利本公司開(kāi)發(fā)更多、更廣泛的資源。在LED產(chǎn)品品質(zhì)規(guī)格的快速演進(jìn)中，以及瞬息萬(wàn)變的市場(chǎng)價(jià)格機(jī)制，與日新月異的封裝技術(shù)，本團(tuán)