低介電常數(shù)材料研究(參考版)
2025-05-10 22:25本頁面
【正文】 C for h after heat treatment in air), and (5) air+forming gas (5% H2+95% N2) (annealing informing gas at 400 176。但致命缺點是機械強度差，熱穩(wěn)定性也有待提高。其二是采用旋壓方法（ spinon）將 有機聚合物集成電路工藝。例如無定形碳薄膜的研究，其材料的介電常數(shù)可以降低到 。氟是具有強負電性的元素，當其摻雜到二氧化硅中后，可以降低材料中的電子與離子極化，從而使材料的介電常數(shù)從 。目前的研究認為，降低材料的介電常數(shù)主要有兩種方法：其一是降低材料自身的極性，包括降低材料中電子極化率 ,離子極化率以及分子極化率 .其二是：增加材料中的空隙密度，從而降低材料的分子密度。與此同時，低介電常數(shù)材料替代傳統(tǒng)絕緣材料二氧化硅也就成為集成電路工藝發(fā)展的又一必然選擇。因而用銅線替代傳統(tǒng)的鋁線就成為集成電路工藝發(fā)展的必然方向。 當器件尺寸小于 ，克服阻容遲滯（ RCDelay）而引起的信號傳播延遲、線間干擾以及功率耗散等，就成為集成電路工藝技術發(fā)展不可回避的課題。然而，隨著集成電路技術的進步，具有高速度、高器件密度、低功耗以及低成本的芯片越來越成為超大規(guī)模集成電路制造的主要產品。 低介電常數(shù)材料研究 一 . 研究背景 二 . 低介電常數(shù)材料的特點及分類 三 . 文獻分析 四 . 小結 一. 研究背景 在集成電路工藝中，有著極好熱穩(wěn)定性、抗?jié)裥缘亩趸瑁?SiO2）一直是金屬互聯(lián)線路間使
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