可控整流電路ppt課件(參考版)
2025-05-09 18:09本頁面
【正文】 RLV T1V T2V D1V D2L。當有過電壓時，承受反向電壓的一組硒堆的電阻迅速減小，漏電流增大，過電壓能量被非線性電阻硒堆吸收。 硒堆是硒整流片串聯組成的非線性元件，并且是將兩組硒堆整流片對接起來使用。阻容保護就是利用電容吸收過電壓，其實質是把電路積聚的造成過電壓的電磁能量轉換為電場能量儲存到電容器中，再釋放到電阻中消耗掉。因此，一定要采取措施消除晶閘管上可能出現的過電壓。另外，加給元件的正向電壓超過了它的正向轉折電壓時，則晶閘管誤導通（未經觸發(fā)便導通）。過電壓的根本原因是由于電路中積聚的電磁能量消散不掉。 過電壓保護 產生過電壓的主要原因：由于電路中通常都接有電感元件，當晶閘管所在裝置或鄰近的用電設備接通或斷開電源時，或從一個晶閘管導通轉換到另一個晶閘管導通（稱換相）時，或熔斷器熔斷時，由于電路中電流的變化而在電感兩端產生感應電動勢，使電路中電壓往往超過正常值。所以，快速熔斷器仍然需要，以防止短路事故。 過電流繼電器 在輸入端（交流端）經電流互感器接入靈敏的過電流繼電器，或在輸出端（直流端）接入直流過電流繼電器，都可在發(fā)生過電流故障時動作，使輸入端的自動開關斷開。二是將快速熔斷器接在輸出（負載）端，這種接法對輸出回路的過載或短路起保護作用，但對元件本身故障引起的過電流無保護作用?？焖偃蹟嗥鲀妊b的是銀質熔絲。 快速熔斷器 +u1－+uo－RLV T1V T2V D1V D2+u2－這是一種專用保護晶閘管的快速熔斷器，它與普通熔斷器的主要區(qū)別是，在同樣的過電流倍數情況下，快速熔斷器熔體熔斷時間比普通熔斷器熔體熔斷時間短很多。過載倍數越大，允許的時間越短。 過電流保護 晶閘管發(fā)生過電流的原因： 負載端過載或短路； 電路中某一晶閘管擊穿短路，引起相鄰的其它晶閘管過電流； 觸發(fā)電路工作不正常或受干擾，使晶閘管誤觸發(fā)引起過電流。當晶閘管承受過電壓過電流時，晶閘管溫度會急劇上升，可能燒壞 PN結，造成元件內部短路或開路。雖然在每個半周期內會產生多個脈沖，但只有第一個脈沖起到觸發(fā)晶閘管的作用，一旦晶閘管被觸發(fā)導通，后面的脈沖不再起作用。 單結晶體管觸發(fā)電路 +uo－RLioV T1V T2V D1V D2R2R1+ug－RC+u2－u1+－+uo 1－V DZR3 RP+uZ－ω t0uo1ω t0uZUZω t0uCUPω t0ugω t0uo當電源電壓 u1過零時， u2也過零，使單結晶體管觸發(fā)電路電源電壓 UBB=0， 此時峰點電壓UP≈ηUBB ≈0， 單結晶體管的 E、B1結導通。此后電源再次經 R向 C充電，然后放電，形成振蕩。由于 R1較小，放電很快，放電電流在 R1上形成尖脈沖電壓。UEUP時，單結晶體管截止。 單結晶體管的伏安特性 ARB2RB1+UE－+UA－+UBB－B2B1E截止區(qū)負阻區(qū) 飽和區(qū)0PVIVIEUEUVUPIPREIEBBBBB2B1B1A UURRRU ????峰點 P與谷點 V是單結晶體管工作狀態(tài)的轉折點，當 UE≥UP（ UP=UA+UD） 時，單結晶體管導通， RB1急劇減小， UE也隨之下降；當 UEUV時，單結晶體管截止。 單結晶體管的結構和工作原理 單結晶體管的結構 PN 結EB2B1N 型硅片P 區(qū)歐姆接觸電阻B2B1EARB2RB1+UE－+UA－+UBB－B2B1E在基極 B1和 B2之間的電阻（包括硅片本身的電阻和基極與硅片之間的接觸電阻）為 RBB， 一般約在 2～ 15kΩ之間。 。 （ 5） 由觸發(fā)脈沖所產生的控制角 α要能平穩(wěn)移動并有足夠寬的移動范圍 。
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