電子顯微術(shù)ppt課件(參考版)
2025-05-15 03:17本頁面
【正文】 如果晶帶軸的跡和投影軸的跡不重合，則表明兩軸間 成一傾角 ?，可以證明，兩晶面間夾角 ?0與 ?以及圖 (a)所示的 ? ?2之間有如下關(guān)系： 22221222212210 si nsi nc o ssi nsi nc o sc o sc o sc o ssi nsi nc o s????????????????三、實驗方法 只要采用適當?shù)膾呙璺绞?，使入射束相對于晶體表面法線的掃描角 ??連續(xù)改變就有可能得到通道花樣。 二、通道花樣性質(zhì) 每個 (hkl)通道帶都平行于相應(yīng)的 (hkl)晶面積線； 通道帶的寬度 W于 2?成反比，從而可知與加速電壓的1/2次方成反比； 如果幾個通道帶的中心線相交于一點，則這幾個通道帶同屬于一個晶帶，交點就是此晶帶的晶帶軸的跡。 試樣 0 20 40 60 80 2 4 6 8 10 接收的二次電子 ? 二次電子收得數(shù)角分布曲線 二次電子收得數(shù)與入射束 試樣面法線間夾角分布曲線 Theory of Scanning Electron Microscope Comparison of objective movable aperture hole size Focus Depth → Deep Focus Depth → Shallow Aperture Size : Small Aperture Size : Large Specimen : Si on Photo Resist Pattern Theory of Scanning Electron Microscope After correction Before correction Under focus Just focus Over focus Just focus Astigmatism correction method Specimen:Trachea of rat Theory of Scanning Electron Microscope W filament SEM Out lens FESEM Snorkel lens FESEM InLens FESEM 10 30 10 20 Acc.(kV) Resolution (nm) Comparison of resolution Comparison of high and low acclerating voltage Theory of Scanning Electron Microscope High Acclerating Voltage Low Acclerating Voltage Vacc : 15kV Vacc : Specimen : Solar Battery Chargeup Phenomena Eliminate Chargeup Phenomena Vacc: Vacc: Specimen : SiO2 on Photo Resist Line Pattern Observation at lower accelerating voltages NonConductive Samples Observation Specimen : Ceramics Vacc : 1kV Upper Detector Vacc : 1kV Lower Detector 第五節(jié) 晶體學(xué)分析 一、通道花樣形成原理 電子通道花樣是一種相當弱的衍襯效應(yīng)。 30176。 30176。 90176。 r3＞ r2＞ r1 入射電子在試樣表層下 50197。 R r1 (b) ?=45176。 (a) ?=0176。 其二是二次電子的實際收得率是呈角分布的。這種方式可以顯示半導(dǎo)體、絕緣體的表面形貌、晶體缺陷、微等離子體和 pn結(jié)。用光電倍增管接收、成像就可以顯示雜質(zhì)及晶體缺陷分布情況。 七、陰極發(fā)光方式 可見光 有些物質(zhì)在高能電子束轟擊下會發(fā)光，發(fā)光波長與雜質(zhì)原子和基體物質(zhì)有關(guān)。 六、 X射線方式 特征 X射線 高能入射電子轟擊固體試樣，就好像一只 X射線管，試樣是其中的靶。可以顯示成分分布。 四、透射方式 透射電子 透射電子中既有彈性散射電子也有非彈性散射電子。被反射電子信號可以顯示表面形貌，還可以顯示元素分布。二次電子信號對試樣表面狀態(tài)非常敏感。 － － － － Backscattered Electron Secondary Electron
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