單相橋式可控整流電路的結(jié)構(gòu)設(shè)計(參考版)
2025-06-29 12:42本頁面
【正文】 參考文獻(xiàn)[1] 王兆安，：機(jī)械工業(yè)出版社，2008[2] 黃俊，：機(jī)械工業(yè)出版社，1991[3] . 北京：機(jī)械工業(yè)出版社，2006[4] ：東南大學(xué)出版社，1999 [5] ：鐵道出版社，1999[6] 馬建國,：清華大學(xué)出版社,2004[7] ：高等教育出版社,2004 [8] ：電子科技大學(xué)出版社2002附錄A 元器件清單元器件備注數(shù)量晶閘管KP2044個電位器SWSPDT2個二極管14個同步變壓器1個電阻其中主電路負(fù)載電阻最大為500Ω，若干個整流變壓器變比為2，通過這次課程設(shè)計我對于文檔的編排格式有了一定的掌握，這對于以后的畢業(yè)設(shè)計及工作需要都有很大的幫助，在完成課程設(shè)計的同時我也在復(fù)習(xí)一遍電力電子這門課程，把以前一些沒弄懂的問題這次弄明白了一部分，當(dāng)然沒有全部。這次的課程設(shè)計是我收獲最大的一次，雖然中途遇到了不少困難，但還是被我逐步解決了。因為保護(hù)電路的種類較多，因此要選擇一個適合本課題的保護(hù)電路就比較難。整流電路中，開關(guān)器件的選擇和觸發(fā)電路的選擇是最關(guān)鍵的，開關(guān)器件和觸發(fā)電路選擇的好，對整流電路的性能指標(biāo)影響很大。它們各自有自己的優(yōu)點。整流電路的設(shè)計方法多種多樣，且根據(jù)負(fù)載的不同，又可以設(shè)計出很多不同的電路。①整流電壓由圖可知，約為150V,所以整流電壓的誤差σ%=%=|*100％=％ ②負(fù)載電流由圖可知，,。 ① 整流電壓由圖可知，約為138V,所以整流電壓的誤差σ%=%=||*100％=％ ② 負(fù)載電流由圖可知，,即負(fù)載電流的誤差σ%=||%=|*100％=11％觸發(fā)角α=60176。時的波形 α=90176。時的波形 α=60176。時的波形 α=30176。（1）電網(wǎng)供電電壓為單相100V； （2）電網(wǎng)電壓波動為+5%－10%； （3）輸出電壓為0～100V。、120176。、60176。下面波形圖中分別代表晶體管VT14上的電流I1晶體管VT14上的電壓U1電阻負(fù)載上的電壓Ud，電阻負(fù)載上的電流Id的波形。時③觸發(fā)角α= 90176。 參數(shù)設(shè)置（1）電源參數(shù)設(shè)置（2）波形發(fā)生器參數(shù)設(shè)置①觸發(fā)角α=30176。： 并聯(lián)RC阻容吸收回路第四章 仿真分析與調(diào)試 仿真電路圖（1）將DJK01電源控制屏的電源選擇開關(guān)打到“直流調(diào)速”側(cè)使輸出線電壓為200V,用兩根導(dǎo)線將200V交流電壓接到DJK031的“外接220V”端，按下“啟動”按鈕，打開DJK031的電源開關(guān)，用雙蹤示波器觀察“Tca785鋸齒波移相觸發(fā)電路”各觀察孔的波形。:加在晶閘管上的正向電壓上升率du/dt也應(yīng)有所限制,如果du/dt過大由于晶閘管結(jié)電容的存在而產(chǎn)生較大的位移電流，該電流可以實際上起到觸發(fā)電流的作用，使晶閘管正向阻斷能力下降，嚴(yán)重時引起晶閘管誤導(dǎo)通。晶閘管初開通時電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區(qū)域，局部電流密很大，若晶閘管開通時電流上升率di/dt過大，會導(dǎo)致PN結(jié)擊穿，必須限制晶閘管的電流上升率使其在合適的范圍內(nèi)。電容C的單位為μF，電阻的單位為歐姆電容C的交流耐壓≥U：正常工作時阻容兩端交流電壓有效值。單相阻容保護(hù)的計算公式如下： （） （）S:變壓器每相平均計算容量（VA）U：變壓器副邊相電壓有效值 （V）i%:變壓器激磁電流百分值U%：變壓器的短路電壓百分值。外因過電壓主要來自雷擊和系統(tǒng)中的操作過程等外部原因，內(nèi)因過電壓主要來自電力電子裝置內(nèi)部器件的開關(guān)過程，過電壓保護(hù)有避雷器保護(hù)，利用非線性過電壓保護(hù)元件保護(hù)，利用儲
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